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1. 发明专利

JP2021165229A 炭化珪素エピタキシャル基板、炭化珪素半導体装置の製造方法および炭化珪素半導体装置审中-公开
公开(公告)号：JP2021165229A
公开(公告)日：2021-10-14
申请号：JP2021108742
申请日：2021-06-30
申请人：住友電気工業株式会社
发明人：和田圭司 , 西口太郎 , 日吉透
IPC分类号： C30B25/20 , C23C16/34 , H01L21/205 , C30B29/36
摘要：【課題】化学機械研磨によって、炭化珪素エピタキシャル基板の表面を研磨する工程におけるタクトタイムを短縮する。【解決手段】炭化珪素エピタキシャル基板の製造方法は、炭化珪素単結晶基板上に、第1層をエピタキシャル成長させる工程(S1)と、該第1層の最表面に、該第1層と化学組成もしくは密度が異なる第2層を形成する工程(S2)と、を備える。第1層の厚さに対する第2層の厚さの比率は、0%を超えて10%以下である。【選択図】図1

2. 发明专利

JP2021143081A 炭化ケイ素単結晶基板の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2021143081A
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：JP2020040901
申请日：2020-03-10
申请人：住友金属鉱山株式会社
发明人：西村英一郎
IPC分类号： C30B25/20 , C23C16/42 , C23C16/52 , H01L21/20 , C30B29/36
摘要：【課題】炭化ケイ素単結晶成膜用基板に炭化ケイ素単結晶膜をエピタキシャル成長させて得られる炭化ケイ素単結晶基板において、炭化ケイ素単結晶基板の反りの発生を抑制することができる、炭化ケイ素単結晶基板の製造方法を提供する。【解決手段】化学的気相蒸着法によって、ドーパントを有する炭化ケイ素単結晶成膜用基板の表面に炭化ケイ素単結晶膜をエピタキシャル成長させて炭化ケイ素単結晶基板を得る、炭化ケイ素単結晶基板の製造方法において、前記炭化ケイ素単結晶成膜用基板を設置した成膜室内に、原料ガスおよびドーパントガスを含む混合ガスを供給して、前記炭化ケイ素単結晶膜を成膜する、成膜工程を含み、前記成膜工程において、前記混合ガスの供給比率を調整することにより、前記炭化ケイ素単結晶成膜用基板が有するドーパントの含有量の−50%〜+50%のドーパントの含有量を有する前記炭化ケイ素単結晶膜を成膜する。【選択図】図2

3. 发明专利

JP6930640B2 炭化珪素単結晶基板、炭化珪素エピタキシャル基板および炭化珪素半導体装置の製造方法有权
公开(公告)号：JP6930640B2
公开(公告)日：2021-09-01
申请号：JP2020122042
申请日：2020-07-16
申请人：住友電気工業株式会社
发明人：堀勉
IPC分类号： H01L29/12 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/739 , C30B29/36 , C30B25/20 , H01L21/304

4. 发明专利

JP6916719B2 III族窒化物単結晶積層体の製造方法及びIII族窒化物単結晶積層体有权
公开(公告)号：JP6916719B2
公开(公告)日：2021-08-11
申请号：JP2017222034
申请日：2017-11-17
申请人：株式会社トクヤマ
发明人：岡山玲子 , 永島徹
IPC分类号： C30B25/20 , C23C16/34 , H01L21/205 , H01L21/203 , C30B29/38

5. 发明专利

JP2021109813A 窒化物結晶基板の製造方法、窒化物結晶基板および積層構造体审中-公开
公开(公告)号：JP2021109813A
公开(公告)日：2021-08-02
申请号：JP2020004252
申请日：2020-01-15
申请人：株式会社サイオクス , 住友化学株式会社
发明人：吉田丈洋
IPC分类号： C30B25/20 , H01L21/205 , C30B29/38
摘要：【課題】高抵抗で且つ結晶品質が高い窒化物結晶基板の製造方法の提供。【解決手段】下地基板を準備する工程S100と、ハイドライド気相成長法により、下地基板の上方に、マンガンを含むIII族窒化物半導体の単結晶からなる結晶層をエピタキシャル成長させる工程S200と、を有し、結晶層をエピタキシャル成長させる工程S200では、石英からなるガス生成容器内に、塩化水素ガスに対して耐性を有する介在部を介してマンガンを収容し、石英に対するマンガンの直接接触を抑制した状態で、ガス生成容器内に塩化水素ガスを導入し、塩化マンガンガスを生成させ、結晶層中にマンガンを添加する。【選択図】図1

6. 发明专利

JP2021107325A n型シリコン単結晶のインゴット、シリコンウェーハ、およびエピタキシャルシリコンウェーハ审中-公开
公开(公告)号：JP2021107325A
公开(公告)日：2021-07-29
申请号：JP2021077913
申请日：2021-04-30
申请人：株式会社SUMCO
发明人：前川浩一 , 鳴嶋康人 , 川上泰史 , 小川福生 , 木原亜由美
IPC分类号： C30B15/00 , C30B25/20 , C30B29/06
摘要：【課題】従来にはない、直径300mmという大径であり、かつ低抵抗率のn型シリコン単結晶のインゴットを提供する。【解決手段】赤リンを主たるドーパントとして含み、シリコン単結晶の直胴部開始位置の電気抵抗率が1.2mΩcm以上、1.7mΩcm以下であり、シリコン単結晶の直胴部最後部の電気抵抗率が0.8mΩcm以上、1.0mΩcm以下である直径300mmウェーハ用のn型シリコン単結晶のインゴット。【選択図】図2

7. 发明专利

JP6906205B2 半導体積層物の製造方法および窒化物結晶基板の製造方法有权
公开(公告)号：JP6906205B2
公开(公告)日：2021-07-21
申请号：JP2017149346
申请日：2017-08-01
申请人：株式会社サイオクス , 住友化学株式会社 , 国立大学法人大阪大学
发明人：吉田丈洋 , 柴田真佐知 , 北村寿朗 , 森勇介 , 吉村政志 , 今出完 , 今西正幸
IPC分类号： C30B29/38 , C30B25/20 , C30B25/16 , C23C16/34 , C23C16/02 , H01L21/302 , H01L21/208 , H01L21/205

8. 发明专利

JPWO2019216024A1 炭化珪素エピタキシャル基板および炭化珪素半導体装置の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JPWO2019216024A1
公开(公告)日：2021-06-10
申请号：JP2019010725
申请日：2019-03-15
申请人：住友電気工業株式会社
发明人：宮瀬貴也 , 堀勉
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/12 , H01L29/739 , C30B25/20 , C30B29/62 , C23C16/42 , H01L21/205 , H01L21/20
摘要：炭化珪素エピタキシャル基板は、炭化珪素基板と、炭化珪素エピタキシャル膜と、複合欠陥とを有している。複合欠陥は、拡張欠陥と、基底面転位とを含んでいる。拡張欠陥は、炭化珪素基板と炭化珪素エピタキシャル膜との境界に位置する起点から方向に延在する第1領域と、方向に沿って延在する第2領域とを有している。方向における第1領域の幅は、起点から第2領域に向かうにつれて拡がっている。基底面転位は、起点に連なりかつ方向に沿って延在する第3領域と、方向に対して交差する方向に沿って延在する第4領域とを有している。主表面の面積を第1面積とし、複合欠陥に外接する四角形の面積を第2面積とした場合、第2面積を第1面積で除した値は、0.001以下である。

9. 发明专利

JP2021512219A 合成ダイヤモンド材料审中-公开
公开(公告)号：JP2021512219A
公开(公告)日：2021-05-13
申请号：JP2020540794
申请日：2019-01-24
申请人：エレメントシックステクノロジーズリミテッド
发明人：マーカムマシューリー , エドモンズアンドリューマーク
IPC分类号： C30B29/04 , C30B25/04 , C30B25/20 , C23C16/04 , C01B32/26 , G01R33/24 , C23C16/27
摘要：合成ダイヤモンド材料は、表面を含み、表面は、第1の量子スピン欠陥濃度を含む、第1の表面領域を含む。第2の表面領域は、所定の範囲を有し、第1の表面領域に隣接して配置され、第2の領域は、第2の量子スピン欠陥濃度を含む。第1の量子スピン欠陥濃度は、第2の量子スピン欠陥濃度よりも少なくとも10倍高く、第1の表面領域または第2の表面領域のうちの少なくとも一方は、化学蒸着、CVD、合成ダイヤモンドを含む。合成ダイヤモンド材料を製造する方法も開示される。

10. 发明专利

JP6867221B2 エピタキシャル成長装置及びエピタキシャル成長方法有权
公开(公告)号：JP6867221B2
公开(公告)日：2021-04-28
申请号：JP2017088986
申请日：2017-04-27
申请人：大陽日酸株式会社 , 株式会社CUSIC , 株式会社ビッグ・ツリー
发明人：鈴木克昌 , 宮澤譲 , 長澤弘幸
IPC分类号： H01L21/3065 , C23C16/42 , C23C16/02 , C30B29/36 , C30B25/20 , H01L21/205

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