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1. 发明专利

JP2014123704A Substrate cleaning system, substrate cleaning method and storage medium 有权
标题翻译：基板清洗系统，基板清洗方法和储存介质
公开(公告)号：JP2014123704A
公开(公告)日：2014-07-03
申请号：JP2013095997
申请日：2013-04-30
申请人： Tokyo Electron Ltd , 東京エレクトロン株式会社
发明人： KANEKO MIYAKO , ORII TAKEHIKO , SUGANO ITARU
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： H01L21/67051 , H01L21/6708 , H01L21/67109 , H01L21/6715 , H01L21/68728 , H01L21/68792
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To remove particles adhering to a substrate, while suppressing pattern collapse or erosion of a base film.SOLUTION: A substrate cleaning system comprises: a first processing section; and a second processing section. The first processing section includes a first holding section for holding a substrate, and a first supply section for supplying a process liquid containing a volatile component and forming a film entirely on the principal surface of the substrate. The second processing section includes a second holding section for holding a substrate, and a second supply section supplying a removal liquid for entirely melting a film formed on the substrate when the volatile component volatilizes from the process liquid supplied to the substrate by the first supply section, and the process liquid is solidified or hardened.
摘要翻译：要解决的问题：为了除去附着在基板上的颗粒，同时抑制基膜的图案塌陷或侵蚀。解决方案：基板清洁系统包括：第一处理部分; 和第二处理部。第一处理部包括用于保持基板的第一保持部和用于供给含有挥发成分的处理液的第一供给部，并且在基板的主面上整体地形成膜。第二处理部分包括用于保持基板的第二保持部分和第二供应部分，当挥发性成分从由第一供应部分供应到基板的处理液体挥发时，提供用于完全熔化形成在基板上的膜的去除液体，并且处理液体凝固或硬化。

2. 发明专利

JP2006159145A Fluid discharge nozzle and substrate treatment apparatus using the same 有权
标题翻译：流体喷射喷嘴和基板处理装置
公开(公告)号：JP2006159145A
公开(公告)日：2006-06-22
申请号：JP2004357771
申请日：2004-12-10
申请人： Renesas Technology Corp , Tokyo Electron Ltd , 東京エレクトロン株式会社 , 株式会社ルネサステクノロジ
发明人： SUGANO ITARU , HIROTA YUSAKU , NAGAYASU HIROSHI
IPC分类号： B05C5/00 , B05B1/02 , B05B7/04 , B05C11/08 , G03F1/82 , H01L21/027 , H01L21/304
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a fluid discharge nozzle which can supply fluid to a substrate while suppressing damage and a substrate treatment apparatus capable of suppressing readhesion of contaminants to the substrate by using the fluid discharge nozzle. SOLUTION: The gas and liquid entered from a gas inflow port 2 and a liquid inflow port 3 are mixed in a mixing section 4 and the mixture is injected from a jet orifice 6 provided at the end of a lead-out path 5 toward a semiconductor wafer 7. A curved section 8 is provided extending in the longitudinal direction of the of the lead-out path 5 from the jet orifice 6. The curved section 8 has a shape curved variously in a direction parting from a central axis 12 of the lead-out path 5. The lead-out path 5 can have a section of a rectangular shape in the longitudinal direction. COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够抑制损伤而向基板供给流体的流体排出喷嘴，以及能够通过使用流体排出喷嘴抑制污染物向基板的再粘合的基板处理装置。解决方案：从气体流入口2和液体流入口3输入的气体和液体在混合部分4中混合，并且从设置在引出路径5的端部处的喷射孔6注入混合物朝向半导体晶片7.弯曲部分8设置成从喷射孔6沿着引出通道5的纵向方向延伸。弯曲部分8具有在从中心轴线12分开的方向上不同地弯曲的形状引出路径5可以在纵向方向上具有矩形形状的截面。版权所有（C）2006，JPO＆NCIPI

3. 发明专利

JP2015046442A 基板処理方法、基板処理システムおよび記憶媒体有权
标题翻译：基板处理方法，基板处理系统和存储介质
公开(公告)号：JP2015046442A
公开(公告)日：2015-03-12
申请号：JP2013175966
申请日：2013-08-27
申请人：東京エレクトロン株式会社 , Tokyo Electron Ltd
发明人： KANEKO MIYAKO , ORII TAKEHIKO , SUGANO ITARU
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： H01L21/02068 , B05B7/00 , B05B7/2497 , B05B12/14 , B05B13/0228 , B05B15/1207 , H01L21/02063 , H01L21/30604 , H01L21/67051 , H01L21/6708 , H01L21/6715
摘要：【課題】ドライエッチング後またはアッシング後に基板上に残存する反応生成物を基板へのダメージを抑えつつ除去すること。【解決手段】実施形態に係る基板処理方法は、処理液供給工程と、除去液供給工程とを含む。処理液供給工程は、ドライエッチング後またはアッシング後の基板に対し、揮発成分を含み基板上に膜を形成するための処理液を供給する。除去液供給工程は、揮発成分が揮発することによって基板上で固化または硬化した処理液に対して処理液を除去する除去液を供給する。【選択図】図8
摘要翻译：要解决的问题：在干蚀刻或灰化之后除去残留在基板上的反应产物，同时抑制基板上的损坏。解决方案：基板处理方法包括：工艺液体供给步骤; 和去除液体供给步骤。在工艺液体供给步骤中，在干蚀刻或灰化之后，将含有挥发性成分并用于在基板上形成膜的处理液供给到基板。在去除液体供给步骤中，用于除去处理液的去除液体通过挥发性成分的挥发被供给到在基板上固化或固化的处理液。

4. 发明专利

JP2014022664A Substrate cleaning device and substrate cleaning method 审中-公开
标题翻译：基板清洁装置和基板清洁方法
公开(公告)号：JP2014022664A
公开(公告)日：2014-02-03
申请号：JP2012161989
申请日：2012-07-20
申请人： Tokyo Electron Ltd , 東京エレクトロン株式会社
发明人： SUGANO ITARU , ORII TAKEHIKO , KANEKO MIYAKO
IPC分类号： H01L21/304
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate cleaning device and a substrate cleaning method which improve the cleaning efficiency.SOLUTION: A substrate cleaning device according to one embodiment includes: a liquid supply part; and a liquefaction processing part. The liquid supply part supplies a process liquid, which contracts its volume when being frozen, to a substrate. The liquefaction processing part liquefies the process liquid which is supplied to the substrate by the liquid supply part and is frozen on the substrate.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种提高清洗效率的基板清洗装置和基板清洗方法。根据一个实施方式的基板清洁装置包括：液体供应部分; 和液化处理部。液体供应部件将冷冻时将其体积收缩的处理液供给到基板。液化处理部将通过液体供给部供给到基板的处理液液化并冷冻在基板上。

5. 发明专利

JP2013207077A Substrate processing apparatus and substrate processing method 有权
标题翻译：基板处理装置和基板处理方法
公开(公告)号：JP2013207077A
公开(公告)日：2013-10-07
申请号：JP2012074193
申请日：2012-03-28
申请人： Tokyo Electron Ltd , 東京エレクトロン株式会社
发明人： ITO KIKO , HACHIYA YOSUKE , KONO HIROSHI , AIURA KAZUHIRO , SUGANO ITARU
IPC分类号： H01L21/304
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To achieve both improved efficiency of removing a resist film and reduction in film loss in SPM processing.SOLUTION: A substrate processing method which removes the resist film formed on the surface of a substrate includes the steps of: making a heated fluid including mist of pure water flow toward the surface of the substrate, simultaneously joining an SPM liquid obtained by mixing sulfuric acid with hydrogen peroxide solution with the flow of the fluid, before the fluid reaches the surface of the substrate; and making the mixed fluid of the SPM liquid and the fluid collide with the surface of the substrate.
摘要翻译：要解决的问题：提高除去抗蚀剂膜的效率和降低SPM处理中的膜损失。解决方案：去除形成在基板表面上的抗蚀剂膜的基板处理方法包括以下步骤：使加热流体包括纯水流向衬底表面，同时在流体到达衬底表面之前，将通过将硫酸与过氧化氢溶液混合而获得的SPM液体与流体流接合; 并使SPM液体和流体的混合流体与基板的表面碰撞。

6. 发明专利

JP2005294819A Two-fluid nozzle for cleaning substrates and substrate cleaning device 有权
标题翻译：用于清洁基板和基板清洁装置的两个流体喷嘴
公开(公告)号：JP2005294819A
公开(公告)日：2005-10-20
申请号：JP2005064781
申请日：2005-03-09
申请人： Kyoritsu Gokin Co Ltd , Renesas Technology Corp , Tokyo Electron Ltd , 東京エレクトロン株式会社 , 株式会社ルネサステクノロジ , 株式会社共立合金製作所
发明人： SUGANO ITARU , HIROTA YUSAKU , SEKIGUCHI KENJI , NAGAYASU HIROSHI , SHIMOSE SHOICHI
IPC分类号： B05B7/04 , B05C11/08 , H01L21/304
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To uniform the diameters and speeds of the liquid drops in a two-fluid nozzle for cleaning substrates by mixing gas and liquid in the interior and spouting the liquid drops together with the gas so as to clean substrates.
SOLUTION: The two-fluid nozzle 5 for cleaning substrate has a gas supply passage 21 for supplying gas, a liquid supply passage 22 for supplying liquid and a lead-out passage 23 for leading out the liquid drops formed in the interior, wherein the front end of the lead-out passage 23 has a spout port 24 formed for spouting the liquid drops outside with the cross-sectional area Sb of the spout port 24 formed smaller than that Sa of the lead-out passage 23, and further the cross-sectional area Sc of the exit of the gas supply passage 21 is formed smaller than that Sa of the lead-out passage 23.
COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI
摘要翻译：要解决的问题：通过在内部混合气体和液体并将液滴与气体一起喷射以清洁基底，来均匀用于清洁基板的双流体喷嘴中的液滴的直径和速度。解决方案：用于清洁基板的双流体喷嘴5具有用于供应气体的气体供给通道21，用于供应液体的液体供应通道22和用于引出形成在内部的液滴的引出通道23，其中，引出通道23的前端具有形成用于将液滴向外喷射的吐出口24，其中喷口24的横截面积Sb形成为小于引出通道23的Sa，并且进一步气体供给通道21的出口的横截面积Sc形成为小于引出通道23的Sa。（C）2006年，JPO＆NCIPI

7. 发明专利

JP2014140085A Substrate cleaning system, substrate cleaning method, and storage medium 有权
标题翻译：基板清洁系统，基板清洁方法和存储介质
公开(公告)号：JP2014140085A
公开(公告)日：2014-07-31
申请号：JP2014096437
申请日：2014-05-08
申请人： Tokyo Electron Ltd , 東京エレクトロン株式会社
发明人： KANEKO MIYAKO , ORII TAKEHIKO , SUGANO ITARU
IPC分类号： H01L21/304
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To remove particles adhered to a substrate while preventing pattern collapse and erosion into a base film.SOLUTION: A substrate cleaning system comprises: first processors; and second processors. Each first processor includes: a first holding section for holding a substrate; and first supplying sections for supplying processing liquids, including volatile components, to the substrate for forming a film on a whole principal surface of the substrate. Each second processor includes: a second holding section for holding the substrate; and a second supplying section. The second supplying section supplies, to the substrate, a removing liquid for dissolving the whole film which is formed by being solidified or cured on the substrate when the volatile components of the processing liquids supplied by the first supplying sections to the substrate are volatilized. The second supplying section also supplies, to the substrate, a rinse liquid for removing the dissolved film and the removing liquid left on the substrate.
摘要翻译：要解决的问题：去除附着在基板上的颗粒，同时防止图案塌陷和侵蚀到基膜中。解决方案：基板清洁系统包括：第一处理器; 和第二处理器。每个第一处理器包括：用于保持基板的第一保持部分; 以及第一供应部分，用于将包含挥发性成分的处理液体供应到在基板的整个主表面上形成膜的基板。每个第二处理器包括：用于保持基板的第二保持部分; 和第二供给部。第二供给部将由第一供给部供给到基板的处理液的挥发成分挥发时，向基板供给用于溶解通过在基板上固化或固化而形成的整个膜的除去液。第二供应部分还向基材提供用于除去溶解的膜和去除残留在基材上的液体的冲洗液。

8. 发明专利

JP2014107313A Substrate cleaning method and substrate cleaning system 有权
标题翻译：基板清洗方法和基板清洗系统
公开(公告)号：JP2014107313A
公开(公告)日：2014-06-09
申请号：JP2012257081
申请日：2012-11-26
申请人： Tokyo Electron Ltd , 東京エレクトロン株式会社
发明人： KANEKO MIYAKO , ORII TAKEHIKO , SUGANO ITARU
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： H01L21/02052 , B08B3/04 , H01L21/02057 , H01L21/0206 , H01L21/0209 , H01L21/67046 , H01L21/67051 , H01L21/67115 , H01L21/6715 , H01L21/68728
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To remove particles adhering to a substrate, while suppressing pattern collapse or erosion of a base film.SOLUTION: A substrate cleaning method includes a first supply step, the other surface processing step, and a second supply step. In the first supply step, a process liquid containing a volatile component and forming a film entirely on the principal surface of the substrate is supplied to the substrate. In the other surface processing step, the other surface is processed in a state where the principal surface of the substrate is covered entirely with a film solidified or hardened due to volatilization of a volatile component from the process liquid. In the second supply step, a removal liquid for dissolving the film entirely is supplied to the substrate after the other surface processing step.
摘要翻译：要解决的问题：除去附着在基板上的颗粒，同时抑制基膜的图案塌陷或侵蚀。溶液：基材清洗方法包括第一供给步骤，另一表面处理步骤和第二供给步骤。在第一供给步骤中，将含有挥发性成分并且在基材的主表面上整体形成膜的处理液供给到基板。在另一表面处理步骤中，另外的表面是在由于处理液体挥发性成分的挥发而使基板的主面完全被膜固化或固化的状态下进行处理的。在第二供给步骤中，在另一表面处理步骤之后，将完全溶解薄膜的去除液体供给到基板。

9. 发明专利

JP2015046449A 基板処理方法、基板処理システムおよび記憶媒体有权
标题翻译：基板处理方法，基板处理系统和存储介质
公开(公告)号：JP2015046449A
公开(公告)日：2015-03-12
申请号：JP2013176087
申请日：2013-08-27
申请人：東京エレクトロン株式会社 , Tokyo Electron Ltd
发明人： KANEKO MIYAKO , ORII TAKEHIKO , SUGANO ITARU
IPC分类号： H01L21/304
摘要：【課題】金属配線にダメージを与えることなくハードマスクを除去すること。【解決手段】実施形態に係る基板処理方法は、処理液供給工程と、薬液供給工程と、除去液供給工程とを含む。処理液供給工程は、表面にハードマスクが形成され、内部に形成される金属配線の少なくとも一部が露出した基板に対し、揮発成分を含み基板上に膜を形成するための処理液を供給して、露出した金属配線の表面を覆う。薬液供給工程は、揮発成分が揮発することによって処理液が固化または硬化した基板に対し、ハードマスクを溶解させる所定の薬液を供給する。除去液供給工程は、薬液供給工程後、固化または硬化した処理液に対して処理液を除去する除去液を供給する。【選択図】図8
摘要翻译：要解决的问题：去除硬掩模而不损坏金属布线。解决方案：基板处理方法包括：工艺液体供应步骤; 化学液体供应步骤; 和去除液体供给步骤。在工艺液体供给步骤中，将含有挥发性成分并用于在基板上形成膜的处理液供给到在表面上形成有硬掩模的基板，并且内部形成的金属布线的至少一部分露出并且覆盖金属布线的露出表面。在化学品供给步骤中，将用于溶解硬掩模的预定化学液体供给到具有通过挥发性组分的挥发固化或固化的工艺液体的基材。在去除液体供给步骤中，将用于除去处理液体的除去液体供给到在药液供给工序后固化或固化的处理液。

10. 发明专利

JP2014197717A 基板洗浄装置、基板洗浄システム、基板洗浄方法および記憶媒体有权
标题翻译：基板清洁装置，系统和方法以及存储介质
公开(公告)号：JP2014197717A
公开(公告)日：2014-10-16
申请号：JP2014148906
申请日：2014-07-22
申请人：東京エレクトロン株式会社 , Tokyo Electron Ltd
发明人： KANEKO MIYAKO , ORII TAKEHIKO , SHIMURA SATORU , YAMASHITA TAKEHIDE , SUGANO ITARU
IPC分类号： H01L21/304
摘要：【課題】パターン倒れや下地膜の侵食を抑えつつ、基板に付着したパーティクルを除去すること。【解決手段】実施形態に係る基板洗浄装置は、第1の液供給部と、第2の液供給部とを備える。第1の液供給部は、揮発成分を含み基板上に膜を形成するための処理液を基板へ供給する。第2の液供給部は、第1の液供給部によって基板に供給され、揮発成分が揮発することによって基板上で固化または硬化した処理液に対して処理液の全てを溶解させる除去液を供給し、基板上に残存する溶解した処理液及び除去液を基板上から除去するリンス液を基板へ供給する。【選択図】図3
摘要翻译：要解决的问题：除去附着在基板上的颗粒，同时抑制图案塌陷和基膜腐蚀。解决方案：基板清洁装置包括第一液体供应部分和第二液体供应部分。第一液体供应部件向基板供给含有挥发性成分的处理液，用于在基板上形成膜。第二液体供应部分提供用于溶解由第一液体供应部分供应到基底的所有处理液体的去除液体，并且由于挥发性成分的蒸发而在基材上固化或固化，并且向基材a 冲洗液体，用于从基材除去溶解的处理液体和残留在基材上的去除液体。

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