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1. 发明专利

JP6918434B1 半導体ウエハの評価方法、半導体ウエハの評価システム、プログラム、半導体ウエハの検査方法および半導体ウエハの検査システム有权
公开(公告)号：JP6918434B1
公开(公告)日：2021-08-11
申请号：JP2021057074
申请日：2021-03-30
申请人：直江津電子工業株式会社
发明人：茨木正 , 池内聡 , 大西力
IPC分类号： H01L21/66 , G01N21/956
摘要：【課題】半導体ウエハの異常の可能性を高い精度で評価することができる、半導体ウエハの評価方法、半導体ウエハの評価システムおよびプログラムを提供する。【解決手段】評価対象である複数の半導体ウエハの研磨面で検出されたLPD(Light Point Defect)の位置を重ね合わせたLPDの二次元分布に基づいて半導体ウエハを評価する、半導体ウエハの評価方法であって、所定の群特定指標に基づいて、LPDの二次元分布に点在する複数のLPDの中から特定のLPDからなる群を評価対象群として特定する群特定工程と、群特定指標とは異なる評価指標に基づいて、評価対象群を判定することで、前記評価対象である複数の半導体ウエハに異常の可能性があるかを評価する評価工程と、を有する、半導体ウエハの評価方法。【選択図】図1

2. 发明专利

JP2021034604A 半導体ウエハ製造方法、半導体ウエハ製造システム、および、半導体ウエハ製造用のコンピュータープログラム有权
公开(公告)号：JP2021034604A
公开(公告)日：2021-03-01
申请号：JP2019154539
申请日：2019-08-27
申请人：直江津電子工業株式会社
发明人：茨木正 , 大西力
IPC分类号： H01L21/22
摘要：【課題】半導体ウエハを加熱させる加熱処理における加熱時間を適切に算出することができる、半導体ウエハ製造方法、半導体ウエハ製造システム、および、半導体ウエハ製造用のコンピュータープログラムを提供する。【解決手段】半導体ウエハを加熱する加熱処理において、半導体ウエハの基板抵抗率Rb、加熱処理時の加熱温度T、および目標とするドーパントの拡散深さXjに基づいて、加熱処理の加熱時間tを算出し、算出した前記加熱時間tに基づいて、前記加熱処理を実行する、半導体ウエハ製造方法。【選択図】図1

3. 发明专利

JP6697772B1 半導体ウエハ製造方法、半導体ウエハ製造システム、および、半導体ウエハ製造用のコンピュータープログラム有权
公开(公告)号：JP6697772B1
公开(公告)日：2020-05-27
申请号：JP2019154539
申请日：2019-08-27
申请人：直江津電子工業株式会社
发明人：茨木正 , 大西力
IPC分类号： H01L21/22
摘要：【課題】半導体ウエハを加熱させる加熱処理における加熱時間を適切に算出することができる、半導体ウエハ製造方法、半導体ウエハ製造システム、および、半導体ウエハ製造用のコンピュータープログラムを提供する。【解決手段】半導体ウエハを加熱する加熱処理において、半導体ウエハの基板抵抗率Rb、加熱処理時の加熱温度T、および目標とするドーパントの拡散深さXjに基づいて、加熱処理の加熱時間tを算出し、算出した前記加熱時間tに基づいて、前記加熱処理を実行する、半導体ウエハ製造方法。【選択図】図1

4. 发明专利

JP5780851B2 鉄シリコン合金の製造方法有权
标题翻译：制造铁硅合金的方法
公开(公告)号：JP5780851B2
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：JP2011141134
申请日：2011-06-24
申请人：直江津電子工業株式会社
发明人：小杉明 , 赤塚武
IPC分类号： H01L35/34 , H01L35/14 , B22F3/24 , B22F3/14

5. 发明专利

JP2013258076A Negative electrode material for nonaqueous electrolyte secondary battery and method for producing the same 有权
标题翻译：用于非电解电解质二次电池的负极电极材料及其制造方法
公开(公告)号：JP2013258076A
公开(公告)日：2013-12-26
申请号：JP2012133880
申请日：2012-06-13
申请人： Shin Etsu Chem Co Ltd , 信越化学工業株式会社 , Naoetsu Electronics Co Ltd , 直江津電子工業株式会社
发明人： TANIGUCHI KAZUYUKI , NAKANISHI TETSUO , ISOTANI KATSUYUKI , KOBAYASHI SHOICHI
IPC分类号： H01M4/38 , H01M4/36 , H01M4/587
CPC分类号： H01M4/364 , H01M4/043 , H01M4/1395 , H01M4/362 , H01M4/386 , H01M4/625
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide: a negative electrode material for a nonaqueous electrolyte secondary battery, high in capacity and excellent in initial charge/discharge efficiency and cycle characteristics; a method for producing the negative electrode material for a nonaqueous electrolyte secondary battery; and a nonaqueous electrolyte secondary battery manufactured using the negative electrode material for a nonaqueous electrolyte secondary battery.SOLUTION: A negative electrode material for a nonaqueous electrolyte secondary battery includes a silicon-carbon composite material. A method for producing the negative electrode material for a nonaqueous electrolyte secondary battery includes the steps of: preparing silicon nanoparticles; preparing a silicon-carbon composite material including the silicon nanoparticles and a carbonaceous material; and subjecting the silicon-carbon composite material to thermal-compression treatment.
摘要翻译：要解决的问题：提供：非水电解质二次电池用负极材料，容量高，初始充放电效率和循环特性优异; 一种非水电解质二次电池用负极材料的制造方法，以及使用非水电解质二次电池用负极材料制造的非水电解质二次电池。解决方案：非水电解质二次电池用负极材料包括硅 - 碳复合材料。非水电解质二次电池用负极材料的制造方法包括以下工序：制备硅纳米粒子; 制备包含硅纳米颗粒和碳质材料的硅 - 碳复合材料; 并对硅 - 碳复合材料进行热压缩处理。

6. 发明专利

JP5264204B2 Impurity diffusion method of a semiconductor wafer 有权
公开(公告)号：JP5264204B2
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：JP2008030404
申请日：2008-02-12
申请人：直江津電子工業株式会社
发明人：勝行磯谷
IPC分类号： H01L21/225 , H01L21/22
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of diffusion impurity of a semiconductor wafer, capable of maintaining a powder-applied surface without being inhibited by gravity, irrespective of an angle of arranging wafers. SOLUTION: A powder 3 is charged with static electricity and then applied to each of wafers W, thereby the powder is applied over the entire surface of the wafer W by an electrostatic force with substantially uniform density and thickness. In this way, even if each of the wafers W is slanted or erected substantially vertically, the powder-applied surface is prevented from falling and is maintained between the wafers W. COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

7. 发明专利

JP2013153052A Coating liquid for p-type diffusion layer 有权
标题翻译：用于P型扩散层的涂层液
公开(公告)号：JP2013153052A
公开(公告)日：2013-08-08
申请号：JP2012013013
申请日：2012-01-25
申请人： Naoetsu Electronics Co Ltd , 直江津電子工業株式会社 , Japan Vam & Poval Co Ltd , 日本酢ビ・ポバール株式会社
发明人： ISOTANI KATSUYUKI , WATANABE SHIROYASU , KOBAYASHI TAKASHI , MATSUOKA TOSHIFUMI
IPC分类号： H01L21/225
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a coating liquid for boron and aluminum diffusion which: allows the density of a boron compound to be controlled to a desired one while using a propyleneglycol-based solvent as a solvent of a coating liquid for impurity diffusion; contains an aluminum compound used as a second impurity; enables boron and aluminum to be uniformly diffused into a semiconductor silicon substrate; causes neither variation in the surface specific resistance of the semiconductor silicon substrate after the diffusion, nor impurity crystalline precipitation; and allows the boron and aluminum to be diffused at desired densities.SOLUTION: The coating liquid for diffusion for forming a P-type diffusion layer in a semiconductor silicon substrate comprises: (a)a boron compound and (b)an aluminum compound which are used as materials for forming a P-type diffusion layer in a silicon substrate; a solvent including (c)a propyleneglycol derivative and (d)water; and a coating film forming agent consisting of (e)a polyvinyl alcohol-based resin having a saponification degree of 96 mol% or less. The content of sodium in (e) the polyvinyl alcohol-based resin is 0.2 mass% or less to the mass of the polyvinyl alcohol-based resin. The coating liquid for diffusion is arranged for the purpose of diffusing boron and aluminum into a semiconductor silicon substrate.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种用于硼和铝扩散的涂布液，其可以使用丙二醇基溶剂作为用于杂质扩散的涂布液的溶剂，将硼化合物的密度控制为所需的浓度; 含有用作第二杂质的铝化合物; 使硼和铝均匀地扩散到半导体硅衬底中; 扩散后不会导致半导体硅衬底的表面电阻率的变化，也不会造成杂质结晶析出; 并且允许硼和铝以所需的密度扩散。溶液：用于在半导体硅衬底中形成P型扩散层的用于扩散的涂布液包括：（a）硼化合物和（b）铝化合物，其为用作在硅衬底中形成P型扩散层的材料; 溶剂，包括（c）丙二醇衍生物和（d）水; 和（e）皂化度为96摩尔％以下的聚乙烯醇类树脂组成的涂膜成膜剂。（e）聚乙烯醇系树脂中的钠的含量相对于聚乙烯醇类树脂的质量为0.2质量％以下。用于扩散的涂布液用于将硼和铝扩散到半导体硅衬底中。

8. 发明专利

JP5090728B2 Evaluation method of heat treatment furnace 有权
公开(公告)号：JP5090728B2
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：JP2006354984
申请日：2006-12-28
申请人：直江津電子工業株式会社 , 信越半導体株式会社
发明人：達夫梅田 , 昇一小林 , 勝篠宮
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/304

9. 发明专利

JP4996840B2 Semiconductor device and a method of manufacturing the same 有权
公开(公告)号：JP4996840B2
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：JP2005299827
申请日：2005-10-14
申请人：信越化学工業株式会社 , 直江津電子工業株式会社
发明人：俊一五十嵐 , 力大西 , 武赤塚
IPC分类号： H01L21/225 , H01L31/04 , H01L31/10
CPC分类号： Y02E10/50

10. 发明专利

JP2012023250A Polishing device 有权
标题翻译：抛光装置
公开(公告)号：JP2012023250A
公开(公告)日：2012-02-02
申请号：JP2010161078
申请日：2010-07-15
申请人： Mat Inc , Naoetsu Electronics Co Ltd , 株式会社エム・エー・ティ , 直江津電子工業株式会社
发明人： SEKIZAWA MASAYOSHI , KATO KOJI , TANAKA MAKIO
IPC分类号： H01L21/304 , B24B37/04
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To uniformly machine a planar work piece irrespective of a temperature change.SOLUTION: A metal member 2 is divided into a plurality of pieces in the direction to which it expands/contracts most in response to its temperature change, and spaces S are made between these divided pieces 2a, then each divided pieces 2a are disposed so that each deformation amount from expansion/contraction due to a temperature change can be absorbed within the spaces S. Thus even if a deformation amount from expansion/contraction per unit area in the divided pieces 2a of the metal member 2 becomes greater than a deformation amount from expansion/contraction per unit area in a holding member 1 due to the difference of coefficient of thermal expansion between the holding member 1 whose main part is made of ceramics and the metal member 2, the holding member 1 does not deform, and a whole opposite face of planar work piece held by the holding member 1 is press-contacted to the machining face of a surface table without inclination.
摘要翻译：要解决的问题：无论温度变化如何均匀地加工平面工件。解决方案：金属构件2根据其温度变化沿其扩展/收缩的方向被分成多个片段，并且在这些分割片2a之间形成空间S，然后每个分割片2a是这样使得由于温度变化引起的膨胀/收缩的变形量能够在空间S内被吸收。因此，即使金属构件2的分割片2a中的每单位面积的膨胀/收缩的变形量变得大于由于主体部分由陶瓷制成的保持构件1与金属构件2之间的热膨胀系数的差异，保持构件1的每单位面积的膨胀/收缩变形量，保持构件1不变形，由保持构件1保持的平面工件的整个相对面与表台的加工面没有倾斜地压接。版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

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