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1. 发明专利

JP2018011387A 保護IC及び半導体集積回路审中-公开
公开(公告)号：JP2018011387A
公开(公告)日：2018-01-18
申请号：JP2016137099
申请日：2016-07-11
申请人：ミツミ電機株式会社 , アイティーエムセミコンダクターカンパニーリミテッド
发明人：安部修平 , ナヒョク−フィ , ファンホ−ソク , キムヨン−ソク , アンサン−ホン
IPC分类号： H02H7/18 , H01M10/44 , H01M10/48 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L27/06 , H02J7/00
CPC分类号： H02J7/0029 , H01L23/535 , H01L27/0266 , H01L27/0274 , H01L27/088 , H02J7/0031 , H02J2007/0037 , H02J2007/0039 , H02J2007/004 , H03K17/063 , H03K17/162 , H03K2217/0018 , H03K2217/0036
摘要：【課題】寄生トランジスタによるリーク電流を抑制すること。【解決手段】MOSトランジスタのバックゲートに接続されるバイアス出力端子と、負荷と前記MOSトランジスタとの間で電源経路に接続される負荷側端子と、前記バイアス出力端子と前記負荷側端子とを結ぶ電流経路に挿入された負荷側スイッチと、二次電池の状態に応じて前記負荷側スイッチを動作させることによって前記バックゲートの電位を制御するバックゲート制御信号を前記バイアス出力端子から出力させる制御回路とを備え、前記負荷側スイッチは、N型シリコン基板に形成され、ドレインが相互に接続された2個のNMOSトランジスタを少なくとも含み、前記制御回路は、前記2個のNMOSトランジスタを前記二次電池の状態に応じて一緒にオン又はオフさせる、保護IC。【選択図】図6

2. 发明专利

JP5678542B2 電源状態判定回路を有する集積回路有权
标题翻译：具有功率状态确定电路的集成电路
公开(公告)号：JP5678542B2
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：JP2010213170
申请日：2010-09-24
申请人：富士通セミコンダクター株式会社
发明人：秀俊杉山 , 秀俊杉山 , 孝之長澤 , 孝之長澤 , 鈴木　英明 , 英明鈴木
IPC分类号： H01L21/822 , G01R31/28 , H01L27/04
CPC分类号： H01L27/0274 , G01R31/026 , G01R31/2884

3. 发明专利

JP6243720B2 ESD保護回路を備えた半導体装置有权
公开(公告)号：JP6243720B2
公开(公告)日：2017-12-06
申请号：JP2013254351
申请日：2013-12-09
申请人：エスアイアイ・セミコンダクタ株式会社
发明人：片倉貴司 , 原田博文 , 廣瀬嘉胤
IPC分类号： H01L27/04 , H01L27/06 , H01L21/822
CPC分类号： H01L27/0255 , H01L27/0266 , H01L27/0274 , H01L27/0288

4. 发明专利

JP5973107B2 スナップバッククランプ回路を較正し、動作するためのデバイスおよび方法有权
标题翻译：装置和方法用于校准骤回钳位电路操作
公开(公告)号：JP5973107B2
公开(公告)日：2016-08-23
申请号：JP2016500714
申请日：2014-03-06
申请人：クゥアルコム・インコーポレイテッド , QUALCOMM INCORPORATED
发明人：スリバスタバ、アンキット , シェンコ、マシュー・デイビッド , ウォーリー、ユージーン・ロバート
IPC分类号： H01L27/04 , H03G11/00 , H03K17/08 , H01L27/06 , H01L21/822
CPC分类号： G05F1/10 , H01L27/0274 , H01L27/0277 , H01L27/0629 , H02H9/041 , H02H9/046 , H02H3/006

5. 发明专利

JP5711000B2 過電圧保護回路及び半導体集積回路有权
标题翻译：过电压保护电路和半导体集成电路
公开(公告)号：JP5711000B2
公开(公告)日：2015-04-30
申请号：JP2011030701
申请日：2011-02-16
申请人：ラピスセミコンダクタ株式会社
发明人：須志原昭博
IPC分类号： H01L27/04 , H01L27/06 , H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L21/822
CPC分类号： H02H9/046 , H01L27/0274

6. 发明专利

JP2003007833A Semiconductor device 审中-公开
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：JP2003007833A
公开(公告)日：2003-01-10
申请号：JP2001191651
申请日：2001-06-25
申请人： Nec Corp , 日本電気株式会社
发明人： HIRATA MORIHISA
IPC分类号： H01L21/8247 , H01L21/336 , H01L21/822 , H01L21/8238 , H01L23/60 , H01L23/62 , H01L27/02 , H01L27/04 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L27/092 , H01L27/115 , H01L29/78 , H01L29/788 , H01L29/792 , H02H3/22 , H02H7/20 , H03K17/08 , H03K19/003
CPC分类号： H01L27/0274 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To protect a semiconductor device from an ESD(electrostatic discharge) by means of a simple structure of a static-shielding device. SOLUTION: In a static-shielding device provided between the input/output terminal and the internal circuit of a semiconductor device, a transistor of a floating gate type 4 is connected between input/output wiring 2 to be connected to an input/output terminal 1 and grounding wiring (Vss) at a constant potential, wherein the control gate 5 of the transistor of a floating gate type 4 is connected to the input/output wiring 2 and the floating gate 6 of the transistor of a floating gate type 4 is connected to the grounding wiring (Vss) via a floating gate resistor 7. A back gate 8 is also connected to the grounding wiring (Vss) through a back gate resistor 9.
摘要翻译：要解决的问题：通过静电屏蔽装置的简单结构来保护半导体器件免受ESD（静电放电）的影响。解决方案：在设置在半导体器件的输入/输出端子和内部电路之间的静电屏蔽装置中，浮动栅极型4的晶体管连接在输入/输出布线2之间，以连接到输入/输出端子1 和接地布线（Vss），其中浮置栅极型4的晶体管的控制栅极5连接到输入/输出布线2，并且浮栅型4的晶体管的浮置栅极6被连接通过浮栅电阻器7连接到接地布线（Vss）。背栅8还通过背栅电阻器9连接到接地布线（Vss）。

7. 发明专利

JP2016517629A スナップバッククランプ回路を較正し、動作するためのデバイスおよび方法有权
标题翻译：装置和方法用于校准骤回钳位电路操作
公开(公告)号：JP2016517629A
公开(公告)日：2016-06-16
申请号：JP2016500714
申请日：2014-03-06
申请人：クゥアルコム・インコーポレイテッドQualcomm Incorporated , クゥアルコム・インコーポレイテッドQualcomm Incorporated
发明人：スリバスタバ、アンキット , シェンコ、マシュー・デイビッド , ウォーリー、ユージーン・ロバート
IPC分类号： H01L21/822 , H01L27/04 , H01L27/06 , H03G11/00 , H03K17/08
CPC分类号： G05F1/10 , H01L27/0274 , H01L27/0277 , H01L27/0629 , H02H3/006 , H02H9/041 , H02H9/046
摘要：デバイスは、トリガ電圧レベルを超える電源電圧に応答して電源電圧をクランプするように構成されたスナップバッククランプ回路を含む。少なくとも1つの実施形態では、スナップバッククランプ回路は、クランプトランジスタと、トリガ電圧レベルを較正するための制御信号に応答するプログラム可能な抵抗部分とを含む。代替的には、または加えて、スナップバッククランプ回路は、クランプトランジスタのゲート端子をバイアスすることによってトリガ電圧レベルを較正するように構成されたプログラム可能なバイアスデバイスを含むことができる。別の特定の実施形態では、スナップバッククランプ回路を較正する方法が開示される。別の特定の実施形態では、集積回路を動作させる方法が開示される。
摘要翻译：该装置包括一个回跳钳位电路被配置为响应于所述电源电压超过触发电压电平钳位在电源电压。在至少一个实施例中，回跳钳位电路包括一个钳位晶体管，和一控制信号用于校准的触发电压电平的可编程电阻器响应部分。可替换地，或另外地，骤回钳位电路可以包括被配置通过偏置钳位晶体管的栅极端子来校准触发电压电平的可编程偏置装置。在另一个具体的实施方案中，公开了一种校准骤回钳位电路的方法。在另一个具体的实施方案中，公开了一种操作集成电路的方法。

8. 发明专利

JP2014175344A Semiconductor device 有权
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：JP2014175344A
公开(公告)日：2014-09-22
申请号：JP2013044168
申请日：2013-03-06
申请人： Seiko Instruments Inc , セイコーインスツル株式会社
发明人： RISAKI TOMOMITSU
IPC分类号： H01L27/04 , H01L21/336 , H01L21/822 , H01L27/06 , H01L29/78
CPC分类号： H01L27/027 , H01L23/5228 , H01L23/528 , H01L27/0207 , H01L27/0274 , H01L29/41758 , H01L29/78 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor device having high ESD resistance.SOLUTION: A semiconductor device comprises: source wiring 32a provided on a gate 31 and a source 32 in a region of an NMOS transistor 30, for electrically connecting the gate 31 and the source 32 and a ground terminal; and drain wiring 33a provided on a drain 33 in the region of the NMOS transistor 30, for electrically connecting the drain 33 and a pad 20 which is an electrode for external connection. In addition, the drain wiring 33a has a wiring width the same with a wiring width of the source wiring 32a in the region of the NMOS transistor 30.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种具有高ESD电阻的半导体器件。解决方案：半导体器件包括：源极布线32a，其设置在NMOS晶体管30的一个栅极31和源极32上，用于电连接栅极31和源32和接地端子; 以及设置在NMOS晶体管30的区域中的漏极33上的漏极布线33a，用于电连接漏极33和作为用于外部连接的电极的焊盘20。此外，漏极布线33a的布线宽度与NMOS晶体管30的区域中的源极布线32a的布线宽度相同。

9. 发明专利

JP2014170919A Semiconductor device with esd protection circuit 有权
标题翻译：具有ESD保护电路的半导体器件
公开(公告)号：JP2014170919A
公开(公告)日：2014-09-18
申请号：JP2013254351
申请日：2013-12-09
申请人： Seiko Instruments Inc , セイコーインスツル株式会社
发明人： KATAKURA TAKASHI , HARADA HIROBUMI , HIROSE HIROTANE
IPC分类号： H01L27/04 , H01L21/822 , H01L27/06
CPC分类号： H01L27/0255 , H01L27/0266 , H01L27/0274 , H01L27/0288
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an ESD protection circuit with a small area.SOLUTION: The semiconductor device includes: a first conductive diffusion resistance 12 whose one end is connected with an input terminal 11 and which is in a second conductive well; a diode 14 positioned between the diffusion resistance 12 and a well connected with a power supply terminal; an NMOS transistor 15 whose gate and source are connected with a ground terminal and whose drain is connected with the other end of the diffusion resistance 12, and a parasitic diode generated between the power supply terminal and the ground terminal.
摘要翻译：要解决的问题：提供具有小面积的ESD保护电路。解决方案：半导体器件包括：第一导电扩散电阻12，其一端与输入端子11连接，并且位于第二导电阱中; 位于扩散电阻12和与电源端子连接的阱之间的二极管14; 其栅极和源极与接地端子连接并且其漏极与扩散电阻12的另一端连接的NMOS晶体管15以及在电源端子和接地端子之间产生的寄生二极管。

10. 发明专利

JP2012069728A Integrated circuit with power supply state determination circuit 有权
标题翻译：集成电路与电源状态确定电路
公开(公告)号：JP2012069728A
公开(公告)日：2012-04-05
申请号：JP2010213170
申请日：2010-09-24
申请人： Fujitsu Semiconductor Ltd , 富士通セミコンダクター株式会社
发明人： SUGIYAMA HIDETOSHI , NAGASAWA TAKAYUKI , SUZUKI HIDEAKI
IPC分类号： H01L27/04 , G01R31/28 , H01L21/822
CPC分类号： H01L27/0274 , G01R31/026 , G01R31/2884
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To increase operation margin of a power supply open detection circuit.SOLUTION: The integrated circuit in which a power supply terminal, a ground terminal, an input terminal and an internal circuit are formed comprises: a unidirectional circuit provided between the input terminal and the power supply terminal in a direction from the input terminal to the power supply terminal; and a power supply state determination circuit which detects whether or not the power supply terminal is connected with an external power supply and outputs a power supply open detection signal. The unidirectional circuit has a first transistor having a gate to which voltage of the power supply terminal is applied and a second transistor connected in series with the first transistor, and voltage of the external power supply is input to the input terminal.
摘要翻译：要解决的问题：增加电源打开检测电路的运行余量。解决方案：其中形成电源端子，接地端子，输入端子和内部电路的集成电路包括：单向电路，其从输入端子方向设置在输入端子和电源端子之间到电源端子; 以及电源状态确定电路，其检测电源端子是否与外部电源连接，并输出电源打开检测信号。单向电路具有第一晶体管，其具有施加电源端子的电压的栅极和与第一晶体管串联连接的第二晶体管，并且外部电源的电压被输入到输入端子。版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

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