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    • 2. 发明专利
    • Optical module
    • 光学模块
    • JP2012208490A
    • 2012-10-25
    • JP2012056961
    • 2012-03-14
    • Shin Etsu Chem Co Ltd信越化学工業株式会社
    • YAHAGI AKIRAWATANABE TOSHIAKI
    • G02B27/28G02F1/09
    • G02F1/093C30B11/00C30B13/00C30B15/08C30B29/24H01F7/0273
    • PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an optical module having characteristics of small-sizing and high extinction ratio appropriate for an optical isolator to be used for a high-output laser such as an e.g., fiber laser which is used for laser processing or the like.SOLUTION: An optical module comprises a Faraday rotator of which the Verdet constant in waveform 1.06 μm is 0.27 min/(Oe cm) or more and a hollow magnet which is disposed in the outer circumference of the Faraday rotator. A magnetic flux density B(Oe) applied to the Faraday rotator is settled within the range of an inequality (1) 0.5×10≤B≤1.5×10. A sample length L(cm) and an outer diameter D(cm) with which the Faraday rotator is disposed are settled within the ranges of inequalities (2) 0.70≤L≤1.10 and (3)0.20≤D≤0.60. Further, in the optical module, the Faraday rotator is formed cylindrical, meets the dimensions of (2) and (3) and has an insertion loss of 1 dB or less and an extinction ratio of 35 dB or more.
    • 要解决的问题:提供一种具有小尺寸和高消光比特性的光学模块,其适用于用于激光加工的高输出激光器例如光纤激光器的光隔离器 或类似物。 解决方案:光学模块包括法拉第旋转器,其中1.06μm波长的Verdet常数为0.27min /(Oe cm)或更大,以及设置在法拉第旋转器外周的中空磁体。 施加到法拉第旋转器的磁通密度B(Oe)在不等式(1)的范围内确定0.5×10 4 ≤B≤1.5×10 4 。 设置法拉第转子的样品长度L(cm)和外径D(cm)在不等式(2)0.70≤L≤1.10和(3)0.20≤D≤0.60的范围内稳定。 此外,在光学模块中,法拉第旋转体形成为圆柱形,满足(2)和(3)的尺寸,并且具有1dB以下的插入损耗和35dB以上的消光比。 版权所有(C)2013,JPO&INPIT
    • 3. 发明专利
    • 光アイソレータ
    • 光学隔离器
    • JP2015018145A
    • 2015-01-29
    • JP2013146110
    • 2013-07-12
    • 信越化学工業株式会社Shin Etsu Chem Co Ltd
    • YAHAGI AKIRAWATANABE TOSHIAKIMAKIKAWA SHINJI
    • G02B27/28
    • G02F1/093C04B35/50C04B35/505C04B2235/3224C04B2235/3225G02F1/0036
    • 【課題】医療用などの半導体レーザに使用される小型化した光アイソレータを提供する。【解決手段】下記式(I)の酸化物を99%以上含有する酸化物材料で構成され、波長633nm帯域のヴェルデ定数が0.90min/(Oe・cm)以上のファラディ回転子2とファラディ回転子の外周に配置される中空マグネット7とで構成される光アイソレータで、ファラディ回転子が配置されるサンプル長L(cm)は下記式(1)の範囲内に、ファラディ回転子に印加される磁束密度B(Oe)は下記式(2)の範囲内にある600−800nm波長帯域用光アイソレータである。(TbxR1-x)2O3(I)、上記式(I)中、xは0.5≦̸x≦̸1.0であり、Rはスカンジウム、イットリウムと、Tb以外のランタノイド元素群から選択される少なくとも1種の元素を含む。0.6≦̸L≦̸1.1(1)、B≦̸0.5?104(2)【選択図】図1
    • 要解决的问题:提供一种用于医疗应用等的半导体激光器和尺寸更小的光隔离器。解决方案:用于波长带600至800nm的光隔离器,由含有99% 或更多的由以下表达式(I)表示的氧化物,并且包括:具有633nm的波长带的Verdet常数的法拉第转子2不小于0.90分钟/(Oe cm); 以及布置在法拉第转子2的外周上的中空磁体7,其中布置有法拉第转子2的样品的样品长度L(cm)落在由以下表达式(1)表示的范围内,磁通量 施加到法拉第转子2的磁通的密度B(Oe)落入由下式(2)表示的范围内。 (TbxR1-x)O(I),其中x满足0.5≤x≤1.0,并且R包含选自除Tb之外的钪,钇和镧系元素中的至少一种元素。 0.6≤L≤1.1(1),B≤0.5×10(2)
    • 4. 发明专利
    • 1 μm BAND OPTICAL ISOLATOR
    • 1μmBAND光学隔离器
    • JP2012083381A
    • 2012-04-26
    • JP2010226869
    • 2010-10-06
    • Shin Etsu Chem Co Ltd信越化学工業株式会社
    • YAHAGI AKIRATANABE TOSHIYUKIWATANABE TOSHIAKI
    • G02B27/28
    • H01F7/0273G02F1/093
    • PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a down-sized 1 μm band optical isolator that is preferable as an optical isolator which is used in a high output laser such as a fiber laser used for laser processing or the like.SOLUTION: A 1 μm band optical isolator includes a Faraday rotor whose Verdet constant at the wavelength of 1.06 μm is 0.27 min/(Oe cm) or higher, a first hollow magnet arranged on the outer periphery of the Faraday rotor, and second and third hollow magnet units arranged by sandwiching the first hollow magnet on an optical axis. The second and third hollow magnet units are made up of 2 or more magnets that are equally divided in 90-degree direction with respect to the optical axis, magnetic flux density B (Oe) applied to the Faraday rotor is within the range of the following equation (1), and an optical path length L (cm) on which the Faraday rotor is arranged is within the range of the following equation (2). 0.5×10≤B≤1.5×10(1) 0.70≤L≤1.10 (2)
    • 要解决的问题:提供一种较小的1微米光束隔离器,其优选作为用于激光加工等的高输出激光器如光纤激光器中的光隔离器。 解决方案:1μm波段光隔离器包括法拉第转子,其Verdet常数在1.06μm波长为0.27分钟/(Oe cm)或更高,布置在法拉第转子外周的第一中空磁体,以及 通过将第一中空磁体夹在光轴上而布置的第二和第三中空磁体单元。 第二和第三中空磁体单元由相对于光轴在90度方向上等分的2个以上的磁体构成,施加到法拉第转子的磁通密度B(Oe)在以下范围内 方程(1)和布拉法拉第转子的光程长度L(cm)在下面的等式(2)的范围内。 0.5×10 4 ≤B≤1.5×10 4 (1)0.70≤L≤1.10(2) (C)2012,JPO&INPIT