专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

2. 发明专利

JP5883392B2 低EMI回路のためのパッケージ構成有权
标题翻译：对于低EMI电路封装结构
公开(公告)号：JP5883392B2
公开(公告)日：2016-03-15
申请号：JP2012537193
申请日：2010-11-02
申请人：トランスフォームインコーポレーテッド
发明人：ウー,イーフェン
IPC分类号： H01L25/18 , H01L23/48 , H01L21/338 , H01L29/812 , H01L29/778 , H01L25/07
CPC分类号： H01L21/4803 , H01L21/4814 , H01L21/4871 , H01L21/77 , H01L23/057 , H01L23/36 , H01L25/115 , H01L27/0248 , H01L2224/48091 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/30107

3. 发明专利

JP5153772B2 A liquid crystal display having a field emission backlight 有权
公开(公告)号：JP5153772B2
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：JP2009518088
申请日：2006-10-04
申请人：トムソンライセンシングThomson Licensing
发明人：ゴログ，イストヴァン , リット，ピーター，マイケル
IPC分类号： F21S2/00 , F21Y105/00 , G02F1/133 , G02F1/13357
CPC分类号： H01J63/04 , G02F1/133602 , G02F1/133621 , G02F2001/133625 , H01L21/4814

4. 发明专利

JP2009543291A A liquid crystal display having a field emission backlight 有权
公开(公告)号：JP2009543291A
公开(公告)日：2009-12-03
申请号：JP2009518088
申请日：2006-10-04
申请人：トムソンライセンシングThomson Licensing
发明人：ゴログ，イストヴァン , リット，ピーター，マイケル
IPC分类号： F21S2/00 , F21Y105/00 , G02F1/133 , G02F1/13357
CPC分类号： H01J63/04 , G02F1/133602 , G02F1/133621 , G02F2001/133625 , H01L21/4814
摘要： LCDディスプレイは、多数の異なるリン光体元素から多数の異なるカラーフィールドを生成するプログラマブルバックライト素子を有する。前記バックライト素子は低解像度FED素子であって良い。前記リン光体は、電子写真による選別プロセス、又は直接的静電選別プロセスによって適用される。前記FED素子は広範なリン光体をさらに含んで良い。

5. 发明专利

JP6064232B2 半導体デバイスを製造するための方法有权
标题翻译：用于制造半导体器件的方法
公开(公告)号：JP6064232B2
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：JP2014546325
申请日：2011-12-15
申请人：ソイテック , Soitec
发明人：コノンチャク, オレグ
IPC分类号： H01L29/872 , H01L29/47 , H01L21/28 , H01L21/329
CPC分类号： H01L29/872 , H01L21/30 , H01L21/302 , H01L21/4814 , H01L21/76232 , H01L29/0603 , H01L29/0649 , H01L29/16 , H01L29/20 , H01L29/2003 , H01L29/34 , H01L29/66143

6. 发明专利

JP5778557B2 半導体装置の製造方法、半導体装置、及び半導体素子有权
标题翻译：半导体制造半导体器件，半导体器件的方法，以及元件
公开(公告)号：JP5778557B2
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：JP2011259423
申请日：2011-11-28
申请人：新光電気工業株式会社
发明人：町田洋弘
IPC分类号： H05K1/18 , H01L21/60
CPC分类号： H01L23/528 , H01L21/4814 , H01L23/49816 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L2224/0401 , H01L2224/05166 , H01L2224/05647 , H01L2224/13027 , H01L2224/13082 , H01L2224/13147 , H01L2224/14104 , H01L2224/14133 , H01L2224/14135 , H01L2224/171 , H01L2224/81193 , H01L2224/814 , H01L2224/81815 , H01L24/13

7. 发明专利

JP2015500572A 半導体デバイスを製造するための方法有权
标题翻译：用于制造半导体器件的方法
公开(公告)号：JP2015500572A
公开(公告)日：2015-01-05
申请号：JP2014546325
申请日：2011-12-15
申请人：ソイテックSoitec
发明人：オレグコノンチャク， , オレグコノンチャク，
IPC分类号： H01L21/329 , H01L29/47 , H01L29/872
CPC分类号： H01L29/872 , H01L21/30 , H01L21/302 , H01L21/4814 , H01L21/76232 , H01L29/0603 , H01L29/0649 , H01L29/16 , H01L29/20 , H01L29/2003 , H01L29/34 , H01L29/66143
摘要：本発明は、デバイスの降伏電圧特性を改善し、漏れ電流を低減するように、半導体層(5)及び金属層(7)を備える半導体構造を製造するための方法であって、a)欠陥及び/又は転位を含む半導体層を準備するステップと、b)欠陥及び/又は転位の1つ以上の位置で材料を除去し、それによって、半導体層内に穴(13a〜13d)を形成するステップと、c)穴(13a〜13d)を不動態化するステップと、c)半導体層(5)の上に金属層(7)を設けるステップと、を含む方法に関する。発明はまた、対応する半導体構造にも関する。【選択図】図1e
摘要翻译：本发明提高了器件的击穿电压特性，以便降低漏电流，一种用于制造半导体结构，其包括半导体层（5）和金属层（7），一个）的缺陷的方法和包括：提供半导体层，其包含/或位错，b）中的缺陷和/或材料在位错的一个或多个位置除去，由此形成半导体层中的孔（13到13d）方法，该方法包括钝化C的步骤）的孔（13至13d），（7）在c。提供的金属层）的半导体层的工序（5），一个。本发明还涉及一种相应的半导体结构。点域1E

8. 发明专利

JP2013222760A Method for forming copper wiring and method for manufacturing display device 审中-公开
标题翻译：形成铜线的方法和制造显示装置的方法
公开(公告)号：JP2013222760A
公开(公告)日：2013-10-28
申请号：JP2012092154
申请日：2012-04-13
申请人： Panasonic Liquid Crystal Display Co Ltd , パナソニック液晶ディスプレイ株式会社
发明人： NAKAGAWA MASAHIRO , YAMAMOTO MUTSUMI , ISOBE YOSHIHIDE
IPC分类号： H01L29/41 , G02F1/1368 , G09F9/30 , H01L21/306 , H01L21/3205 , H01L21/3213 , H01L21/336 , H01L21/768 , H01L23/532 , H01L29/786
CPC分类号： H01L33/0095 , G02F2001/136295 , H01L21/321 , H01L21/32134 , H01L21/4814 , H01L27/124
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To solve the problem in which: a wiring formed on an upper layer of a wiring formed in a step of etching a copper film may be disconnected or short, depending on a shape of an end of the wiring formed in the step.SOLUTION: A method for forming a copper wiring includes the steps of: forming a copper film on a substrate; forming a resist on the copper film according to a prescribed pattern; forming an oxide film on the copper film in which the resist is formed; etching the copper film in which the oxide film is formed; and removing the resist after etching the copper film.
摘要翻译：要解决的问题：为了解决以下问题：根据形成在铜箔中的布线的端部的形状，在蚀刻铜膜的步骤中形成的布线的上层上形成的布线可以断开或短路步骤。形成铜布线的方法包括以下步骤：在基片上形成铜膜; 根据规定的图案在铜膜上形成抗蚀剂; 在其上形成抗蚀剂的铜膜上形成氧化膜; 蚀刻形成氧化膜的铜膜; 并在蚀刻铜膜之后除去抗蚀剂。

9. 发明专利

JP2013115205A Semiconductor device manufacturing method, semiconductor device and semiconductor element 有权
标题翻译：半导体器件制造方法，半导体器件和半导体元件
公开(公告)号：JP2013115205A
公开(公告)日：2013-06-10
申请号：JP2011259423
申请日：2011-11-28
申请人： Shinko Electric Ind Co Ltd , 新光電気工業株式会社
发明人： MACHIDA KIYOHIRO
IPC分类号： H01L21/60 , H05K1/18
CPC分类号： H01L23/528 , H01L21/4814 , H01L23/49816 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L2224/0401 , H01L2224/05166 , H01L2224/05647 , H01L2224/13027 , H01L2224/13082 , H01L2224/13147 , H01L2224/14104 , H01L2224/14133 , H01L2224/14135 , H01L2224/171 , H01L2224/81193 , H01L2224/814 , H01L2224/81815 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2924/00012 , H01L2924/01074
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce short circuit failures caused by a solder.SOLUTION: A semiconductor device comprises: a semiconductor element 10 which includes a plurality of electrode pads 11 arranged on one principal surface along an outer periphery of the semiconductor element in a rectangular frame shape and columnar electrode terminals 13 vertically arranged on respective electrode pads 11. Central axes L1 of respective electrode terminals 13 are formed at positions displaced from respective centers of the electrode pads 11 to the outside of the semiconductor element 10 along a direction orthogonal to an arrangement direction of the electrode pads 11. The semiconductor further comprises a wiring board 20 on which the semiconductor element 10 is mounted and a plurality of connection pads 22 corresponding to the electrode pads 11 of the semiconductor element 10 are formed. The center L2 of each connection pad 22 substantially coincides with the center of each electrode pad 11 of the semiconductor element 10. Each connection pad 22 is formed in a rectangular shape extending along a direction orthogonal to an arrangement direction of the connection pads 22, that is, along a direction orthogonal to the outer periphery of the semiconductor element 10. The electrode terminals 13 are electrically connected with the connection pads 22 by solders 30.
摘要翻译：要解决的问题：减少焊料引起的短路故障。解决方案：半导体器件包括：半导体元件10，其包括沿矩形框架形状的半导体元件的外周布置在一个主表面上的多个电极焊盘11和垂直布置在各个电极上的柱状电极端子13 各个电极端子13的中心轴L1形成在从与电极焊盘11的排列方向垂直的方向偏离电极焊盘11的中心到半导体元件10的外部的位置处。半导体还包括其上安装有半导体元件10的布线板20和与半导体元件10的电极焊盘11对应的多个连接焊盘22。每个连接焊盘22的中心L2基本上与半导体元件10的每个电极焊盘11的中心重合。每个连接焊盘22形成为沿着与连接焊盘22的排列方向垂直的方向延伸的矩形形状，沿着与半导体元件10的外周正交的方向。电极端子13通过焊料30与连接焊盘22电连接。版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

10. 发明专利

JP2013509732A Package configuration for low emi circuit 有权
公开(公告)号：JP2013509732A
公开(公告)日：2013-03-14
申请号：JP2012537193
申请日：2010-11-02
申请人：トランスフォームインコーポレーテッド
发明人：ウー，イーフェン
IPC分类号： H01L25/07 , H01L21/338 , H01L23/48 , H01L25/18 , H01L29/778 , H01L29/812 , H02M1/00
CPC分类号： H01L21/4803 , H01L21/4814 , H01L21/4871 , H01L21/77 , H01L23/057 , H01L23/36 , H01L25/072 , H01L25/115 , H01L27/0248 , H01L2224/48091 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/30107 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： An electronic component includes a high voltage switching transistor encased in a package. The high voltage switching transistor comprises a source electrode, a gate electrode, and a drain electrode all on a first side of the high voltage switching transistor. The source electrode is electrically connected to a conducting structural portion of the package. Assemblies using the abovementioned transistor with another transistor can be formed, where the source of one transistor can be electrically connected to a conducting structural portion of a package containing the transistor and a drain of the second transistor is electrically connected to the second conductive structural portion of a package that houses the second transistor. Alternatively, the source of the second transistor is electrically isolated from its conductive structural portion, and the drain of the second transistor is electrically isolated from its conductive structural portion.

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式