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1. 发明专利

JPWO2014203690A1 基準電圧回路有权
标题翻译：基准电压电路
公开(公告)号：JPWO2014203690A1
公开(公告)日：2017-02-23
申请号：JP2015522700
申请日：2014-05-27
申请人：富士電機株式会社
发明人：正志赤羽
IPC分类号： G05F3/18
CPC分类号： G05F3/185 , G05F3/18
摘要：ツェナーダイオードと該ツェナーダイオードに一定の電流を流すバイアス電流回路からなり、基準電位と電源電圧との間に介装されて前記ツェナーダイオードに所定の降伏電圧を生起する定電圧回路と、直列に接続された第1および第2の抵抗からなり、前記ツェナーダイオードに並列に接続されて前記降伏電圧を分圧して基準電圧を生成する抵抗分圧回路とを備える。特に前記抵抗分圧回路における前記ツェナーダイオードのカソード側に接続された前記第1の抵抗は抵抗温度係数を零(0)とみなし得る低温度係数抵抗体からなり、前記ツェナーダイオードのアノード側に接続された前記第2の抵抗は前記ツェナーダイオードの出力温度特性とは逆の温度特性を有する抵抗体からなる。
摘要翻译：成为齐纳二极管和从偏置电流电路中的齐纳二极管，用于提供恒定电流，即发生预定的击穿电压的齐纳二极管参考电势和电源电压之间的恒压电路，串联连接的它是第一和第二组成电阻器，和用于产生电阻分压电路将所述基准电压的击穿电压是并联连接到所述齐纳二极管。说特别是从连接到所述齐纳二极管的阴极侧由第一电阻器的低温度系数电阻器可被认为的电阻温度系数为零（0）在连接到所述齐纳二极管的阳极侧的电阻分压器它一直是第二电阻器由具有相反的齐纳二极管的输出的温度特性的温度特性的电阻器。

2. 发明专利

JPS6186820A Reference voltage generating circuit 失效
标题翻译：参考电压发生电路
公开(公告)号：JPS6186820A
公开(公告)日：1986-05-02
申请号：JP20789184
申请日：1984-10-03
申请人： Toshiba Corp
发明人： WAKAMORI HACHIRO
IPC分类号： G05F3/18 , G05F1/567
CPC分类号： G05F3/185
摘要： PURPOSE:To improve temperature characteristics by offsetting the temperature characteristics of a Zener diode with an FET constant current circuit. CONSTITUTION:An (n) channel junction type FET13, a constant current circuit 14 consisting of a source resistance R2 which is used to set a bias between the source and the gate of the FET13, and the Zener diode 15 are connected in series between power supply terminals 11 and 12. Then a power Vin is supplied through terminal 11 and 12, and a reference voltage output Vout is extracted through terminals 16 and 17. The zener voltage VZ(Vout) approximates to the ideal constant voltage characteristics since the Zener current is constant by the circuit 14 despite the change of the voltage Vin. Furthermore the temperature characteristic is provided to the circuit 14 of the FET so that the change of the Zener voltage is offset against the change of an ambient temperature.
摘要翻译：目的：通过用FET恒流电路抵消齐纳二极管的温度特性来提高温度特性。构成：An（n）通道结型FET13，由用于设置FET13的源极和栅极之间的偏置的源极电阻R2和齐纳二极管15组成的恒流电路14串联连接在电力电源端子11和12.然后通过端子11和12提供电源Vin，并且通过端子16和17提取参考电压输出Vout。齐纳电压VZ（Vout）接近理想的恒定电压特性，因为齐纳电流尽管电压Vin的变化，电路14是恒定的。此外，温度特性被提供给FET的电路14，使得齐纳压的变化抵消了环境温度的变化。

3. 发明专利

JP6237952B2 内部電源回路および半導体装置有权
公开(公告)号：JP6237952B2
公开(公告)日：2017-11-29
申请号：JP2017504889
申请日：2016-01-14
申请人：富士電機株式会社
发明人：張艶争
IPC分类号： H03K17/00 , H03K19/00 , H02M3/00
CPC分类号： H02M3/07 , G05F1/465 , G05F1/569 , G05F3/185 , H02M3/00 , H02M3/156 , H03K19/00315 , H03K5/08

4. 发明专利

JPWO2016143382A1 内部電源回路および半導体装置有权
公开(公告)号：JPWO2016143382A1
公开(公告)日：2017-07-13
申请号：JP2017504889
申请日：2016-01-14
申请人：富士電機株式会社
发明人：艶争張 , 艶争張
IPC分类号： H02M3/00 , H02M3/07
CPC分类号： H02M3/07 , B60L11/00 , G05F1/465 , G05F1/569 , G05F3/185 , H02M3/00 , H02M3/156 , H03K5/08 , H03K19/00315
摘要：内部電源の生成精度を高め、回路の誤動作の防止を図る。制御スイッチ(s0)は、電源電圧(VCC)に接続し、制御信号(Sin)にもとづきオンして電流を出力する。クランプ回路(1a)は、負荷(2)に接続し、制御スイッチ(s0)の出力電圧のクランプ制御を行う。電流制御素子(1b)は、クランプ制御される出力電圧にもとづいて、電流を導通または非導通にする。切替えスイッチ群(1c)は、スイッチ(s1、s2、s3)を含み、電流制御素子(1b)による電流制御によって変化する電圧にもとづくスイッチングを行って、内部電源を生成するための経路(L1、L2)の切替えを行う。スイッチ回路(1d)は、クランプ回路(1a)と、切替えスイッチ群(1c)との結合を断続する。

5. 发明专利

JPS5936229B2 JPS5936229B2 - 失效
公开(公告)号：JPS5936229B2
公开(公告)日：1984-09-03
申请号：JP7977075
申请日：1975-06-26
申请人： Epuson Kk , Suwa Seikosha Kk
发明人： FUTAGAWA YOSHIKYO , KUBOTA KANEMITSU , KAMAKURA HIROSHI
IPC分类号： G01R1/28 , G05F3/18 , G05F3/24 , H03M1/00 , H03M1/12
CPC分类号： G05F3/185 , H03M1/245

6. 发明专利

JP6061033B2 基準電圧回路有权
公开(公告)号：JP6061033B2
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：JP2015522700
申请日：2014-05-27
申请人：富士電機株式会社
发明人：赤羽正志
IPC分类号： G05F3/18
CPC分类号： G05F3/185 , G05F3/18

7. 发明专利

JP5051105B2 Reference voltage generation circuit and the bias circuit 有权
公开(公告)号：JP5051105B2
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：JP2008298431
申请日：2008-11-21
申请人：三菱電機株式会社
发明人：美代宮下 , 和也山本
IPC分类号： H03F1/30
CPC分类号： G05F3/185

8. 发明专利

JP2010124408A Reference voltage generating circuit and bias circuit 有权
标题翻译：参考电压发生电路和偏置电路
公开(公告)号：JP2010124408A
公开(公告)日：2010-06-03
申请号：JP2008298431
申请日：2008-11-21
申请人： Mitsubishi Electric Corp , 三菱電機株式会社
发明人： YAMAMOTO KAZUYA , MIYASHITA MIYO
IPC分类号： H03F1/30
CPC分类号： G05F3/185
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a reference voltage generating circuit and bias circuit, for suppressing gain variation caused by process variation. SOLUTION: F1-F3 are depression-mode FETs, Tr1-Tr4 are HBTs, R1-R6 are resistors, Vcb is a power supply terminal, Ven is an enable terminal, and Vref is a reference voltage terminal. A threshold voltage compensation circuit includes F3, R5, R6, Tr4. In the case where a threshold voltage Vth of the depression-mode FET is deep, a drawing current I1 of the threshold voltage compensation circuit is increased. Hence, currents flowing in Tr1 and R3 are decreased, which suppresses voltage elevation at a collector end of Tr1. COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供一种用于抑制由过程变化引起的增益变化的参考电压产生电路和偏置电路。
解决方案：F1-F3为抑制型FET，Tr1-Tr4为HBT，R1-R6为电阻，Vcb为电源端子，Ven为使能端子，Vref为参考电压端子。阈值电压补偿电路包括F3，R5，R6，Tr4。在按压模式FET的阈值电压Vth较深的情况下，阈值电压补偿电路的牵引电流I1增加。因此，在Tr1和R3中流动的电流降低，这抑制了Tr1集电极端的电压上升。版权所有（C）2010，JPO＆INPIT

9. 发明专利

JPS616716A Variable output stabilized power supply circuit 失效
标题翻译：可变输出稳定电源电路
公开(公告)号：JPS616716A
公开(公告)日：1986-01-13
申请号：JP12698184
申请日：1984-06-20
申请人： Ouji Nihonkoku
发明人： NIHONKOKU OUJI
IPC分类号： G05F1/56 , G05F3/18
CPC分类号： G05F3/185
摘要： PURPOSE:To obtain a stabilized power supply circuit whose output voltage can be varied with a simple constitution by executing impedance conversion through an FET. CONSTITUTION:A variable output stabilized power supply circuit is constituted of a junction FET 6, a power transistor (TR) 7, etc. as shown in the drawing. Voltage applied to both the ends of a Zener diode 2 is divided by resistors 3, 4 and the divided voltage is applied to the gate of said FET 6 to obtain a stabilized voltage from its source. Then, the source of the FET 6 is connected to the base of said TR 7 and a stabilized output voltage is obtained from the emitter of the TR 7. The output voltage can be varied by changing said resistor 3 or 4.
摘要翻译：目的：通过执行通过FET的阻抗转换，获得稳定的电源电路，其输出电压可以通过简单的结构进行变化。构成：如图所示，可变输出稳定电源电路由结型FET 6，功率晶体管（TR）7等构成。施加到齐纳二极管2的两端的电压被电阻器3,4分压，并且将分压电压施加到所述FET 6的栅极，以从其源极获得稳定的电压。然后，FET 6的源极连接到所述TR 7的基极，并且从TR 7的发射极获得稳定的输出电压。可以通过改变所述电阻器3或4来改变输出电压。

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