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1. 发明专利

JP6951714B2 p型酸化物半導体及びその製造方法有权
公开(公告)号：JP6951714B2
公开(公告)日：2021-10-20
申请号：JP2018537303
申请日：2017-08-29
申请人：株式会社FLOSFIA , 国立大学法人京都大学
发明人：藤田静雄 , 金子健太郎 , 織田真也 , 人羅俊実
IPC分类号： H01L29/872 , H01L29/12 , H01L29/78 , H01L29/739 , H01L21/331 , H01L29/737 , C23C16/40 , H01L21/368 , H01L29/24 , H01L21/337 , H01L29/808 , H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812 , H01L21/365

2. 发明专利

JP6925548B1 酸化ガリウム半導体膜の製造方法及び成膜装置有权
公开(公告)号：JP6925548B1
公开(公告)日：2021-08-25
申请号：JP2021000265
申请日：2021-01-04
申请人：信越化学工業株式会社
发明人：渡部武紀
IPC分类号： H01L21/368 , C23C16/40 , C30B29/16 , H01L21/365
摘要：【課題】膜厚の面内均一性や成膜速度に優れた酸化ガリウム半導体膜の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】ミストCVD法による酸化ガリウム半導体膜の製造方法であって、ミスト化部において、ガリウムを含む原料溶液をミスト化してミストを発生させるミスト発生工程と、前記ミストを搬送するためのキャリアガスを前記ミスト化部に供給するキャリアガス供給工程と、前記ミスト化部と成膜室とを接続する供給管を介して、前記ミスト化部から前記成膜室へと、前記ミストを前記キャリアガスにより搬送する搬送工程と、前記成膜室において基板の表面に供給する前記ミスト及び前記キャリアガスの流れが、前記基板の表面に沿った流れとなるように整流する整流工程と、前記整流されたミストを熱処理して前記基板上に成膜を行う成膜工程と、前記基板の上方へ廃ガスを排気する排気工程とを含む酸化ガリウム半導体膜の製造方法。【選択図】図3

3. 发明专利

JP2021119614A 成膜装置、成膜基体の製造方法、半導体膜の製造装置及び半導体膜の製造方法有权
公开(公告)号：JP2021119614A
公开(公告)日：2021-08-12
申请号：JP2021072637
申请日：2021-04-22
申请人：信越化学工業株式会社
发明人：渡部武紀 , 橋上洋
IPC分类号： H01L21/368 , C23C16/455 , C23C16/52 , H01L21/365
摘要：【課題】成膜速度に優れた成膜方法を提供することを目的とする。【解決手段】成膜部でミストを熱処理して成膜を行う成膜方法であって、ミスト化部において、原料溶液をミスト化してミストを発生させる工程と、前記ミスト化部と前記成膜部とを接続する搬送部を介して、前記ミスト化部から前記成膜部へと、前記ミストをキャリアガスにより搬送する工程と、前記成膜部において、前記ミストを熱処理して基体上に成膜を行う工程とを含み、前記キャリアガスの流量をQ(L/分)、前記キャリアガスの温度をT(℃)としたとき、7
【選択図】図1

4. 发明专利

JP6909191B2 積層体、半導体装置及び積層体の製造方法有权
公开(公告)号：JP6909191B2
公开(公告)日：2021-07-28
申请号：JP2018182714
申请日：2018-09-27
申请人：信越化学工業株式会社
发明人：橋上洋
IPC分类号： H01L33/26 , H01L29/872 , H01L29/12 , H01L29/78 , H01L29/739 , H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812 , H01L33/12 , H01L21/368 , H01L29/24 , H01L21/365

5. 发明专利

JP6848405B2 電界効果型トランジスタの製造方法有权
公开(公告)号：JP6848405B2
公开(公告)日：2021-03-24
申请号：JP2016237962
申请日：2016-12-07
申请人：株式会社リコー
发明人：安部由希子 , 安藤友一 , 中村有希 , 松本真二 , 曽根雄司 , 植田尚之 , 早乙女遼一 , 新江定憲 , 草柳嶺秀
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/28 , H01L21/316 , H01L21/368 , H01L29/786

6. 发明专利

JP2021042120A 半導体膜审中-公开
公开(公告)号：JP2021042120A
公开(公告)日：2021-03-18
申请号：JP2020176244
申请日：2020-10-20
申请人：日本碍子株式会社
发明人：渡邊守道 , 福井宏史
IPC分类号： C30B25/18 , C23C16/40 , H01L21/365 , H01L21/368 , H01L21/363 , C23C14/00 , C23C14/08 , C30B29/16
摘要：【課題】結晶欠陥が著しく少ないα−Ga 2 O 3 系半導体膜を提供する。【解決手段】α−Ga 2 O 3 、又はα−Ga 2 O 3 系固溶体で構成されるコランダム型結晶構造を有し、半導体膜の少なくとも一方の表面における(104)面のX線ロッキングカーブ半値幅が500arcsec以下であり、好ましくは、半導体膜の少なくとも一方の表面における(006)面のX線ロッキングカーブ半値幅が50arcsec以下であり、さらに好ましくは、半導体膜の一方の表面(おもて面)における(104)面のX線ロッキングカーブ半値幅(FWHM−T)に対する、前記半導体膜の前記表面に対向する表面(裏面)における(104)面のX線ロッキングカーブ半値幅(FWHM−B)の比であるFWHM−B/FWHM−Tが、1.0を超える。【選択図】図4

7. 发明专利

JP2021038118A 積層構造体及び半導体装置並びに積層構造体の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2021038118A
公开(公告)日：2021-03-11
申请号：JP2019160706
申请日：2019-09-03
申请人：信越化学工業株式会社
发明人：坂爪崇寛 , 渡部武紀 , 橋上洋
IPC分类号： C30B25/18 , C23C16/40 , C23C16/448 , H01L21/365 , H01L21/368 , C30B29/16
摘要：【課題】熱的に安定であり、膜表面の平滑性が良く、キャリア移動度が大きい結晶性酸化物膜を有する安価な積層構造体を提供することを目的とする。【解決手段】結晶性基板と、ガリウムを主成分としベータガリア構造を有する結晶性酸化物膜とを有する積層構造体であって、前記結晶性基板が、タンタル酸リチウムを主成分とする単結晶基板であり、0.2°〜18.0°のオフ角を有するものである積層構造体。【選択図】図1

8. 发明专利

JP6839694B2 酸化ガリウム膜の成膜方法有权
公开(公告)号：JP6839694B2
公开(公告)日：2021-03-10
申请号：JP2018235359
申请日：2018-12-17
申请人：株式会社デンソー , 国立大学法人京都工芸繊維大学
发明人：永岡達司 , 西中浩之 , 吉本昌広
IPC分类号： H01L21/368 , C23C16/40 , C23C16/448 , H01L21/365

9. 发明专利

JP2021028942A ペロブスカイト膜の製造方法、及び光電変換素子の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2021028942A
公开(公告)日：2021-02-25
申请号：JP2019147572
申请日：2019-08-09
申请人：三菱ケミカル株式会社 , 学校法人桐蔭学園
发明人：宮坂力 , オズシェノール , 横山孝理 , 毛利和弘 , 武井出
IPC分类号： H01L51/44 , C07C53/122 , C23C16/30 , H01L21/368
摘要：【課題】簡易な方法で、均一性の高いペロブスカイト膜が得られる製造方法を提供することを課題とする。【解決手段】(MA) a D 3 で表される無機メタルハライドペロブスカイト膜を製造する方法であって、前記第1のカチオンを含むハロゲン化物と、前記第2のカチオンを含むハロゲン化物と、前記第1のカチオンを含む有機金属化合物と、を基板上に配置するステップ、及び前記基板上のハロゲン化物及び有機金属化合物を加熱するステップ、を含む、製造方法により課題を解決する。但し、Mは第1のカチオンであり、Aは第2のカチオンであり、Dはハロゲンであり、aは1±0.3である。【選択図】図2

10. 发明专利

JP2020198409A 酸化物膜の成膜方法、半導体装置の製造方法、及び、酸化物膜の成膜装置审中-公开
公开(公告)号：JP2020198409A
公开(公告)日：2020-12-10
申请号：JP2019105350
申请日：2019-06-05
申请人：トヨタ自動車株式会社 , 国立大学法人京都工芸繊維大学
发明人：永岡達司 , 西中浩之 , 吉本昌広
IPC分类号： H01L21/368 , C23C16/40 , C30B29/16 , C30B25/02 , C30B33/02 , H01L21/365
摘要：【課題】結晶性が高い酸化物膜を短時間で成膜する。【解決手段】酸化物膜の成膜方法であって、基板を第1温度に加熱しながら前記酸化物膜の材料が溶解した溶液のミストを前記基板の表面に供給することによって前記基板の前記表面に前記酸化物膜をエピタキシャル成長させる工程と、前記酸化物膜をエピタキシャル成長させた後に前記酸化物膜を前記第1温度よりも高い第2温度に加熱しながら前記酸化物膜を酸素原子を含む流体に曝す工程、を有する。【選択図】図1

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