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1. 发明专利

JPWO2015125493A1 ラジカル源及び分子線エピタキシー装置审中-公开
公开(公告)号：JPWO2015125493A1
公开(公告)日：2017-03-30
申请号：JP2016503985
申请日：2015-02-23
申请人：国立大学法人名古屋大学 , Nuシステム株式会社
发明人：勝堀 , 勝堀 , 修小田 , 小田　　修 , 加納　浩之 , 浩之加納
IPC分类号： H05H1/30 , C23C14/24 , C23C14/48 , H01L21/203
CPC分类号： H01J37/32091 , C23C14/0026 , C30B25/00 , H01J37/321 , H01J37/3211 , H01J37/32183 , H01J37/3244 , H01J37/32467 , H01J37/32568 , H01J37/32669 , H01J2237/327 , H01J2237/3321 , H01J2237/3326 , H05H1/30 , H05H1/46 , H05H2001/4667 , H05H2001/4675
摘要：【課題】高密度なラジカルを生成することが可能なラジカル源を実現すること。【解決手段】ラジカル源は、SUSからなる供給管10と、供給管10に接続する熱分解窒化ホウ素(PBN)からなる円筒状のプラズマ生成管11を有している。プラズマ生成管11の外側には、円筒形の第1CCP電極13、第2CCP電極30が配置されている。第1CCP電極13よりも下流側には、プラズマ生成管11の外周に沿って巻かれたコイル12が配設されている。プラズマ生成管11の底からは細く伸びた結合管23が存在し、この結合管23は供給管10の内部に挿入されている。【選択図】図1

2. 发明专利

JP5419055B1 Plasma processing apparatus and plasma processing method 有权
公开(公告)号：JP5419055B1
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：JP2013541143
申请日：2012-02-24
申请人：国立大学法人東北大学
发明人：昌樹平山
IPC分类号： H05H1/46 , C23C16/509 , H01L21/205
CPC分类号： H01J37/32568 , H01J37/32082 , H01J37/32229 , H01J37/32532 , H01J37/32577 , H01J2237/3321 , H01J2237/3326
摘要：大きなサイズの基板に対して、ＶＨＦ周波数帯のような高周波で励起されるプラズマの密度の均一性を改善しつつ、小型化および製造コストが低減できるプラズマ処理装置を提供する。導波路（ＷＧ）を画定する導波路部材（４０１）と、プラズマ形成空間に面するように配置され、導波路部材（４０１）と協働して導波路（ＷＧ）を画定するとともに導波路部材（４０１）と電気的に接続されている第１および第２の電極（４５０Ａ，４５０Ｂ）と、電磁エネルギーを当該導波路内に供給する同軸管（２２５）と、導波路（ＷＧ）内に配置され、長手方向（Ａ）に延在する誘電体板（４２０）と、導波路（ＷＧ）内において、誘電体板（４２０）に対して導波路の幅方向（Ｂ）における少なくとも一方側に配置され、誘電体板（４２０）に沿って延在するとともに、第１および第２の電極と電気的に接続された第１および第２の導電体（４３０Ａ，４３０Ｂ）とを有する。

3. 发明专利

JP2017061752A アークプラズマ成膜装置有权
公开(公告)号：JP2017061752A
公开(公告)日：2017-03-30
申请号：JP2016207549
申请日：2016-10-24
申请人：株式会社島津製作所
发明人：鈴木正康 , 森元陽介
IPC分类号： H05H1/48 , C23C14/32
CPC分类号： H01J37/32669 , C23C14/325 , H01J37/32055 , H01J37/32357 , H01J37/32568 , H01J37/32596 , H01J37/3266 , H01J37/32899 , H01J2237/002 , H01J2237/006 , H01J2237/06375 , H01J2237/152 , H01J2237/162 , H01J2237/327 , H01J2237/3326
摘要：【課題】基板の成膜面へのドロップレットの入射が抑制でき、且つ効率的なプラズマ輸送が可能なアークプラズマ成膜装置を提供する。【解決手段】処理対象の基板が格納される成膜チャンバーと、ターゲットの少なくとも一部が格納され、成膜チャンバーに連結するプラズマチャンバーと、ターゲットと成膜チャンバーとの間に少なくとも1箇所の屈曲部を有して連続する磁力線を発生させる、非磁性金属からなる外皮によって被覆されてプラズマチャンバー内に配置された複数の中空コイルとを備え、アーク放電によりプラズマチャンバー内で生成されたターゲット材料に由来するイオンを含むプラズマが、中空コイルの内側を通過してターゲットから基板まで輸送される。【選択図】図1

4. 发明专利

JP6079867B2 アークプラズマ成膜装置有权
标题翻译：电弧等离子体成膜装置
公开(公告)号：JP6079867B2
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：JP2015504123
申请日：2013-10-29
申请人：株式会社島津製作所
发明人：鈴木正康 , 森元陽介
IPC分类号： C23C14/24 , H05H1/48 , C23C14/32
CPC分类号： H01J37/32669 , C23C14/325 , H01J37/32055 , H01J37/32357 , H01J37/32568 , H01J37/32596 , H01J37/3266 , H01J37/32899 , H01J2237/002 , H01J2237/006 , H01J2237/06375 , H01J2237/152 , H01J2237/162 , H01J2237/327 , H01J2237/3326

5. 发明专利

JPWO2014136314A1 アークプラズマ成膜装置有权
标题翻译：电弧等离子体成膜装置
公开(公告)号：JPWO2014136314A1
公开(公告)日：2017-02-09
申请号：JP2015504123
申请日：2013-10-29
申请人：株式会社島津製作所
发明人：鈴木　正康 , 正康鈴木 , 陽介森元 , 陽介森元
IPC分类号： C23C14/32 , C23C14/24 , H05H1/48
CPC分类号： H01J37/32669 , C23C14/325 , H01J37/32055 , H01J37/32357 , H01J37/32568 , H01J37/32596 , H01J37/3266 , H01J37/32899 , H01J2237/002 , H01J2237/006 , H01J2237/06375 , H01J2237/152 , H01J2237/162 , H01J2237/327 , H01J2237/3326
摘要：処理対象の基板が格納される成膜チャンバーと、ターゲットの少なくとも一部が格納され、成膜チャンバーに連結するプラズマチャンバーと、ターゲットと成膜チャンバーとの間に少なくとも1箇所の屈曲部を有して連続する磁力線を発生させる、非磁性金属からなる外皮によって被覆されてプラズマチャンバー内に配置された複数の中空コイルとを備え、アーク放電によりプラズマチャンバー内で生成されたターゲット材料に由来するイオンを含むプラズマが、中空コイルの内側を通過してターゲットから基板まで輸送される。
摘要翻译：已在其中被处理的衬底的淀积室中存储，至少该目标的一部分被存储，耦合到所述沉积室中，在靶和成膜室之间的至少一处的弯曲部分的等离子体腔室产生的磁力线的连续碲，通过皮肤由非磁性金属和多个设置在等离子体腔内空心线圈的覆盖时，离子从在通过电弧放电等离子室中产生靶材料衍生血浆含有从目标通过空心线圈的内部输送到基板。

6. 发明专利

JP6233617B2 アークプラズマ成膜装置有权
公开(公告)号：JP6233617B2
公开(公告)日：2017-11-22
申请号：JP2016207549
申请日：2016-10-24
申请人：株式会社島津製作所
发明人：鈴木正康 , 森元陽介
IPC分类号： H05H1/48 , C23C14/32
CPC分类号： H01J37/32669 , C23C14/325 , H01J37/32055 , H01J37/32357 , H01J37/32568 , H01J37/32596 , H01J37/3266 , H01J37/32899 , H01J2237/002 , H01J2237/006 , H01J2237/06375 , H01J2237/152 , H01J2237/162 , H01J2237/327 , H01J2237/3326

7. 发明专利

JP2017501298A 低圧プラズマプロセスに関して連続電力モードでプラズマを発生させる改良法审中-公开
标题翻译：改进的用于在连续功率模式相对于产生等离子体的低压等离子体处理方法
公开(公告)号：JP2017501298A
公开(公告)日：2017-01-12
申请号：JP2016522020
申请日：2014-10-07
申请人：ユーロプラズマエンヴェー , ユーロプラズマエンヴェー
发明人：レヘイン，フィリップ , ロゲ，エヴァ , セルキュ，マルク
IPC分类号： C23C16/50 , B01J19/08 , C23C14/22 , C23C14/54 , C23C16/52 , C23C26/00 , H05H1/46
CPC分类号： H01J37/32146 , B05D1/62 , B05D5/08 , B05D7/02 , B05D7/14 , C03C17/32 , C03C2217/20 , C03C2217/76 , C03C2218/15 , C04B41/009 , C04B41/4523 , C04B41/83 , C09D133/16 , C23C16/50 , C23C26/00 , D21H23/22 , H01J2237/327 , H01J2237/3326
摘要：本発明は、コーティングすべき表面を有する基板を低圧反応チャンバに入れる工程と、処理時間中、上記反応チャンバ内で上記表面をプラズマに曝露させる工程と、電力の入力を適用することによって、安定なプラズマ励起を確実なものとする工程とを含み、電力の入力が、上記処理時間中、0ワット(W)よりも連続して厳密に高く、かつ少なくとも下限電力と、少なくとも、上記下限電力よりも厳密に大きい上限電力とを含み、それによって、コーティングされた表面を有する基板が得られることを特徴とする、方法に関する。本発明は更に、低圧プラズマプロセスを用いて基板を処理する装置、及びこのように処理された基板に関する。【選択図】なし
摘要翻译：本发明包括放置具有表面的衬底的步骤要被涂覆到低压反应室中，在处理时间期间，暴露于等离子体的工序在反应室的表面上，通过将输入功率，稳定和等离子体激发的步骤制成可靠，电源的输入，在处理时间0瓦（W）严格小于连续更高，并且至少所述下限功率，至少比低功率限制和严格大于上限电力，从而其特征在于，获得的基板具有一表面涂覆的方法。对于由此处理使用低压等离子体处理的衬底，并且对已处理的基板的本发明另一装置。系统技术领域

8. 发明专利

JPWO2013124906A1 プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法有权
标题翻译：等离子体处理装置和等离子体处理方法
公开(公告)号：JPWO2013124906A1
公开(公告)日：2015-05-21
申请号：JP2013541143
申请日：2012-02-24
申请人：国立大学法人東北大学
发明人：平山　昌樹 , 昌樹平山
IPC分类号： H05H1/46 , C23C16/509
CPC分类号： H01J37/32568 , H01J37/32082 , H01J37/32229 , H01J37/32532 , H01J37/32577 , H01J2237/3321 , H01J2237/3326
摘要：大きなサイズの基板に対して、VHF周波数帯のような高周波で励起されるプラズマの密度の均一性を改善しつつ、小型化および製造コストが低減できるプラズマ処理装置を提供する。導波路(WG)を画定する導波路部材(401)と、プラズマ形成空間に面するように配置され、導波路部材(401)と協働して導波路(WG)を画定するとともに導波路部材(401)と電気的に接続されている第1および第2の電極(450A,450B)と、電磁エネルギーを当該導波路内に供給する同軸管(225)と、導波路(WG)内に配置され、長手方向(A)に延在する誘電体板(420)と、導波路(WG)内において、誘電体板(420)に対して導波路の幅方向(B)における少なくとも一方側に配置され、誘電体板(420)に沿って延在するとともに、第1および第2の電極と電気的に接続された第1および第2の導電体(430A,430B)とを有する。
摘要翻译：较大尺寸的基片，同时改善等离子体的密度的均匀性被激发以高频，例如VHF频段，以提供一种等离子体处理装置尺寸，可以降低制造成本。波导波导部件（401），其限定（WG），它被布置成面对所述等离子形成空间，波导部件与合作与波导构件限定了波导（WG）（401）（401）和电连接到它是第一和第二电极（450A，450B），并且同轴管波导和（225）内供给的电磁能，设置在所述波导（WG）据，在波导的宽度方向配置，其延伸的长度方向（a）和（420），所述波导（WG）的电介质板，在至少一侧的电介质板（420）（B）它是，以沿着电介质板（420）延伸，并且电连接到所述第一和第二导体的第一和第二电极具有（430A，430B）。

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