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1. 发明专利

JP2019204137A フォトマスクの設計方法および製造方法、並びに表示装置の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2019204137A
公开(公告)日：2019-11-28
申请号：JP2019164553
申请日：2019-09-10
申请人： HOYA株式会社
发明人：小林周平
IPC分类号： G03F1/32 , G03F1/28
摘要：【課題】パターンの転写に際して、有利な形状のレジストパターンを形成でき、優れた転写性を示すフォトマスク、フォトマスクの設計方法、フォトマスクブランク、および表示装置の製造方法を提供する。【解決手段】透明基板上に、パターニングされた位相シフト膜を含む転写用パターンを備えたフォトマスクであって、前記転写用パターンは、前記透明基板上に位相シフト膜が形成された位相シフト部と、前記透明基板が露出した透光部とを含み、前記位相シフト膜の有する、g線に対する位相シフト量(度)をφ g 、h線に対する位相シフト量(度)をφ h 、i線に対する位相シフト量(度)をφ i とするとき、φ i >φ g を満たし、かつ、これらφ g 、φ h 、φ i の中で、180度に最も近い値となるものがφ g である。【選択図】図3

2. 发明专利

JP6093117B2 フォトマスク、フォトマスクの製造方法及びパターンの転写方法有权
标题翻译：光掩模中，制造方法的转印方法和图案光掩模的
公开(公告)号：JP6093117B2
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：JP2012126114
申请日：2012-06-01
申请人： HOYA株式会社
发明人：今敷修久
IPC分类号： G03F1/28

3. 发明专利

JP5669203B2 多階調フォトマスク、多階調フォトマスクの製造方法、及びパターン転写方法有权
标题翻译：多灰度掩模，制造多色调光掩模的方法，以及图案转印方法
公开(公告)号：JP5669203B2
公开(公告)日：2015-02-12
申请号：JP2011055408
申请日：2011-03-14
申请人： Hoya株式会社 , Hoya株式会社
发明人：裕吉川 , 吉川　　裕
IPC分类号： G03F1/00 , G03F1/28 , G03F1/32 , G03F1/54 , G03F1/58 , G03F1/70 , G03F1/80 , G03F7/20

4. 发明专利

JP2013250478A Photomask, method for manufacturing photomask, and method for transferring pattern 有权
标题翻译：照相机，制造光电子的方法和转印图案的方法
公开(公告)号：JP2013250478A
公开(公告)日：2013-12-12
申请号：JP2012126114
申请日：2012-06-01
申请人： Hoya Corp , Hoya株式会社
发明人： IMASHIKI NOBUHISA
IPC分类号： G03F1/28
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a photomask with which a fine pattern can be accurately and precisely transferred, and to provide a transfer method and a method for manufacturing a flat panel display.SOLUTION: The photomask has a transfer pattern formed on a transparent substrate, wherein the transfer pattern includes a light-shielding part that blocks at least a part of exposure light and a light-transmitting part exposing the transparent substrate. The light-shielding part includes an edge region formed along an outer periphery of the light-shielding part with a predetermined width, and a center region formed in a part except for the edge region of the light-shielding part. The center region is formed to give an about 180 degrees of a phase shift amount to light at a representative wavelength included in the exposure light that transmits through the light-transmitting part, while the edge region is formed to give a phase shift amount smaller than that of the center region to the light at the representative wavelength. An optical film having 50% or less of a transmittance with respect to the light at the representative wavelength is formed in the edge region.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种精密图案可精确和精确地转印的光掩模，并提供一种平板显示器的转印方法和方法。解决方案：光掩模具有形成在透明基板上的转印图案其中，所述转印图案包括阻挡曝光光的至少一部分的遮光部和露出所述透明基板的透光部。遮光部包括具有预定宽度的沿着遮光部的外周形成的边缘区域，以及形成在除了遮光部的边缘区域以外的部分的中心区域。中心区域被形成为对透过透光部分的曝光光中包括的代表性波长的光赋予大约180度的相移量，同时形成边缘区域以使相位偏移量小于中心区域到代表波长的光。在边缘区域形成有相对于代表性波长的光具有50％以下的透射率的光学膜。

5. 发明专利

JP5244485B2 Photomask and a method of manufacturing the same, and pattern transfer method 有权
公开(公告)号：JP5244485B2
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：JP2008187980
申请日：2008-07-19
申请人： Hoya株式会社
发明人：道明佐野
IPC分类号： G03F1/32 , G03F1/00 , G03F1/28 , G03F1/54 , G03F7/20 , H01L21/027

6. 发明专利

JP5143356B2 Photomask for dual exposure method and the double exposure method using the double exposure technique 有权
标题翻译：空值
公开(公告)号：JP5143356B2
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：JP2006011798
申请日：2006-01-20
申请人：エスケーハイニックス株式会社SK hynix Inc.
发明人：スンチェジェ
IPC分类号： H01L21/027 , G03F1/28 , G03F1/30 , G03F1/32 , G03F1/68 , G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70466 , G03F1/28 , G03F1/50 , G03F7/203 , G03F7/70125

7. 发明专利

JP4748936B2 Focus masking structure, focus pattern and its measurement 有权
标题翻译：空值
公开(公告)号：JP4748936B2
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：JP2003544415
申请日：2002-11-08
申请人：ケーエルエー−テンカーコーポレイション
发明人：ミーハー・ウォルター , レビー・アディ , ワック・ダン
IPC分类号： G02B7/28 , H01L21/027 , G03F1/28 , G03F7/20 , G03F7/207
CPC分类号： G03F7/70641 , G03F1/28 , G03F1/44 , G06K7/0095
摘要： Methods and device structures used to determine the focus quality of a photolithographic pattern or a photolithographic system are disclosed. One aspect of the invention relates to focus masking structures configured to form focus patterns that contain focus information relating to the focus quality. The focus masking structures generally include a plurality of parallel source lines that are separated by alternating phase shift zones. Another aspect of the invention relates to focus patterns that change with changes in focus. The focus patterns generally include a plurality of periodic structures that form measurable shifts therebetween corresponding to the sign and magnitude of defocus. Another aspect of the invention relates to a method of determining the focus quality of a photolithographic pattern or a photolithographic system. The method generally includes: providing a focus masking structure, forming a focus pattern on a work piece with the focus masking structure, and obtaining focus information from the focus pattern. The focus information may be obtained using a variety of techniques, as for example, scatterometry techniques, scanning techniques, imaging techniques, phase based techniques, and the like.
摘要翻译：公开了用于确定光刻图案或光刻系统的焦点质量的方法和装置结构。本发明的一个方面涉及被配置为形成聚焦图案的聚焦掩模结构，其包含与焦点质量有关的焦点信息。聚焦掩模结构通常包括由交替的相移区域分开的多个平行的源极线。本发明的另一方面涉及随焦点变化而变化的聚焦图案。聚焦图案通常包括多个周期性结构，其在散焦的符号和大小之间形成可测量的偏移。本发明的另一方面涉及一种确定光刻图案或光刻系统的焦点质量的方法。该方法通常包括：提供聚焦掩蔽结构，在聚焦掩模结构的工件上形成聚焦图案，以及从焦点图案获得聚焦信息。可以使用各种技术获得焦点信息，例如散射测量技术，扫描技术，成像技术，基于相位的技术等。

8. 发明专利

JP2010102354A Vortex phase shift mask for photolithography 审中-公开
标题翻译： VORTEX相位移动掩模用于光刻技术
公开(公告)号：JP2010102354A
公开(公告)日：2010-05-06
申请号：JP2009292358
申请日：2009-12-24
申请人： Dainippon Printing Co Ltd , David Levenson Marc , マークデイヴィッドレヴェンソンMarc David Levenson , 大日本印刷株式会社
发明人： MARC DAVID LEVENSON
IPC分类号： G03F1/28 , G03F1/68 , H01L21/027
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an apparatus, method and system for forming features of a minimum region on a device.
SOLUTION: A photolithographic method and an apparatus are described for forming the minimum of light intensity corresponding to a point in a phase shift mask. As the phase shift in light formed by the mask varies in a spiral fashion around a point, the phase shift measured along a line drawn across the mask surface and passing over the point rapidly increases by 180° at the point, while along a line passing in the periphery of the point, the phase shift shows no rapid increase between 130° and 230°, and most preferably, no rapid increase between 100° and 260°.
COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供一种用于形成装置上的最小区域的特征的装置，方法和系统。解决方案：描述了一种光刻方法和装置，用于形成对应于相移掩模中的点的最小光强度。当由掩模形成的光的相移以围绕点的螺旋方式变化时，沿着掩模表面绘制的线穿过该点测量的相移在点处快速增加180°，而沿着通过的线在该点的周边，相移显示出在130°和230°之间的快速增加，最优选在100°和260°之间不会快速增加。版权所有（C）2010，JPO＆INPIT

9. 发明专利

JP2010032737A Multilevel photomask and pattern transfer method 有权
标题翻译：多媒体光标和图案传输方法
公开(公告)号：JP2010032737A
公开(公告)日：2010-02-12
申请号：JP2008194187
申请日：2008-07-28
申请人： Hoya Corp , Hoya株式会社
发明人： YOSHIDA KOICHIRO
IPC分类号： G02F1/1368 , G03F1/28 , G03F1/58 , H01L21/336 , H01L29/786
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a multilevel photomask and a pattern transfer method, in which dimensions of a resist pattern on a transfer object are easily controlled even when the pattern feature in a transflective part is made finer, and the accuracy of line width can be improved. SOLUTION: The multilevel photomask has a transflective film and a light-shielding film on a transparent substrate and has a light-shielding part, a translucent part and transflective part formed of the above transflective film and the light-shielding film. The multilevel photomask has a transflective part interposed by light-shielding parts 11 in a plan view, the transflective part includes a first transflective region 12 having a first transmittance and a second transflective region 13 disposed between the light-shielding part 11 and the first transflective region 12 and having a second transmittance higher than the first transmittance. COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：为了提供一种多层光掩模和图案转印方法，其中即使当半透反射部件中的图案特征变得更细时，转印体上的抗蚀剂图案的尺寸也容易控制，并且精度线宽可以提高。解决方案：多层光掩模在透明基板上具有透反射膜和遮光膜，并且具有由上述透反射膜和遮光膜形成的遮光部分，半透明部分和半透反射部分。多层光掩模在俯视图中具有由遮光部11插入的半透半反镜部，透反射部包括具有第一透射率的第一透反射区域12和设置在遮光部11与第一半透反射部11之间的第二透反射区域13。并且具有比第一透射率高的第二透射率。版权所有（C）2010，JPO＆INPIT

10. 发明专利

JP2009042753A Photomask, its manufacturing method, and pattern transfer method 有权
标题翻译： PHOTOMASK，其制造方法和图案转移方法
公开(公告)号：JP2009042753A
公开(公告)日：2009-02-26
申请号：JP2008187980
申请日：2008-07-19
申请人： Hoya Corp , Hoya株式会社
发明人： SANO MICHIAKI
IPC分类号： G03F1/28 , G03F1/54 , G03F7/20
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a photomask for resolving a pattern of ≤3 μm, for example, incapable of being resolved under exposure conditions of an alligner used in conventional manufacturing processes of a liquid crystal display device, thereby obtaining a more precise transfer image.
SOLUTION: The photomask includes a light transmitting part and a semitransmitting part giving a predetermined pattern formed by patterning a semitransmitting film formed on a transparent substrate, and the photomask aims to form a transfer pattern having a line width of less than 3 μm on a transfer body by exposure light transmitting the photomask. The photomask includes a pattern comprising a light transmitting part and a semitransmitting part including a part having a line width of
摘要翻译：要解决的问题：提供一种用于分辨≤3μm的图案的光掩模，例如，在液晶显示装置的常规制造工艺中使用的定影器的曝光条件下不能解决，从而获得更多精确传输图像。解决方案：光掩模包括透光部分和半透射部分，其给出通过对形成在透明基板上的半透膜进行图案化而形成的预定图案，并且光掩模旨在形成线宽小于3μm的转印图案通过曝光光传输光掩模在转印体上。光掩模包括在至少透射部分或半透射部分中包括光透射部分和半透射部分的图案，其包括线宽度<3μm的部分。版权所有（C）2009，JPO＆INPIT

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