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    • 7. 发明专利
    • 半導体装置
    • 半导体器件
    • JP2015095606A
    • 2015-05-18
    • JP2013235404
    • 2013-11-13
    • セイコーエプソン株式会社
    • 北澤 岳夫畠中 浩一千葉 茂人
    • H01L27/04H01L21/60H01L21/822
    • G01S19/35H01L23/645H01L24/14H01F17/0006H01L2224/14132H01L28/10
    • 【課題】インダクターを備えた半導体装置において、インダクターの特性劣化を抑えた新たな半導体装置を実現すること。 【解決手段】半導体装置であって、基板と、前記基板に積層され、インダクターを含む第1層と、前記第1層の前記基板とは反対側に配置されたバンプ群と、を含み、前記バンプ群は、所定規則で配置された複数のバンプと、前記複数のバンプとは異なるバンプであって、前記半導体装置を平面視した場合に、当該バンプの中心が前記インダクターと重ならない少なくとも1個のバンプと、を含む、半導体装置を構成する。 【選択図】図1
    • 要解决的问题:为了实现抑制包括电感器的半导体器件中的电感器的特性劣化的新型半导体器件。解决方案:半导体器件包括:衬底; 层叠在所述基板上并且包括电感器的第一层; 以及设置在与所述基板相反的一侧的所述第一层上的凸块组。 凸起组包括基于预定规则布置的多个凸块; 并且除了所述多个凸起之外的至少一个凸起和所述至少一个凸块的中心在所述半导体器件的平面图中不与所述电感器重叠。