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1. 发明专利

JP2021136380A 固体撮像装置及び電子機器审中-公开
公开(公告)号：JP2021136380A
公开(公告)日：2021-09-13
申请号：JP2020033222
申请日：2020-02-28
申请人：ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
发明人：吉田慎一
IPC分类号： H01L21/761 , H01L21/76 , H04N5/374 , H04N5/3745 , H01L27/146
摘要：【課題】固体撮像装置の品質や信頼性の更なる向上を実現することができる固体撮像装置を提供すること。【解決手段】画素毎に、光電変換を行う光電変換部が形成された半導体基板と、光入射側である該半導体基板の裏面から上方に掘り込んで該半導体基板を貫通しないで、該画素間に形成されたトレンチと、該トレンチの周囲部に沿って配された、P型領域とN型領域とから構成されるPN接合領域と、を備え、該PN接合領域がセルフアラインで形成される、固体撮像装置を提供する。【選択図】図1

2. 发明专利

JP6557134B2 半導体装置および半導体装置の製造方法有权
公开(公告)号：JP6557134B2
公开(公告)日：2019-08-07
申请号：JP2015251982
申请日：2015-12-24
申请人：住重アテックス株式会社
发明人：井上剛 , 正岡章賀 , 松澤昭 , 岡田健一 , 平野拓一
IPC分类号： H01L27/092 , H01L21/76 , H01L21/761 , H01L21/265 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L27/088 , H01L21/8238

3. 发明专利

JP6506814B2 固体撮像装置およびカメラ有权
公开(公告)号：JP6506814B2
公开(公告)日：2019-04-24
申请号：JP2017201954
申请日：2017-10-18
申请人：キヤノン株式会社
发明人：下津佐峰生
IPC分类号： H01L21/761 , H01L21/265 , H01L27/146

4. 发明专利

JP2018011089A 半導体装置审中-公开
公开(公告)号：JP2018011089A
公开(公告)日：2018-01-18
申请号：JP2017204728
申请日：2017-10-23
申请人：ローム株式会社
发明人：藤江周作
IPC分类号： H01L29/78 , H01L27/088 , H01L21/761 , H01L21/336
摘要：【課題】フィールド反転の発生を抑制し、安定した素子分離を実現できる半導体装置を提供する。【解決手段】低電圧素子を有する低電圧素子領域2を含むエピタキシャル基板45と、低電圧素子領域2を区画するようにエピタキシャル基板45の表層部に形成された素子分離ウェル7と、素子分離ウェル7を覆うようにエピタキシャル基板45の上に形成されたフィールド絶縁膜10と、エピタキシャル基板45の上に形成された第1〜第4層間絶縁膜21,25,27,36と、平面視において低電圧素子領域2を横切るように第4層間絶縁膜36の上に形成された高電圧配線30と、フィールド絶縁膜10において高電圧配線30と対向する領域を横切るようにフィールド絶縁膜10の上に形成され、素子分離ウェル7の幅以下の幅を有する導体膜11と、を含む。【選択図】図2

5. 发明专利

JP6234715B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP6234715B2
公开(公告)日：2017-11-22
申请号：JP2013134001
申请日：2013-06-26
申请人：ローム株式会社
发明人：藤江周作
IPC分类号： H01L29/78 , H01L27/088 , H01L21/8234 , H01L21/761 , H01L21/336
CPC分类号： H01L27/0251 , H01L21/761 , H01L23/4824 , H01L27/0883 , H01L29/0646 , H01L29/0649 , H01L29/7816 , H01L29/7817 , H01L29/7823 , H01L29/0653 , H01L29/0878 , H01L29/42368 , H01L2924/0002

6. 发明专利

JP6228428B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP6228428B2
公开(公告)日：2017-11-08
申请号：JP2013225360
申请日：2013-10-30
申请人：ルネサスエレクトロニクス株式会社
发明人：嘉屋旨哲 , 中原寧 , 新家東 , 神田良 , 栗原智敦 , 戸田鉄
IPC分类号： H03K17/687 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L27/088 , H01L21/8234 , H01L21/761 , H01L29/41 , H01L21/76
CPC分类号： H02M1/088 , H01L27/0285 , H01L27/0292 , H01L27/0296 , H01L27/0629 , H01L27/0922 , H01L29/0642 , H01L29/0847 , H01L29/1033 , H01L29/1079 , H01L29/405 , H01L29/7816 , H01L29/7835 , H01L29/7838 , H01L29/0878 , H01L29/42368 , H03K2017/6875 , H03K2217/0081

7. 发明专利

JP6207985B2 半導体装置およびその製造方法有权
公开(公告)号：JP6207985B2
公开(公告)日：2017-10-04
申请号：JP2013241061
申请日：2013-11-21
申请人：三菱電機株式会社
发明人：吉野学
IPC分类号： H01L29/06 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L21/761
CPC分类号： H01L29/063 , H01L21/265 , H01L21/26513 , H01L21/266 , H01L21/30604 , H01L21/308

8. 发明专利

JP2017079256A 半導体装置の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017079256A
公开(公告)日：2017-04-27
申请号：JP2015206406
申请日：2015-10-20
申请人：旭化成エレクトロニクス株式会社 , Asahi Kasei Electronics Co Ltd
发明人： MOCHIZUKI HIDENORI , GUNJI TOMOHIRO
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/761
摘要：【課題】コストの増加を防ぎつつ、厚いエピタキシャル層においても埋め込み層と接続されたシンカー層を有する半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】P型シリコン基板1の表面に、N型の第1不純物を導入して第1のN型埋め込み層4を形成し、第1のN型埋め込み層4の一部に、N型であり且つ第1不純物より拡散係数の大きい第2不純物を導入して第2のN型埋め込み層6を形成し、第1及び第2のN型埋め込み層4及び6が形成されたP型シリコン基板1を熱処理した後、P型シリコン基板1上にP型の不純物を含むP型エピタキシャル層7を形成する。P型エピタキシャル層7の表面のうち、第2のN型埋め込み層6の上方に相当する部分に、P型の第3不純物を導入してN型シンカー層10を形成した後、P型シリコン基板1を熱処理し、これによりN型シンカー層10と第2のN型埋め込み層6とを接続する。【選択図】図2

9. 发明专利

JP2016171105A 半導体装置及びその製造方法审中-公开
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：JP2016171105A
公开(公告)日：2016-09-23
申请号：JP2015048167
申请日：2015-03-11
申请人：セイコーエプソン株式会社
发明人：桑澤和伸 , 新田博明
IPC分类号： H01L27/08 , H01L21/8238 , H01L27/092 , H01L21/761
摘要：【課題】埋め込み拡散層と電気的に接続する拡散層の横方向の拡がりを抑制した半導体装置を提供する。【解決手段】本発明の一態様は、P型シリコン基板11と、前記シリコン基板に位置するN型埋め込み拡散層14と、前記埋め込み拡散層上に位置するエピタキシャル層15と、前記エピタキシャル層に位置し、前記埋め込み拡散層と前記エピタキシャル層の表面を電気的に接続するN型拡散層30と、を含み、前記N型拡散層は、第1の領域拡散層21aと、前記第1の領域拡散層より深い位置で且つ前記第1の領域拡散層より不純物濃度が高い第2の領域拡散層22aを有する半導体装置である。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：提供抑制与嵌入式扩散层电连接的扩散层的横向膨胀的半导体器件。解决方案：在本实施例中，半导体器件包括P型硅衬底11，N型嵌入位于硅衬底中的扩散层14，位于嵌入扩散层上的外延层15和用于将嵌入的扩散层和外延层的表面电连接的N型扩散层30。 N型扩散层在比第一区域扩散层更深的位置具有第一区域扩散层21a和第二区域扩散层22a，其杂质浓度高于第一区域扩散层的浓度。图示：图 2

10. 发明专利

JP5743831B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP5743831B2
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：JP2011214829
申请日：2011-09-29
申请人：株式会社東芝
发明人：大黒達也
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L21/8238 , H01L27/092 , H01L27/08 , H01L21/761 , H01L21/76 , H01L21/336

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