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    • 8. 发明专利
    • 導電膜形成用組成物及びこれを用いる導電膜の製造方法
    • 导电膜形成组合物及使用其制造导电膜的方法
    • JP2016160453A
    • 2016-09-05
    • JP2015038100
    • 2015-02-27
    • 富士フイルム株式会社
    • 加賀 洋史
    • H01B1/20H01B1/00H05K1/09C23C18/08
    • 【課題】導電性に優れ、クラックを発生しにくい導電膜を低温で短時間に形成することができる導電膜形成用組成物、これを用いる導電膜の製造方法の提供。 【解決手段】酸化第二銅ナノ粒子Aとアルコール化合物とを含有する、導電膜形成用組成物であって、酸化第二銅ナノ粒子Aが酸化第二銅ナノ粒子a1と酸化第二銅ナノ粒子a2とを含み、酸化第二銅ナノ粒子a1の1次粒子の長径が30nm未満であり、酸化第二銅ナノ粒子a2の1次粒子の長径が30nm以上であり、かつ、酸化第二銅ナノ粒子a2の1次粒子のアスペクト比が2以上であり、酸化第二銅ナノ粒子a1の含有量が酸化第二銅ナノ粒子Aに対して30質量%を超える量である、導電膜形成用組成物、及び、これを用いる導電膜の製造方法。 【選択図】なし
    • 要解决的问题:提供一种能够在短时间内形成导电性优异且不易在低温下产生裂纹的导电膜的导电膜形成组合物,以及使用其的导电膜的制造方法。 导电膜形成组合物包括氧化铜纳米颗粒A和醇化合物。 氧化铜纳米粒子A包括氧化铜纳米粒子a1和氧化铜纳米粒子a2。 氧化铜纳米粒子a1的一次粒子长轴小于30nm,氧化铜纳米粒子a2的一次粒子的长轴为30nm以上。 氧化铜纳米粒子a2的一次粒子的纵横比为2以上,氧化铜纳米粒子a1的含量相对于氧化铜纳米粒子A为30质量%以上。导电膜的制造方法 使用导电膜形成组成。选择图:无
    • 9. 发明专利
    • 銅膜形成用組成物及び銅膜の製造方法
    • 铜膜形成的组合物和铜膜的生产方法
    • JP2016138297A
    • 2016-08-04
    • JP2015012556
    • 2015-01-26
    • 新日鉄住金化学株式会社
    • 藤城 光一吉岡 敬裕山本 義成
    • C23C18/08
    • 【課題】保存安定性及び塗布性能に優れ、低温で導電性に優れた銅膜に転化できる銅膜形成用組成物を提供する。 【解決手段】銅膜形成用組成物は、(A)ギ酸銅又はその水和物、(B1)モノアミン化合物及び(B2)ジアミン化合物を原料とし、無水物換算で成分Aの1モル部に対して、成分B1及び成分B2の合計量を2.05モル部〜10モル部の範囲内、かつ、成分B1及び成分B2の合計モル量に対する前記B2成分のモル比{B2/(B1+B2)}を0.03〜0.40の範囲内として混合し、80℃以下で反応させてなる。 【選択図】なし
    • 要解决的问题:提供可转化成具有优异的储存稳定性和涂布性能的铜膜的组合物,并且在低温下导电性优异。解决方案:用于铜膜形成的组合物使用(A)甲酸铜或 其水合物,(B1)单胺化合物和(B2)二胺化合物作为原料,通过将组分B1和组分B2的总量在无机酸中以2.05ppm的范围混合而形成。 摩尔到10点。 mol与1 pt。 摩尔组分A,组分B2的摩尔比{B2 /(B1 + B2)}与组分B1和组分B2的总摩尔量在0.03-0.40的范围内,并且通过产生反应 在80°C或更低。选择图:无