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1. 发明专利

JP6328221B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP6328221B2
公开(公告)日：2018-05-23
申请号：JP2016254982
申请日：2016-12-28
申请人：三菱電機株式会社
发明人：飛田洋一
IPC分类号： H01L27/04 , H01L29/786 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L21/822
CPC分类号： G09G3/3611 , G09G3/3677 , G09G2310/0267 , G11C19/28 , G11C27/04 , H01L29/78666 , H01L29/7869 , H01L29/94

2. 发明专利

JP2016142880A 表示装置审中-公开
标题翻译：显示设备
公开(公告)号：JP2016142880A
公开(公告)日：2016-08-08
申请号：JP2015017940
申请日：2015-01-30
申请人：株式会社ジャパンディスプレイ
发明人：勝田忠義 , 小出元
IPC分类号： G02F1/1368 , G02F1/133 , G06F3/041 , G09G3/36 , G09G3/20 , G09F9/30
CPC分类号： G06F3/0416 , G02F1/13338 , G02F1/134309 , G02F1/13452 , G02F1/136286 , G06F3/0412 , G06F3/044 , G09G3/3611 , G09G3/3674 , G09G3/3696 , H01L27/0296 , H01L27/1222 , H01L27/124 , H01L29/78666 , H01L29/78675 , G02F1/133514 , G02F1/133528 , G02F1/1368 , G02F2001/136222 , G02F2201/123 , G06F2203/04102 , G09G2300/0426 , G09G2300/0439 , G09G2300/08 , G09G2300/0876 , G09G2310/0281 , G09G2310/0291 , G09G2330/04
摘要：【課題】表示領域に対して、走査信号線が延在する方向における一方の側に配置される領域の面積を縮小する。【解決手段】表示装置は、部分回路CP1と、複数の走査信号線GL1と、部分回路CP1と複数の走査信号線GL1の各々とをそれぞれ接続する複数の走査信号接続配線GC1と、を有する。複数の走査信号線GL1は、X軸方向にそれぞれ延在し、かつ、Y軸方向にピッチPL11で配列されている。複数の走査信号接続配線GC1の各々にそれぞれ含まれる複数の端部EP1は、部分回路CP1とそれぞれ接続され、かつ、Y軸方向に配列されている。互いに隣り合う2つの端部EP1の中心同士のY軸方向における間隔は、ピッチPL11よりも狭い。【選択図】図9
摘要翻译：要解决的问题：相对于显示区域，减少要布置在扫描信号线延伸的方向上的一侧的区域的面积。解决方案：一种显示装置，包括：部分电路CP1; 多条扫描信号线GL1; 以及分别将部分电路CP1连接到多条扫描信号线GL1中的每一条的多条扫描信号线连接布线GC1。多个扫描信号线GL1分别在X轴方向上延伸，并且以Y轴方向的间距PL11排列。多个扫描信号线连接配线GC1中的多个端部EP1分别与部分电路CP1连接，并且沿Y轴方向排列。相邻的两个端部EP1的中心在Y轴方向上的间隔比间距PL11窄。选择的图：图9

3. 发明专利

JP2016092413A 撮像装置および電子機器审中-公开
标题翻译：成像设备和电子设备
公开(公告)号：JP2016092413A
公开(公告)日：2016-05-23
申请号：JP2015211421
申请日：2015-10-28
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所
发明人：黒川義元
IPC分类号： H01L29/786 , H04N5/369 , H04N101/00 , H01L27/146
CPC分类号： H01L29/78654 , H01L27/14625 , H01L27/14632 , H01L27/1464 , H01L27/14641 , H01L27/14643 , H01L27/14669 , H01L29/78666 , H01L29/78675 , H01L29/7869
摘要：【課題】レンズを必要としない撮像装置を提供する。【解決手段】第1の層と、第2の層と、第3の層と、を有する撮像装置であって、第2の層は、第1の層と第3の層との間に設けられ、第1の層は、回折格子を有し、第2の層は、光電変換素子を有し、第3の層は、活性層に酸化物半導体を有するトランジスタを有する構成とする。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供没有透镜的成像装置。解决方案：成像装置包括第一层，第二层和第三层。第二层设置在第一层和第三层之间。第一层包括衍射光栅，第二层包括光电转换装置，第三层包括在有源层中具有氧化物半导体的晶体管。选择的图：图1

4. 发明专利

JP2016511536A 液体前駆体を用いたサブミクロン構造の製造审中-公开
标题翻译：使用液体前体的亚微米结构体的制造
公开(公告)号：JP2016511536A
公开(公告)日：2016-04-14
申请号：JP2015555121
申请日：2014-01-28
申请人：テッヒニーシェ・ユニフェルジテイト・デルフトTechnische Universiteit Delft , テッヒニーシェ・ユニフェルジテイト・デルフトTechnische Universiteit Delft
发明人：良一石原 , 良一石原 , ミヒール・ファン・デル・ズワン , ミキ・トリフノヴィッチ
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/208 , H01L21/28 , H01L21/288 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/786
CPC分类号： H01L29/66757 , B82Y30/00 , H01L21/02532 , H01L21/02623 , H01L21/02656 , H01L21/02664 , H01L21/2686 , H01L21/324 , H01L27/1218 , H01L27/1222 , H01L27/1292 , H01L29/04 , H01L29/0669 , H01L29/16 , H01L29/78666 , H01L29/78675 , H01L29/78696
摘要：基板上でのサブミクロン半導体構造の製造方法が記載される。該方法は、少なくとも1つのテンプレート層を支持基板の上に形成するステップと、1つ以上のテンプレート構造、好ましくは1つ以上の凹部及び/又はメサを前記テンプレート層に形成するステップと、前記1つ以上のテンプレート構造は、前記テンプレート層の上面へまたは上面から延びる1つ以上のエッジを含み、前記1つ以上のテンプレート構造の少なくとも一部を、液体半導体前駆体、好ましくは液体シリコン前駆体でコーティングするステップと、前記液体半導体前駆体がコートされたテンプレート構造をアニール処理及び/又は露光するステップとを含み、前記アニール処理及び/又は露光の際、前記1つ以上のエッジの少なくとも一部に対する毛細管力によって、前記液体半導体前駆体の一部が堆積し、前記アニール処理及び/又は露光は、前記堆積した液体半導体前駆体を、前記1つ以上のエッジの少なくとも一部に沿って延びるサブミクロン半導体構造に転換する。
摘要翻译：描述了一种用于在衬底上制作亚微米半导体结构的方法。该方法包括形成在支撑基板上的至少一个模板层，一个或多个模板结构，优选形成模板层上的一个或多个凹部和/或凸台，的步骤，其中1 一个或多个模板结构包括延伸从顶部或模板层的顶部有一个或多个边缘，至少所述一个或多个模板结构的一部分，该液体半导体前体，优选在液态硅前体涂层的至液体半导体的工序，相对于前体涂覆的模板结构和退火和/或暴露的步骤中，退火处理和/或在曝光期间，至少所述一个或多个边缘的一部分通过毛细管力，其中该部分被沉积在液体半导体前体，退火和/或暴露在于所述沉积所述液体半导体前体，转化成亚微米半导体结构沿延伸的至少一个或更多个边缘的一部分。

5. 发明专利

JPWO2013147202A1 半導体積層体及びその製造方法、半導体デバイスの製造方法、半導体デバイス、ドーパント組成物、ドーパント注入層、並びにドープ層の形成方法有权
标题翻译：半导体层叠体及其制造方法，制造半导体装置，半导体装置，所述掺杂剂组合物，掺杂剂注入层的方法，和掺杂层的形成方法
公开(公告)号：JPWO2013147202A1
公开(公告)日：2015-12-14
申请号：JP2014508112
申请日：2013-03-29
申请人：帝人株式会社
发明人：哲也今村 , 哲也今村 , 由香富澤 , 由香富澤 , 池田　吉紀 , 吉紀池田
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/22 , H01L21/225 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L31/06
CPC分类号： H01L21/0257 , H01L21/02436 , H01L21/02532 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/0259 , H01L21/02601 , H01L21/02628 , H01L21/02694 , H01L21/2225 , H01L21/2254 , H01L21/2257 , H01L21/268 , H01L27/1292 , H01L29/66757 , H01L29/78666 , H01L29/78696 , H01L31/02167 , H01L31/068 , H01L31/0682 , H01L31/1804 , H01L31/1872 , H01L31/208
摘要：第1の本発明では、表面の凹凸が少なく、連続性の高いシリコン層が基材上に形成された半導体積層体の製造方法を提供する。基材10及び基材上の焼結シリコン粒子層5を有する半導体積層体を製造する第1の本発明の方法は、(a)分散媒及び分散媒中に分散しているシリコン粒子を含有するシリコン粒子分散体を、基材10上に塗布して、シリコン粒子分散体層1を形成する工程、(b)シリコン粒子分散体層1を乾燥して、未焼結シリコン粒子層2を形成する工程、(c)未焼結シリコン粒子層上に光透過性層3を積層する工程、及び(d)光透過性層3を通して未焼結シリコン粒子層2に光を照射して、未焼結シリコン粒子層2を構成するシリコン粒子を焼結させ、それによって焼結シリコン粒子層5を形成する工程を含む。
摘要翻译：在第一发明中，所述表面的凹凸小，提供一种制造具有在基板上形成高连续性的半导体堆叠硅层的方法。本发明的用于制造在衬底10上具有烧结硅粒子层5和基板包含分散在（a）中分散介质和分散介质的硅粒子的半导体叠层体的第一种方法硅颗粒分散液，涂覆在基板10上，形成了硅颗粒分散液层1中，并干燥（b）中硅颗粒分散液层1，以形成绿色硅颗粒床2 步骤，所述照射步骤中，和（d）是在绿色硅粒子光层2通过光透射层3被层压在未烧结的硅颗粒（c）层的透光层3，绿色构成硅颗粒层2中的硅颗粒被烧结，从而包括形成烧结硅颗粒床5的步骤。

6. 发明专利

JP5484109B2 Electro-optic device 有权
公开(公告)号：JP5484109B2
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：JP2010025162
申请日：2010-02-08
申请人：三菱電機株式会社
发明人：洋一飛田
IPC分类号： G09G3/36 , G02F1/133 , G09G3/20 , G11C19/28 , H03K17/04 , H03K17/687 , H03K19/0175
CPC分类号： G09G3/3611 , G09G3/3677 , G09G2310/0267 , G11C19/28 , G11C27/04 , H01L29/78666 , H01L29/7869 , H01L29/94

7. 发明专利

JP2011171053A Display device 有权
标题翻译：显示设备
公开(公告)号：JP2011171053A
公开(公告)日：2011-09-01
申请号：JP2010032439
申请日：2010-02-17
申请人： Hitachi Displays Ltd , Panasonic Liquid Crystal Display Co Ltd , パナソニック液晶ディスプレイ株式会社 , 株式会社日立ディスプレイズ
发明人： ASAI TARO , GOTO JUN , OUE EIJI , ASUMA HIROAKI , NAKAYASHIKI KATSUMI , KURITA MAKOTO
IPC分类号： H05B33/26 , G02F1/1368 , H01L21/28 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/52 , H01L29/417 , H01L29/786 , H01L51/50 , H05B33/04 , H05B33/10 , H05B33/12 , H05B33/22
CPC分类号： G02F1/13306 , G02F1/136227 , H01L27/1222 , H01L27/124 , H01L27/3248 , H01L27/3276 , H01L29/41733 , H01L29/78666 , H01L29/78675
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a display device having improved operation efficiency by reducing contact resistance in the through-hole of a source electrode connected to a TFT or a drain electrode. SOLUTION: In the through-hole, a source part of the TFT and the source electrode 8 are connected to each other. The source electrode 8 is formed with three layers of a barrier metal, an Al alloy 82, and a cap metal 83. The barrier metal is divided into a lower layer 81a contacting a semiconductor layer and an upper layer 81b contacting the Al alloy. After formed with sputtering, the lower layer 81a of the barrier metal is subjected to heat treatment. Then, the upper layer 81b of the barrier metal, the Al alloy 82 and the cap metal 83 are continuously formed with sputtering. Since the upper layer 81b of the barrier metal contacting the Al alloy 82 is not oxidized, an increase of the contact resistance in the through-hole can be prevented. COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT
摘要翻译：解决的问题：通过降低连接到TFT或漏电极的源电极的通孔中的接触电阻来提供具有改善的操作效率的显示装置。解决方案：在通孔中，TFT的源极部分和源极电极8彼此连接。源电极8由三层阻挡金属，Al合金82和帽金属83形成。阻挡金属被分成与半导体层接触的下层81a和与Al合金接触的上层81b。在溅射形成之后，对阻挡金属的下层81a进行热处理。然后，通过溅射连续地形成阻挡金属的上层81b，Al合金82和盖金属83。由于与Al合金82接触的阻挡金属的上层81b不被氧化，所以可以防止通孔中的接触电阻的增加。版权所有（C）2011，JPO＆INPIT

8. 发明专利

JP2006278358A Transistor, its fabrication process, and substrate for electrooptical device 审中-公开
标题翻译：晶体管，其制造工艺和电极器件的衬底
公开(公告)号：JP2006278358A
公开(公告)日：2006-10-12
申请号：JP2005090317
申请日：2005-03-28
申请人： Seiko Epson Corp , セイコーエプソン株式会社
发明人： SHIMADA HIROYUKI
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/786
CPC分类号： H01L29/78621 , H01L21/26586 , H01L29/66757 , H01L29/78666
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a transistor which can be scaled down while exhibiting sufficient breakdown voltage, and to provide its fabrication process and a substrate for electrooptical device.
SOLUTION: The transistor comprises an insulating substrate 10, a semiconductor film including a channel region 100 and source and drain regions 40a, 40b formed on the insulating substrate 10, and a gate electrode 32 provided on the channel region 100. The semiconductor film has lightly doped low concentration regions 70a and 70b between the channel region 100 and the source and drain regions 40a, 40b. The source and drain regions 40a, 40b include a high concentration region which is doped heavily as compared with the low concentration regions 70a and 70b. At least a part of the low concentration regions 70a and 70b is formed at least partially on the inner wall face of trenches 10a and 10b formed in the insulating substrate 10.
COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供可以在显示足够的击穿电压的同时按比例缩小的晶体管，并提供其制造工艺和用于电光器件的衬底。晶体管包括绝缘基板10，包括沟道区域100的半导体膜以及形成在绝缘基板10上的源极和漏极区域40a，40b以及设置在沟道区域100上的栅极32.半导体膜在沟道区域100和源极区域和漏极区域40a，40b之间具有轻掺杂的低浓度区域70a和70b。源极区域和漏极区域40a，40b包括与低浓度区域70a和70b相比被重掺杂的高浓度区域。至少部分低浓度区域70a和70b至少部分地形成在形成在绝缘基板10中的沟槽10a和10b的内壁面上。（C）2007，JPO＆INPIT

9. 发明专利

JP3556679B2 Electro-optic device 失效
公开(公告)号：JP3556679B2
公开(公告)日：2004-08-18
申请号：JP16430292
申请日：1992-05-29
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所
发明人：舜平山崎 , 保彦竹村
IPC分类号： G02F1/136 , G02F1/133 , G02F1/1362 , G02F1/1368 , G09F9/35 , H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/336 , H01L21/77 , H01L21/8242 , H01L21/8244 , H01L21/84 , H01L27/00 , H01L27/02 , H01L27/11 , H01L27/12 , H01L29/76 , H01L29/78 , H01L29/786 , H01L29/94 , H01L31/062 , H01L31/113 , H01L31/119
CPC分类号： H01L27/1214 , G02F1/13454 , G02F2001/136245 , H01L27/10873 , H01L29/78603 , H01L29/78609 , H01L29/78666 , H01L29/78675 , H01L29/78696
摘要： A circuit adapted to dynamically activate an electro-optical display device is constructed from a thin-film gate-insulated semiconductor device. This device comprises PMOS TFTs producing only a small amount of leakage current. Besides the dynamic circuit, a CMOS circuit comprising both NMOS and PMOS thin-film transistors is constructed to drive the dynamic circuit.

10. 发明专利

JPS6118178A Proximity-doped semiconductor device 失效
标题翻译：接近半导体器件
公开(公告)号：JPS6118178A
公开(公告)日：1986-01-27
申请号：JP14147885
申请日：1985-06-27
申请人： Energy Conversion Devices Inc
发明人： SUTANFUOODO AARU OBUJINSUKII , SABUHENDEYU GUUHA , MAIKERU JII HATSUKU , MAIKERU SHIYAA
IPC分类号： H01L29/812 , H01L21/338 , H01L27/06 , H01L27/08 , H01L27/092 , H01L29/16 , H01L29/26 , H01L29/43 , H01L29/51 , H01L29/739 , H01L29/778 , H01L29/78 , H01L29/786 , H01L29/861
CPC分类号： H01L29/78648 , H01L27/0688 , H01L27/092 , H01L29/1604 , H01L29/263 , H01L29/432 , H01L29/51 , H01L29/7391 , H01L29/778 , H01L29/7787 , H01L29/78642 , H01L29/78645 , H01L29/7866 , H01L29/78666 , H01L29/78684 , H01L29/861

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