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1. 发明专利

JP2016215159A 半導体光触媒膜および酸化還元反応装置有权
标题翻译：半导体光催化剂膜和氧化还原反应器
公开(公告)号：JP2016215159A
公开(公告)日：2016-12-22
申请号：JP2015104978
申请日：2015-05-22
申请人：日本電信電話株式会社
发明人：小野陽子 , 小松武志 , 谷保芳孝 , 渦巻裕也 , 中村二朗
IPC分类号： B01J27/24 , C01B3/04 , C01B13/02 , C01B31/18 , B01J35/02
摘要：【課題】電極を形成せずに簡素な系で効率的な電荷分離を実現できる光触媒の半導体光触媒膜及び酸化還元反応装置の提供。【解決手段】基板101と、基板101上に形成された第1の半導体薄膜102と、第1の半導体薄膜102の上面において一方向に渡って各々が平行に堆積される複数の山型半導体構造であって、第1の半導体薄膜102と同一の材料であり、一方向に対して垂直方向の断面が多角形である、山型半導体構造103−1〜Nと、山型半導体構造の、上面に接する第1の斜面に形成された金属薄膜104−1〜Nと、山型半導体構造の、上面に接する斜面であって、第1の斜面とは異なる第2の斜面に形成された第2の半導体薄膜105−1〜Nであって、水溶液302中において表面に光303が照射される、第2の半導体薄膜105−1〜Nと、を備える半導体光触媒膜100。【選択図】図3
摘要翻译：提供一种半导体光催化剂膜和氧化还原反应器光催化剂电极可以实现以简单的系统中的高效的电荷分离而没有形成。和基板101，第一半导体薄膜102，多个山形半导体结构的，每过一个方式被沉积在平行于形成在衬底101上的第一半导体膜102的上表面一个是，相同的材料作为第一半导体薄膜102，相对于一多边形的垂直横截面，以沿一个方向，和山 - 半导体结构103-1〜N，山型半导体结构，所述上表面金属薄膜104-1〜n的形成为与接触的第一倾斜表面上，山形的半导体结构，斜率，其与所述上表面接触，所述第二至形成在不同的第二斜率与第一倾斜面的半导体薄膜105-1〜N，在水溶液中302中的表面上的光303被照射时，具有第二半导体薄膜105-1〜N，在半导体光催化剂膜100。点域

2. 发明专利

JP2015155356A マイクロ波非平衡プラズマによる二酸化炭素の分解方法有权
标题翻译：二氧化碳分解法微波非平衡等离子体
公开(公告)号：JP2015155356A
公开(公告)日：2015-08-27
申请号：JP2014030235
申请日：2014-02-20
申请人：愛知電機株式会社
发明人：城康彰
IPC分类号： B01J19/08 , C01B31/20 , H05H1/46 , C01B31/18
CPC分类号： Y02A50/2342
摘要：【課題】触媒やガス化剤を使用することなく、二酸化炭素を高分解率で一酸化炭素に転化することのできる方法を提供する。【解決手段】真空ポンプ5によって減圧した反応管4内に、供給管3を通して二酸化炭素単体を供給する。反応管4内に供給した二酸化炭素にマイクロ波発振器1からマイクロ波を照射し、プラズマ形成部Xにおいて二酸化炭素を電離する。この結果、二酸化炭素は酸素と一酸化炭素に分解される。【選択図】図1

3. 发明专利

JP2015505292A 二酸化炭素の一酸化炭素への変換方法及び装置有权
标题翻译：转换方法和成二氧化碳的一氧化碳的装置
公开(公告)号：JP2015505292A
公开(公告)日：2015-02-19
申请号：JP2014547762
申请日：2012-12-20
申请人：ツェーツェーペーテヒノロジーゲーエムベーハー , ツェーツェーペーテヒノロジーゲーエムベーハー
发明人：キュール、オラフ
IPC分类号： C01B31/18 , C01B3/26 , C01B3/56
CPC分类号： C01B31/18 , B01J19/0013 , B01J19/126 , B01J19/245 , B01J2219/00051 , B01J2219/0898 , B01J2219/1206 , B01J2219/24 , C01B3/24 , C01B32/05 , C01B32/40 , C01B2203/0255 , C01B2203/0272 , C01B2203/062 , C01B2203/0833 , C01B2203/0861 , C01B2203/1235 , C07C1/041 , C07C1/0485 , C10G2/32 , C10G2/34 , C10G2400/04 , C10G2400/08 , C10J3/00 , C10J2300/094 , C10J2300/0943 , C10J2300/0973 , C10J2300/1659 , C10J2300/1884 , C10K3/06
摘要：炭化水素を用いて二酸化炭素CO2を一酸化炭素COに変換する方法及び装置である。詳細には、CO2と炭化水素を用いて、合成ガスを生成する方法と装置及び合成ガスを官能基を有する及び/又は官能基を有さない合成炭化水素に変換する方法と装置である。この方法と装置によって、工業的プロセスから排出されたCO2を変換し、大気中に放出された二酸化炭素の量を削減することができる。
摘要翻译：一种用于通过使用烃二氧化碳CO2转化成一氧化碳CO的方法和装置。特别地，使用CO 2和烃类，它是一种方法和装置和合成气转化成合成烃具有具有生成合成气的官能团没有和/或官能团的装置和方法。这种方法和设备从工业生产过程中排出的CO 2进行转换，所以能够减少释放到大气中的二氧化碳的量。

4. 发明专利

JP4965373B2 A method for manufacturing a carbon nanotube 有权
公开(公告)号：JP4965373B2
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：JP2007198267
申请日：2007-07-31
申请人：株式会社アルバック
发明人：美尚中野 , 尚希塚原 , 山口　　広一 , 村上　　裕彦 , 阿川　　義昭
IPC分类号： C01B31/02 , B01J23/75 , B01J37/02 , B01J37/34 , C01B31/18
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of preparing a carbon nanotube in which a carbon nanotube can be properly grown in a via hole having an opening diameter of 1 μm or less. SOLUTION: The method of preparing a carbon nanotube uses a coaxial vacuum arc vapor deposition source 13 comprising a cylindrical anode electrode 21, a cathode electrode 22 which is arranged in the anode electrode and has a deposition material 22A, and a trigger electrode 23 which is arranged in the anode electrode apart from the cathode electrode. The method comprises a first step of using a metal material for composing a catalyst layer of the carbon nanotube as the deposition material 22A to vapor-deposit particulates of the metal material on the surface of a substrate and a second step of using a carbon-based material as a vapor-deposition material to vapor-deposit the carbon-based material on the catalyst layer to grow the carbon nanotube. COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

5. 发明专利

JP4502096B2 Method for regenerating strongly basic anion exchange resin 有权
公开(公告)号：JP4502096B2
公开(公告)日：2010-07-14
申请号：JP2000299436
申请日：2000-09-29
申请人：三菱瓦斯化学株式会社
发明人：賢司中村 , 秀司江端 , 太志生駒 , 幹男米岡
IPC分类号： B01J31/40 , C01B31/18 , B01J49/00
CPC分类号： Y02P20/584

6. 发明专利

JP3830247B2 Bromine impregnated activated carbon and a method of manufacturing the same 失效
公开(公告)号：JP3830247B2
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：JP29744097
申请日：1997-10-29
申请人：日本エンバイロケミカルズ株式会社
发明人：剛吉留 , 小林　　隆 , 輝男福井
IPC分类号： B01D53/48 , B01J20/20 , C01B31/08 , C01B31/18

7. 发明专利

JP2004284946A Method of producing synthetic gas 审中-公开
公开(公告)号：JP2004284946A
公开(公告)日：2004-10-14
申请号：JP2004061446
申请日：2004-03-04
申请人： Jfe Holdings Inc , ジェイエフイーホールディングス株式会社
发明人： OKUYAMA KEIICHI , OGAWA TAKASHI , AOKI SEIJI , KOBAYASHI NOBUAKI , SUZUKI KAZUMICHI
IPC分类号： C01B3/38 , C01B32/40 , C01B31/18
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To lower the temperature of the top of a furnace used in producing a synthetic gas.
SOLUTION: In a method of producing a synthetic gas containing carbon monoxide and hydrogen using a fuel gas and an oxidizing agent as raw materials in the presence of a catalyst, a part of the produced synthetic gas is supplied as a part of the raw materials in producing the synthetic gas.
COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

8. 发明专利

JP2004002186A Gas recovery method 审中-公开
公开(公告)号：JP2004002186A
公开(公告)日：2004-01-08
申请号：JP2003128731
申请日：2003-05-07
申请人： Boc Group Inc:The , ザ・ビーオーシー・グループ・インコーポレーテッドThe Boc Group Incorporated
发明人： NARASIMHAN NATARAJAN , RAMACHANDRAN RAMAKRISHNAN , TAMHAUKAR SATISH S , JIANG WEIBIN
IPC分类号： C01B3/36 , B01D53/047 , B01D53/86 , B01J19/24 , B01J23/46 , B01J23/63 , C01B3/38 , C01B3/48 , C01B3/56 , C01B32/40 , C01B32/50 , C01B31/18 , C01B31/20
CPC分类号： C01B3/382 , B01D53/047 , B01D53/86 , B01D2253/102 , B01D2253/108 , B01D2256/16 , B01D2257/504 , B01D2257/7025 , B01D2259/40001 , C01B3/386 , C01B3/48 , C01B3/56 , C01B2203/0233 , C01B2203/0261 , C01B2203/0283 , C01B2203/043 , C01B2203/0435 , C01B2203/0465 , C01B2203/047 , C01B2203/0475 , C01B2203/048 , C01B2203/0877 , C01B2203/1023 , C01B2203/1064 , C01B2203/1082 , C01B2203/1205 , C01B2203/1241 , C01B2203/142 , C01B2203/146 , C01B2203/147 , C01B2203/148 , Y02C10/08 , Y02C20/20 , Y02P20/123 , Y02P20/152 , Y02P20/156 , Y02P20/52 , Y02P20/57
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an improved method for recovering hydrogen and carbon monoxide from a hydrocarbon conversion process waste gas stream. SOLUTION: A reaction product is supplied to Pressure Swing Adsorption unit C via a sifting reactor from a hydrocarbon conversion reactor A and hydrogen is separated from the gas stream. The waste gas from the PSA unit C is sent to a monolithic reactor G through a residual waste gas holder E and a waste gas supply compressor F. An oxygen-containing gas stream is sent to the monolithic reactor G. The gas which comprises hydrogen, carbon monoxide and carbon dioxide exits from the monolithic reactor G and is sent to a carbon monoxide recovery unit J through a quench or heat recovery means H and a product waste gas compressor I, and carbon monoxide is separated from the waste gas stream. COPYRIGHT: (C)2004,JPO

9. 发明专利

JP2003268389A METHOD FOR GASIFICATION OF SULFUR-CONTAINING CARBONACEOUS MATERIAL OR SULFUR-CONTAINING HYDROCARBON 审中-公开
公开(公告)号：JP2003268389A
公开(公告)日：2003-09-25
申请号：JP2002070712
申请日：2002-03-14
申请人： NITTETSU GIJUTSU JOHO CT KK
发明人： TAMURA SHINICHI , KATAYAMA TSUTOMU , SHIMOMURA YASUHITO
IPC分类号： C01B3/34 , C01B32/40 , C10J3/00 , C10J3/57 , C01B31/18
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for gasification a raw material comprising a sulfur-containing carbonaceous material, a sulfur-containing hydrocarbon or a waste material thereof to convert efficiently it into a useful gas for recycling without using a complicated desulfurization step. SOLUTION: The method for gasification comprises treating the raw material containing one or more of sulfur-containing carbonaceous materials, or sulfur- containing hydrocarbons in a high-temperature metal bath containing 50% or more copper and less than 50% iron to effect decomposition and gasification and to fix sulfur in the metal bath, thus forming a carbon monoxide/hydrogen mixture gas, a hydrogen rich gas, or a carbon monoxide rich gas which contains no sulfur compound. COPYRIGHT: (C)2003,JPO

10. 发明专利

JP3447091B2 失效
公开(公告)号：JP3447091B2
公开(公告)日：2003-09-16
申请号：JP30945893
申请日：1993-12-09
IPC分类号： C01B3/02 , C01B32/40 , C10K3/00 , C01B31/18

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