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1. 发明专利

JP5815762B2 電子放出源形成用組成物、およびこれを用いた電子放出源の製造方法有权
标题翻译：组合物用于形成电子发射源，以及使用该电子发射源的制造方法
公开(公告)号：JP5815762B2
公开(公告)日：2015-11-17
申请号：JP2014014848
申请日：2014-01-29
申请人：三星電子株式会社 , Samsung Electronics Co.,Ltd.
发明人：金勇哲 , 韓仁澤 , 姜昊錫
IPC分类号： H01J9/02
CPC分类号： H01J31/127 , H01J29/04 , H01J2329/0428 , H01J2329/0431 , H01J2329/0444 , Y10S977/742

2. 发明专利

JP5723440B2 電界放射陰極有权
标题翻译：场发射阴极
公开(公告)号：JP5723440B2
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：JP2013503080
申请日：2011-04-04
申请人：ライトラブスウェーデンアクティエボラーグ
发明人：キュウ−ホンフー
IPC分类号： H01J63/06 , H01J31/12 , H01J35/06 , H01J1/304
CPC分类号： H01J1/3044 , H01J1/304 , H01J31/123 , H01J63/02 , H01J63/04 , B82Y20/00 , H01J2201/3043 , H01J2201/30446 , H01J2201/30484 , H01J2201/30488 , H01J2201/30492 , H01J2201/30496 , H01J2329/0428 , H01J2329/0439 , H01J2329/0465 , H01J2329/0468 , H01J2329/0471 , H01J2329/0473

4. 发明专利

JP2009048937A Carbon fiber manufacturing method, carbon fiber electron source, and field emission display device 审中-公开
标题翻译：碳纤维制造方法，碳纤维电子源和场发射显示装置
公开(公告)号：JP2009048937A
公开(公告)日：2009-03-05
申请号：JP2007216140
申请日：2007-08-22
申请人： Rohm Co Ltd , ローム株式会社
发明人： KATO TOMOHIRO
IPC分类号： H01J9/02 , H01J1/304
CPC分类号： H01J9/025 , H01J2329/0428 , H01J2329/0431 , H01J2329/0455
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a carbon fiber manufacturing method in which abnormal growth from an electrode wiring metal is prevented, and in which a carbon nanotube can be formed with high density and uniformity by a simple and inexpensive method, a carbon fiber electron source of high output current density, and an FED device having high current density, high brightness, and high capacity. SOLUTION: These are the carbon fiber manufacturing method, the carbon fiber electron source, and the FED device having a process of forming a cathode electrode 10 on a substrate 18, a process of forming a first insulating membrane 12 on the cathode electrode 10, a process of forming a gate electrode 14 on the first insulating membrane 12, a process of forming a hole (11) to reach an electrode 10 surface in the first insulating membrane 12, a process of forming a catalyst fine crystal nucleus 29 on the bottom face of the hole, an oxidation process of forming a second insulating membrane 50 on the gate electrode 14 surface, and a process of forming the carbon nanotube 4 on the catalyst fine crystal nucleus 29. COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：为了提供一种碳纤维制造方法，其中防止来自电极布线金属的异常生长，并且其中通过简单且便宜的方法可以以高密度和均匀性形成碳纳米管，碳具有高输出电流密度的光纤电子源，以及具有高电流密度，高亮度和高容量的FED器件。解决方案：这些是碳纤维制造方法，碳纤维电子源和具有在基板18上形成阴极10的工艺的FED装置，在阴极上形成第一绝缘膜12的工艺如图10所示，在第一绝缘膜12上形成栅电极14的工序，形成第一绝缘膜12中的电极10表面的孔（11）的工序，将催化剂精细晶核29形成在上述工序孔的底面，在栅电极14的表面上形成第二绝缘膜50的氧化工艺，以及在催化剂细晶核29上形成碳纳米管4的工序。（C）2009 ，JPO＆INPIT

5. 发明专利

JP2014075367A Composition for electron emission source formation, electron emission source formed using the same, manufacturing method of the same, and field emission element using the same 有权
标题翻译：用于电子发射源形成的组合物，使用其形成的电子发射源，其制造方法和使用其的场发射元件
公开(公告)号：JP2014075367A
公开(公告)日：2014-04-24
申请号：JP2014014848
申请日：2014-01-29
申请人： Samsung Electronics Co Ltd , 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd.
发明人： KIM YONG-CHUL , HAN IN-TAEK , KYO KOSHAKU
IPC分类号： H01J9/02 , H01J1/304
CPC分类号： H01J31/127 , H01J29/04 , H01J2329/0428 , H01J2329/0431 , H01J2329/0444 , Y10S977/742
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electron emission source excellent in electron emission performance without need of a post-treatment process, to provide manufacturing method of the same, a field emission element using the same, and a composition for forming the electron emission source.SOLUTION: An electron emission source comprising: an organic residue; a crack part formed at least on a portion of a region; and a needle-like nano-size substance exposed in the crack part, is disclosed. The needle-like substance prefers to be exposed between inner walls of the crack part. Furthermore, a field emission element comprising the electron emission source, and a composition for electron emission source formation, are also disclosed.
摘要翻译：要解决的问题：为了提供电子发射性能优异的电子发射源，不需要后处理工艺，提供其制造方法，使用该方法的场致发射元件和用于形成电子发射源的组合物解决方案：一种电子发射源，包括：有机残基; 至少形成在一部分区域上的裂纹部分; 并且公开了在裂纹部分中暴露的针状纳米尺寸物质。针状物质倾向于暴露在裂纹部分的内壁之间。此外，还公开了包括电子发射源的场发射元件和用于电子发射源形成的组合物。

6. 发明专利

JP2013524452A Field emission cathode 有权
公开(公告)号：JP2013524452A
公开(公告)日：2013-06-17
申请号：JP2013503080
申请日：2011-04-04
申请人：ライトラブスウェーデンアクティエボラーグ
发明人：フーキュウ−ホン
IPC分类号： H01J1/304 , H01J31/12 , H01J35/06 , H01J63/06
CPC分类号： H01J1/3044 , B82Y20/00 , H01J1/304 , H01J31/123 , H01J63/02 , H01J63/04 , H01J2201/3043 , H01J2201/30446 , H01J2201/30484 , H01J2201/30488 , H01J2201/30492 , H01J2201/30496 , H01J2329/0428 , H01J2329/0439 , H01J2329/0465 , H01J2329/0468 , H01J2329/0471 , H01J2329/0473
摘要：本発明は、少なくとも部分的に導電性の基部構造体と、基部構造体において空間的に分散した複数の導電性のマイクロメートルサイズの部分と、を有する電界放射陰極に関し、複数のマイクロメートルサイズの部分の少なくとも一部分には、それぞれ、複数の導電性ナノ構造体が設けられている。本発明の利点は、例えば、電界放射陰極を有する電界放射照明構成の電力消費量の低減及び光出力の増大を含む。
【選択図】図１

7. 发明专利

JP2010086966A Composition for electron emission source formation, electron emission source formed using this, its manufacturing method, and field emission element using this 有权
标题翻译：用于电子发射源形成的组合物，使用该电子发射源形成的电子发射源，其制造方法和使用该场致发射元件的场发射元件
公开(公告)号：JP2010086966A
公开(公告)日：2010-04-15
申请号：JP2009225314
申请日：2009-09-29
申请人： Samsung Electronics Co Ltd , 三星電子株式会社Samsung Electronics Co.,Ltd.
发明人： KIM YONG-CHUL , HAN IN-TAEK , KYO KOSHAKU
IPC分类号： H01J1/304 , H01J9/02
CPC分类号： H01J31/127 , H01J29/04 , H01J2329/0428 , H01J2329/0431 , H01J2329/0444 , Y10S977/742
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electron emission source excellent in electron emission performance without the need of a post-treatment process, to provide its manufacturing method, and to provide a field emission element using this, as well as a composition for forming the electron emission source. SOLUTION: The electron emission source containing an organic residue, a crack part formed at least on a portion of a region, and a needle-like nano-size substance exposed in the crack part, is disclosed. The needle-like substance prefers to be exposed in a gap of inner walls of the crack part. Furthermore, the field emission element having the electron emission source, and a composition for electron emission source formation, are also disclosed. COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：为了提供电子发射性能优异的电子发射源，而不需要后处理工艺，提供其制造方法，并提供使用该方法的场致发射元件以及组合物用于形成电子发射源。解决方案：公开了包含有机残留物的电子发射源，至少形成在一部分区域上的裂纹部分和暴露在裂纹部分中的针状纳米尺寸物质。针状物质优选暴露在裂纹部分的内壁的间隙中。此外，还公开了具有电子发射源的场发射元件和用于电子发射源形成的组合物。版权所有（C）2010，JPO＆INPIT

8. 发明专利

JP2009238744A Field effect electron emission device 审中-公开
标题翻译：场效应电子发射装置
公开(公告)号：JP2009238744A
公开(公告)日：2009-10-15
申请号：JP2009048607
申请日：2009-03-02
申请人： Sony Corp , ソニー株式会社
发明人： N UEI BEN , ISHIDA TAKEHISA
IPC分类号： H01J1/304 , F21S2/00 , F21Y111/00 , G02F1/13357 , H01J9/02 , H01J31/12 , H01J63/02 , H01J63/06
CPC分类号： H01J29/04 , G02F1/1336 , G02F2001/133614 , G02F2001/133625 , H01J31/127 , H01J2329/0428 , H01J2329/0436 , H01J2329/0442
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a magnetic wire upright type assembly in a micro size having a desirable field emission properties, optimum distribution intervals and/or independent properties.
SOLUTION: A field effect electron emission device is provided. The field effect electron emission device is provided with a substrate; and a plurality of wires which are embedded in the substrate, at least one part of which exposes from the substrate, which extends vertically from the substrate and which includes a magnetic material. The average interval of the plurality of wires is 3. Also, the manufacturing method of the electron emission device, a field effect display having such a field effect electron emission device, an illumination device having such a field effect electron emission device and a backlight device for a liquid crystal display having such a field effect electron emission device are provided.
COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供具有期望的场致发射性质，最佳分布间隔和/或独立性质的微尺寸的磁线直立型组件。解决方案：提供场效应电子发射装置。场效应电子发射装置设置有基板; 以及嵌入在基板中的多根线，其至少一部分从基板露出，该基板从基板垂直延伸并且包括磁性材料。多条线的平均间隔为30μm，间隔/高度比的平均值为1〜3，平均纵横比为3以上。此外，电子发射器件的制造方法，具有这种场效应电子发射器件的场效应显示器，具有这种场效应电子发射器件的照明器件和具有这种场效应电子器件的液晶显示器的背光装置发射装置。版权所有（C）2010，JPO＆INPIT

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