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1. 发明专利

JP2013222886A Semiconductor module 有权
标题翻译：半导体模块
公开(公告)号：JP2013222886A
公开(公告)日：2013-10-28
申请号：JP2012094680
申请日：2012-04-18
申请人： Toshiba Corp , 株式会社東芝
发明人： YAMAGISHI DAISUKE , MASUNAGA TAKAYUKI , HISADA HIDEKI
IPC分类号： H01L25/07 , H01L25/18
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor module capable of improving the life duration and cooling performance without increasing the thickness of an insulating resin sheet.SOLUTION: A semiconductor module comprises: one or a plurality of semiconductor elements constituting at least one arm of one phase of an inverter; a first conductor 2 having a bonded surface 2c bonded to positive-side electrodes of the semiconductor elements, an outside surface 2d facing the bonded surface, and a bottom surface 2a and a top surface 2b crossing the bonded surface and the outside surface; a second conductor 3 having a bonded surface 3c bonded to negative-side electrodes of the semiconductor elements, an outside surface 3d facing the bonded surface, and a bottom surface 3a and a top surface 3b crossing the bonded surface and the outside surface; and a cooler 5 bonded to the bottom surfaces of the first and second conductors via an insulating resin sheet 4. The first and second conductors each have a cutout 6 provided at least the outside surface and located near the bottom surface.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够在不增加绝缘树脂片的厚度的情况下提高寿命和冷却性能的半导体模块。解决方案：半导体模块包括：一个或多个半导体元件，其构成至少一个臂逆变器的相位; 具有接合到半导体元件的正极电极的接合表面2c，与接合表面相对的外表面2d以及与接合表面和外表面交叉的底表面2a和顶表面2b的第一导体2; 第二导体3，其具有与半导体元件的负极电极接合的接合面3c，与接合面相对的外表面3d，以及与接合面和外表面交叉的底面3a和顶面3b。以及通过绝缘树脂片4与第一和第二导体的底面接合的冷却器5.第一和第二导体各自具有设置在至少外表面上并位于底表面附近的切口6。

2. 发明专利

JP2014160717A Power conversion device and semiconductor device 审中-公开
标题翻译：功率转换器件和半导体器件
公开(公告)号：JP2014160717A
公开(公告)日：2014-09-04
申请号：JP2013030062
申请日：2013-02-19
申请人： Toshiba Corp , 株式会社東芝
发明人： HISADA HIDEKI , TANAKA SHOICHIRO , NISHIUCHI HIDEO
IPC分类号： H01L23/40 , H01L25/07 , H01L25/18 , H02M7/48 , H05K7/20
CPC分类号： H01L2924/0002 , Y02T10/6204 , H01L2924/00
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a power conversion device which is low cost and has an improved cooling performance without causing increase in size.SOLUTION: According to an embodiment, a power conversion device comprises: a cooler 12 having a cooling surface 18a; a semiconductor device 16 which includes a semiconductor element and at least two power terminals 46a, 46b and is arranged on the cooling surface of the cooler; and a main circuit bus bar which has a plurality of connection terminals 24 connected to the power terminals of the semiconductor device. Each power terminal of the semiconductor device includes a contact part 47a which extends in a substantially perpendicular direction with respect to the cooling surface of the cooler; and a spring part 48a which is formed at a part of the contact part and elastically deformed in the perpendicular direction. The contact part of each power terminal is joined to the connection terminal of the main circuit bus bar and the spring part is elastically deformed in a compression direction.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种低成本并且具有改善的冷却性能而不引起尺寸增加的电力转换装置。解决方案：根据实施例，电力转换装置包括：具有冷却表面18a的冷却器12; 包括半导体元件和至少两个电源端子46a，46b并布置在冷却器的冷却表面上的半导体器件16; 以及主电路母线，其具有连接到半导体器件的电源端子的多个连接端子24。半导体器件的每个电源端子包括相对于冷却器的冷却表面沿大致垂直的方向延伸的接触部分47a; 以及形成在接触部的一部分并且沿垂直方向弹性变形的弹簧部48a。每个电源端子的接触部分连接到主电路母线的连接端子，弹簧部分沿压缩方向弹性变形。

3. 发明专利

JP2014131393A Inverter controller 审中-公开
标题翻译：逆变器控制器
公开(公告)号：JP2014131393A
公开(公告)日：2014-07-10
申请号：JP2012287420
申请日：2012-12-28
申请人： Toshiba Corp , 株式会社東芝
发明人： SATO KAZUHIKO , HISADA HIDEKI , TAKIMOTO HITOSHI
IPC分类号： H02M7/48
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an inverter controller capable of detecting an offset voltage of a current sensor while considering an influence in PWM control of an inverter circuit.SOLUTION: According to an embodiment, an inverter controller performs a 0A switching operation in a switching pattern, in which a voltage pulse is repeatedly applied without energizing a load, by a plurality of switching elements during a period when the driving of the load is stopped. Within a period during which the 0A switching operation is performed, the controller reads an offset voltage that is output from a current sensor and stores it in a memory.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够在考虑到逆变器电路的PWM控制的影响的同时检测电流传感器的偏移电压的逆变器控制器。解决方案：根据实施例，逆变器控制器在切换中执行0A切换操作在负载驱动停止的时段期间，通过多个开关元件重复施加电压脉冲而不对负载施加电压的图案。在执行0A切换操作的期间内，控制器读取从当前传感器输出的偏移电压并将其存储在存储器中。

4. 发明专利

JP2014239636A 電力変換装置有权
标题翻译：电源转换器件
公开(公告)号：JP2014239636A
公开(公告)日：2014-12-18
申请号：JP2014097175
申请日：2014-05-08
申请人：株式会社東芝 , Toshiba Corp
发明人： TANAKA SHOICHIRO , HIRATA MASAMI , HISADA HIDEKI
IPC分类号： H02M7/48 , H02M3/155
CPC分类号： H05K7/20236 , H02M7/53 , H05K7/20927
摘要：【課題】半導体装置の熱バラツキを抑え、冷却性能が向上した電力変換装置を提供する。【解決手段】実施形態によれば、電力変換装置は、同じスイッチング状態となるように各半導体装置にゲート信号が入力される1相分のインバータを所定相分並列に接続した第1インバータと、同じスイッチング状態となるように各半導体装置にゲート信号が入力される1相分のインバータを所定相分並列に接続し、かつ、1相分のインバータにおける前記スイッチング回路の並列数が前記第1インバータにおける並列数よりも少ない第2インバータと、冷却器を備えている。前記第1インバータの半導体装置は、前記冷却器の冷却面において第1流路上に位置する領域に設置され、前記第2インバータの半導体装置は、前記冷却面において第2流路上に位置する領域に設置されている。【選択図】図8
摘要翻译：要解决的问题：提供一种通过抑制半导体器件之间的热变化而具有改进的冷却性能的电力转换装置。解决方案：根据一个实施例，功率转换装置包括：第一反相器，包括预定相位数的并联单极相位反相器，其中每个半导体器件输入栅极信号，以便建立相同的开关状态; 第二反相器，包括预定相位数的并联单相逆变器，其中每个反相器中的栅极信号被输入到每个半导体器件中，以便建立相同的开关状态，并且每个单相具有并联数量的开关电路变频器小于第一变频器; 和一个冷却器。第一逆变器的半导体器件安装在位于第一通道上方的冷却器的冷却表面的区域中，并且第二逆变器的半导体器件安装在位于第二通道上的冷却表面的区域中。

5. 发明专利

JP2013171891A Semiconductor device, semiconductor module, and semiconductor module manufacturing method 审中-公开
标题翻译：半导体器件，半导体器件和半导体器件制造方法
公开(公告)号：JP2013171891A
公开(公告)日：2013-09-02
申请号：JP2012033426
申请日：2012-02-17
申请人： Toshiba Corp , 株式会社東芝
发明人： TOGASAKI TAKASHI , MASUNAGA TAKAYUKI , HISADA HIDEKI , UCHIDA MASAYUKI , TAJIMA NAOYUKI , SAYAMA SATOSHI
IPC分类号： H01L23/48 , H01L23/36 , H01L25/07 , H01L25/18
CPC分类号： H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2924/00014
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor device which reduces thermal resistance in a section from a semiconductor chip to a radiator and also restrains a variation in the thickness of an insulation layer caused by a metal block assembly error, thereby making it possible to improve heat radiation performance.SOLUTION: A semiconductor device comprises: a semiconductor chip 40 having an emitter electrode and a collector electrode respectively on both faces and a control electrode on at least one of the faces; an emitter plate 50 made of metal, which is joined to the emitter electrode of the semiconductor chip; a collector plate 60 made of metal, which is joined to the collector electrode of the semiconductor chip; a connection terminal connected to the control electrode via thin metal wire; and a mold resin 80 which seals the semiconductor chip, the emitter plate, the collector plate and part of the connection terminal, leaving an emitter conductive face 52 perpendicular to the bonded surface of the emitter plate with the semiconductor chip and a collector conductive face 62 perpendicular to the bonded surface of the collector plate with the semiconductor chip exposed.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种降低从半导体芯片到散热器的部分中的热阻的半导体器件，并且还抑制由金属块组装错误引起的绝缘层的厚度的变化，从而可以提高热辐射性能。解决方案：一种半导体器件包括：半导体芯片40，其在两个面上分别具有发射极和集电极，在至少一个面上具有控制电极; 由金属制成的发射极板50，其连接到半导体芯片的发射电极; 由金属制成的集电板60，其与半导体芯片的集电极接合; 连接端子，经由金属细线连接到控制电极; 以及模制树脂80，其密封半导体芯片，发射极板，集电板和连接端子的一部分，留下与半导体芯片和集电极导电面62垂直于发射极板的接合表面的发射极导电面52 垂直于集电板的接合表面，半导体芯片暴露。

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