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1. 发明专利

JPWO2020049955A1 薬液、基板の処理方法审中-公开
公开(公告)号：JPWO2020049955A1
公开(公告)日：2021-08-26
申请号：JP2019031627
申请日：2019-08-09
申请人：富士フイルム株式会社
发明人：杉村宣明 , 高橋智威 , 関裕之
IPC分类号： H01L21/304 , C23F1/16 , C23F1/32 , H01L21/306
摘要：本発明は、遷移金属含有物に対する優れた溶解能を有し、かつ、被処理部の優れた平滑性を実現できる薬液を提供する。また、本発明は、基板の処理方法を提供する。本発明の薬液は、基板上の遷移金属含有物を除去するために用いられ、次亜塩素酸及びその塩からなる群から選択される1種以上の次亜塩素酸類と、ClO 3 − 、及び、Cl − からなる群から選択される1種以上の特定アニオンと、を含有する。薬液が1種の特定アニオンを含有する場合、1種の特定アニオンの含有量が、薬液の全質量に対して5質量ppb〜1質量%である。薬液が2種の特定アニオンを含有する場合、2種の特定アニオンの含有量が、それぞれ薬液の全質量に対して1質量%以下であり、2種の特定アニオンのうちの少なくとも1種の含有量が、薬液の全質量に対して5質量ppb以上である。

2. 发明专利

JP6773434B2 金属箔、金属箔の製造方法および蓄電デバイス用集電体有权
公开(公告)号：JP6773434B2
公开(公告)日：2020-10-21
申请号：JP2016071171
申请日：2016-03-31
申请人：富士フイルム株式会社
发明人：松浦睦 , 川口順二 , 小沢佑介 , 澤田宏和
IPC分类号： H01G11/68 , H01G11/70 , C25F3/00 , C23F1/32 , C23G1/02 , H01M4/66

3. 发明专利

JP2013064180A Method for removal of hard coating film in superhard material, and method for production of the superhard material 审中-公开
标题翻译：用于去除超硬材料中的硬涂层膜的方法以及用于生产超硬材料的方法
公开(公告)号：JP2013064180A
公开(公告)日：2013-04-11
申请号：JP2011203467
申请日：2011-09-16
申请人： Shinryo Corp , 株式会社新菱
发明人： NISHIO DAISUKE , SAWAI TAKESHI
IPC分类号： C23F1/00 , C09D9/00 , C23F1/32
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for removal of a hard coating film in a superhard material, which can selectively remove the hard coating film provided on the surface of the superhard material such as superhard tools or dice and can minimize the deterioration of a superhard base material.SOLUTION: The superhard base material is produced by sintering superhard alloy particles each comprising a carbide of at least one element selected from the group consisting of group 4, 5 and 6 elements with a binder metal comprising at least one element selected from the group consisting of Fe, Co, Cu and Ni or an alloy containing those elements. The superhard material is produced by coating the superhard base material with a hard coating film containing a nitride, carbide, carbonitride, oxide or boride of at least one element selected from the group consisting of group 4, 5, 6, 13 and 14 elements (excluding carbon). The method for removal of the hard coating film includes bringing the superhard material into contact with an alkaline solution in a treatment container for removing the hard coating film. The film is removed by disposing the superhard base material together with a metal acting on the superhard base material as a sacrificial anode in the alkaline solution in a state of contacting the metal with the superhard base material.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种去除超硬材料中的硬涂层的方法，该超硬材料可以选择性地去除设置在超硬材料的表面上的硬涂层，例如超硬工具或骰子，并且可以最小化超硬基材的变质。解决方案：超硬母材是通过烧结超硬合金粒子制成的，所述超硬合金粒子包含选自组4,5,6的元素中的至少一种元素的碳化物，所述粘合剂金属包含至少一种选自由Fe，Co，Cu和Ni组成的组或含有这些元素的合金。通过用含有选自组4,5,6,13和14元素中的至少一种元素的氮化物，碳化物，碳氮化物，氧化物或硼化物的硬涂层涂覆超硬基材来制造超硬材料（不含碳）。去除硬涂膜的方法包括使超硬材料与用于除去硬涂膜的处理容器中的碱溶液接触。通过在与金属与超硬基材接触的状态下，将超硬基材与作为牺牲阳极的金属作为牺牲阳极一起配置在超硬母材上与碱金属溶液中配置。版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

4. 发明专利

JP2006344641A ANISOTROPIC ETCHING METHOD FOR SILICON SUBSTRATE AND METHOD OF MANUFACTURING INK JET RECORDING HEAD 审中-公开
公开(公告)号：JP2006344641A
公开(公告)日：2006-12-21
申请号：JP2005166721
申请日：2005-06-07
申请人： CANON KK
发明人： YAMAMURO JUN , KOYAMA SHUJI , FUJII KENJI , NAGATA SHINGO
IPC分类号： H01L21/306 , B41J2/16 , B81C1/00 , C23F1/32
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of suppressing variations in the opening width of a structural body by stabilizing the etching rate of anisotropic etching, when the silicon substrate is etched anisotropically in an etching tank so as to form a structural body, and to provide a method of manufacturing an ink-jet recording head having appropriate discharging characteristics. SOLUTION: Potential difference of an etching liquid existing in an etching tank 2, that is measured by a PH electrode 10, is made constant by control operation. In addition, the method is used to form the ink supply port of the ink-jet recording head. COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

5. 发明专利

JP2006324452A SURFACE-TREATING AGENT FOR SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND TREATING METHOD 审中-公开
公开(公告)号：JP2006324452A
公开(公告)日：2006-11-30
申请号：JP2005146180
申请日：2005-05-19
申请人： WAKO PURE CHEM IND LTD
发明人： KATO TAKEHISA , KAKIZAWA MASAHIKO , HAYASHIDA KAZUYOSHI
IPC分类号： H01L21/306 , C09K13/02 , C23F1/32 , H01L21/304
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an agent for treating the surface of a semiconductor substrate and a method for treating the surface of the semiconductor substrate, especially an etching agent and an etching method for the semiconductor substrate by which contamination of metal impurities in the semiconductor substrate can be suppressed. SOLUTION: (1) The surface treating agent for the semiconductor substrate includes an amino polycarboxylic acid base chelating agent or its inorganic salt and alkaline metal hydroxide of 20% (W/W) or more. (2) The etching agent for the semiconductor substrate includes an amino polycarboxylic acid base chelating agent or its inorganic salt and alkaline metal hydroxide of 20% (W/W) or more. (3) In the method for treating the surface of the semiconductor substrate, the semiconductor substrate is treated by the treating agent described in (1). (4) In the method for etching the semiconductor, the semiconductor substrate is etched by the etching agent described in (2). COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

6. 发明专利

JP3500814B2 Etching apparatus and method for a semiconductor wafer 失效
公开(公告)号：JP3500814B2
公开(公告)日：2004-02-23
申请号：JP31814395
申请日：1995-12-06
申请人：株式会社デンソー
发明人：基樹伊藤 , 敦資坂井田 , 浩田中 , 吉次阿部
IPC分类号： C23F1/08 , C23F1/32 , H01L21/306

7. 发明专利

JPH07100875B2 失效
公开(公告)号：JPH07100875B2
公开(公告)日：1995-11-01
申请号：JP13978884
申请日：1984-07-07
IPC分类号： C25F7/02 , C23F1/32 , C23F1/34 , C23F1/46

8. 发明专利

JPH0649649A PRETREATING SOLUTION FOR ELECTROLESS PLATING 失效
公开(公告)号：JPH0649649A
公开(公告)日：1994-02-22
申请号：JP22194192
申请日：1992-07-28
申请人： SHINKO ELECTRIC IND CO
发明人： NAKAZAWA MASAO , WAKABAYASHI SHINICHI
IPC分类号： C23C18/18 , C23F1/32
摘要： PURPOSE:To clean and activate a surface to be electroless-plated and to form an electroless plating film excellent in adhesiveness by treating the acid-treated surface with a pretreating soln. contg. an alkali cyanide, reducing agent, its stabilizer, pH regulator and surfactant. CONSTITUTION:When the surface of a nonconductive material is electroless- plated with Ni, etc., the surface to be plated is treated with acid, cleaned and activated, the smut generated in the acid treatment is removed, and the material is electroless-plated. An aq. soln. contg. an alkali cyanide, a hypophosphite, a borohydride, etc., as the smut reducing agent, an aliphatic carboxylic acid, a Tl compd., etc., as the reducing agent stabilizer, phosphoric acid and citric acid or their salts, polyethylene glycol, etc., as the surfactant, etc., is used as the smut removing pretreating soln. Since the oxides such as smut are removed and the substrate is etched with the alkali cyanide, the surface to be treated is sufficiently activated, and a uniform electroless-plating layer excellent in adhesiveness is formed.

9. 发明专利

JPS6052600A ETCHING SOLUTION CONTAINING AMMONIUM SULFATE AND ITS REGENERATION 失效
公开(公告)号：JPS6052600A
公开(公告)日：1985-03-25
申请号：JP13978884
申请日：1984-07-07
申请人： KERNFORSCHUNGSANLAGE JUELICH
发明人： REANDERU FUYURUSUTO , UARUTERU HORUTSUERU , BERUTERU KASUTENINGU
IPC分类号： C25F7/02 , C23F1/32 , C23F1/34 , C23F1/46

10. 发明专利

JP2018121056A タングステン及びGST膜のためのエッチング溶液审中-公开
公开(公告)号：JP2018121056A
公开(公告)日：2018-08-02
申请号：JP2018008709
申请日：2018-01-23
申请人：バーサムマテリアルズユーエス,リミティドライアビリティカンパニー
发明人：リウダーウェン , ライションスン , リーイー−チア , ティエンニウチェン , ガングクリスハン−アデベクン
IPC分类号： C23F1/32 , H01L21/8239 , H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00 , H01L21/28 , H01L21/308
CPC分类号： C23F1/38 , C23F1/40 , H01L45/06 , H01L45/144 , H01L45/1675
摘要：【課題】タングステン系及びGST系金属について優れた選択的エッチング特性を持つエッチング溶液を提供する。【解決手段】本明細書で説明されるのは、タングステン含有金属及びGST金属の両方に適したエッチング溶液であって、水と;少なくとも2つのヒドロキシル基を有する少なくとも1つのフェノール誘導体化合物と;(i)4級塩基、(ii)有機アミン、並びに(iii)金属水酸化物からなる群より選択される少なくとも1つの強塩基と;任意選択で、有機酸のアンモニウム塩と;任意選択で水混和性溶媒とを含み、pHが10以上であり、エッチング溶液が過酸化物酸化剤及び金属イオン含有酸化剤を実質的に含まない、エッチング溶液である。【選択図】なし

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