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1. 发明专利

JP2015019074A 半導体装置审中-公开
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：JP2015019074A
公开(公告)日：2015-01-29
申请号：JP2014162301
申请日：2014-08-08
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所 , Semiconductor Energy Lab Co Ltd
发明人： YAMAZAKI SHUNPEI , MURAKAMI TOMOHITO , OSAME MITSUAKI
IPC分类号： H01L21/336 , G09F9/30 , H01L21/00 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L27/08 , H01L27/32 , H01L29/04 , H01L29/786 , H01L31/0336 , H01L31/036 , H01L31/0376 , H01L31/20 , H01L51/50 , H05B33/12 , H05B33/14 , H05B33/22
CPC分类号： H01L27/1248 , H01L27/1214 , H01L27/124 , H01L27/1255 , H01L27/3244 , H01L27/3246 , H01L27/3258 , H01L27/326 , H01L27/3262 , H01L29/4958 , H01L29/4966 , H01L29/78645 , H01L51/5237 , H01L51/524 , H01L51/5253 , H01L51/5271 , H01L2251/5315
摘要：【課題】作製工程におけるプラズマダメージの影響を低減し、しきい値電圧のばらつきの抑制された均一な表示特性の半導体装置を提供する。【解決手段】トランジスタ上の平坦化層113と、平坦化層の上面もしくは下面に設けられると共に平坦化層からの水分や脱ガス成分の拡散を抑制するバリア112層を備えた半導体装置であって、これら平坦化層及びバリア層の位置関係を工夫することにより平坦化層に及ぶプラズマダメージを低減する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种在半导体器件的制造过程中具有抑制阈值电压波动的均匀显示特性的半导体器件，同时影响等离子体损伤。解决方案：半导体器件包括：晶体管上的平坦化层113 ; 以及设置在平坦化层113的上表面或下表面上的阻挡层112，并且还抑制湿气或脱气成分从平坦化层113扩散。通过设计扁平层113之间的位置关系，可以减小平坦层上的等离子体损伤扁平层和阻挡层。

2. 发明专利

JP2015007779A 表示装置及び電子機器审中-公开
标题翻译：显示设备和电子设备
公开(公告)号：JP2015007779A
公开(公告)日：2015-01-15
申请号：JP2014141129
申请日：2014-07-09
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所 , Semiconductor Energy Lab Co Ltd
发明人： ASAMI MUNEHIRO , OSAME MITSUAKI , SHIONOIRI YUTAKA , NAGAO SHO
IPC分类号： G09F9/30 , G02F1/133 , G02F1/1368 , G09G3/36 , H01L21/336 , H01L27/00 , H01L29/786 , H01L51/50 , H03M9/00
CPC分类号： G09G3/3688 , G09G2310/027 , G09G2310/0286 , G09G2310/0289 , H03M9/00
摘要：【課題】新規構造の画素部を提供する。【解決手段】画素部は、第1のトランジスタのチャネル形成領域を有する第1の半導体層と、第2のトランジスタのチャネル形成領域を有する第2の半導体層と、第1のトランジスタのゲート電極として機能する領域を有する第1の導電層と、第2のトランジスタのゲート電極として機能する領域を有する第2の導電層と、第1の配線として機能する領域を有し、且つ第1の導電層と電気的に接続された第3の導電層と、第2の配線として機能する領域を有し、且つ第1の半導体層と電気的に接続された第4の導電層と、第1の半導体層及び第2の導電層と電気的に接続された第5の導電層と、第2の半導体層と電気的に接続された第6の導電層と、第2の半導体層と電気的に接続された第7の導電層と、画素電極43として機能する領域を有し、且つ第7の導電層と電気的に接続された第8の導電層と、を有する。【選択図】図28
摘要翻译：要解决的问题：提供新结构的像素单元。解决方案：像素单元包括：具有第一晶体管的沟道形成区域的第一半导体层; 具有第二晶体管的沟道形成区域的第二半导体层; 具有用作第一晶体管的栅电极的区域的第一导电层; 具有用作第二晶体管的栅电极的区域的第二导电层; 具有用作第一布线并与第一导电层电连接的区域的第三导电层; 第四导电层，具有用作第二布线并与第一半导体层电连接的区域; 电连接到第一半导体层和第二导电层的第五导电层; 电连接到第二半导体层的第六导电层; 电连接到第二半导体层的第七导电层; 以及具有用作像素电极43并与第七导电层电连接的区域的第八导电层。

3. 发明专利

JP2014222351A 発光装置有权
公开(公告)号：JP2014222351A
公开(公告)日：2014-11-27
申请号：JP2014132514
申请日：2014-06-27
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所 , Semiconductor Energy Lab Co Ltd
发明人： UDAGAWA MAKOTO , HAYAKAWA MASAHIKO , KOYAMA JUN , OSAME MITSUAKI , MIYAZAKI AYA
IPC分类号： G09F9/30 , H01L21/8234 , H01L21/8238 , H01L27/06 , H01L27/08 , H01L27/092 , H01L27/32 , H01L29/786 , H01L51/50
CPC分类号： Y02B20/36
摘要：【課題】駆動用トランジスタと、スイッチング用トランジスタを有する発光装置において、トランジスタのばらつきを低減する。【解決手段】駆動用トランジスタと、スイッチング用トランジスタを有する発光装置において、駆動用トランジスタのチャネル幅をチャネル長よりも小さくする。その際、ゲート配線と平行にアノード側電源線を設けて、フルカラー表示を行う。【選択図】図8

4. 发明专利

JP2014132574A Semiconductor device 有权
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：JP2014132574A
公开(公告)日：2014-07-17
申请号：JP2014014251
申请日：2014-01-29
申请人： Semiconductor Energy Lab Co Ltd , 株式会社半導体エネルギー研究所
发明人： MURAKAMI TOMOHITO , YAMAZAKI SHUNPEI , KOYAMA JUN , OSAME MITSUAKI , TANAKA YUKIO , HIRAKATA YOSHIHARU
IPC分类号： H05B33/04 , G02F1/1362 , H01L21/336 , H01L21/77 , H01L21/84 , H01L27/12 , H01L29/786 , H01L51/50 , H05B33/06 , H05B33/08 , H05B33/12 , H05B33/14
CPC分类号： H01L27/1244 , G02F1/13454 , G02F1/136213 , H01L27/1255 , H01L27/1259 , H01L27/15 , H01L29/458 , H01L29/66757 , H01L29/786 , H01L29/78645 , H01L29/78675 , H01L31/02164
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To solve the problem with contamination of impurities contained in a color filter.SOLUTION: A semiconductor device includes: a thin film transistor; a source electrode and a drain electrode electrically connected to the thin film transistor; a first insulation film on the thin film transistor, the source electrode, and the drain electrode; a color filter on the first insulation film; a second insulation film on the color filter; and a pixel electrode on the second insulation film. The first insulation film includes silicon nitride. The color filter has a first opening and the second insulation film has a second opening. The second opening is provided inside the first opening. The pixel electrode is electrically connected to one of the source electrode and the drain electrode via the first opening and the second opening. The color filter is not in contact with the pixel electrode, the source electrode, and the drain electrode.
摘要翻译：要解决的问题：为了解决滤色器中所含杂质污染的问题。解决方案：半导体器件包括：薄膜晶体管; 电连接到薄膜晶体管的源电极和漏电极; 薄膜晶体管上的第一绝缘膜，源电极和漏电极; 第一绝缘膜上的滤色器; 彩色滤光片上的第二绝缘膜; 以及第二绝缘膜上的像素电极。第一绝缘膜包括氮化硅。滤色器具有第一开口，第二绝缘膜具有第二开口。第二开口设置在第一开口的内部。像素电极经由第一开口和第二开口电连接到源电极和漏电极中的一个。滤色器不与像素电极，源电极和漏电极接触。

5. 发明专利

JP2014067046A Light emitting device 有权
标题翻译：发光装置
公开(公告)号：JP2014067046A
公开(公告)日：2014-04-17
申请号：JP2013230199
申请日：2013-11-06
申请人： Semiconductor Energy Lab Co Ltd , 株式会社半導体エネルギー研究所
发明人： OSAME MITSUAKI , MIYAZAKI AYA , KOYAMA JUN , UDAGAWA MAKOTO , HAYAKAWA MASAHIKO , YAMAZAKI SHUNPEI
IPC分类号： G09F9/30 , G09G3/32 , H01L21/336 , H01L27/32 , H01L29/786 , H01L51/50
CPC分类号： H01L33/08 , G09G3/3233 , G09G2300/0426 , G09G2300/0842 , G09G2310/0254 , G09G2320/043 , H01L27/3211 , H01L27/3262 , H01L27/3265 , H01L27/3295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To solve the problem of shrink by making an opening simple.SOLUTION: For a light emitting device of a three transistor type having a drive transistor, a switching transistor and an erasure transistor in a pixel, two TFTs of a TFT 5505 for switching and a TFT 5506 for erasing are arranged between a first gate signal line 5502 and a second gate signal line 5503. In such the arrangement, an opening ratio is increased and the opening is also formed in a simple shape.
摘要翻译：要解决的问题：通过简化开口来解决收缩的问题。解决方案：对于在像素中具有驱动晶体管，开关晶体管和擦除晶体管的三晶体管类型的发光器件，TFT的两个TFT 5505用于切换和用于擦除的TFT 5506被布置在第一栅极信号线5502和第二栅极信号线5503之间。在这种布置中，开口率增加并且开口也形成为简单的形状。

6. 发明专利

JP2014056242A Semiconductor device 有权
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：JP2014056242A
公开(公告)日：2014-03-27
申请号：JP2013197813
申请日：2013-09-25
申请人： Semiconductor Energy Lab Co Ltd , 株式会社半導体エネルギー研究所
发明人： MURAKAMI TOMOHITO , YAMAZAKI SHUNPEI , KOYAMA JUN , OSAME MITSUAKI , TANAKA YUKIO , HIRAKATA YOSHIHARU
IPC分类号： G09F9/30 , C09K3/10 , G02B5/20 , G02F1/1335 , G02F1/1362 , G02F1/1368 , H01L21/336 , H01L21/77 , H01L21/84 , H01L27/12 , H01L27/32 , H01L29/786 , H01L51/50 , H05B33/02 , H05B33/04 , H05B33/12
CPC分类号： H01L27/1244 , G02F1/13454 , G02F1/136213 , H01L27/1255 , H01L27/1259 , H01L27/15 , H01L29/458 , H01L29/66757 , H01L29/786 , H01L29/78645 , H01L29/78675 , H01L31/02164
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To solve the problem of contamination caused by impurities contained in a color filter.SOLUTION: A semiconductor device includes: a thin-film transistor; a source electrode and a drain electrode electrically connected with the thin-film transistor; a first insulation film on the thin-film transistor, the source electrode and the drain electrode; a color filter on the first insulation film; a second insulation film on the color filter; and a pixel electrode on the second insulation film, wherein the first insulation film has silicon nitride, the color filter has a first opening part, the second insulation film has a second opening part, the second opening part is disposed inside the first opening part, the pixel electrode is electrically connected with one of the source electrode and the drain electrode via the first opening part and the second opening part and the color filter does not come into contact with the pixel electrode, the source electrode and the drain electrode.
摘要翻译：要解决的问题：为了解决由滤色器中所含杂质引起的污染的问题。解决方案：半导体器件包括：薄膜晶体管; 与所述薄膜晶体管电连接的源电极和漏电极; 薄膜晶体管上的第一绝缘膜，源电极和漏电极; 第一绝缘膜上的滤色器; 彩色滤光片上的第二绝缘膜; 以及第二绝缘膜上的像素电极，其中，所述第一绝缘膜具有氮化硅，所述滤色器具有第一开口部，所述第二绝缘膜具有第二开口部，所述第二开口部配置在所述第一开口部的内部，像素电极经由第一开口部和第二开口部与源极电极和漏极电极中的一个电连接，滤色器不与像素电极，源极电极和漏极电极接触。

7. 发明专利

JP2013174921A Display device 有权
标题翻译：显示设备
公开(公告)号：JP2013174921A
公开(公告)日：2013-09-05
申请号：JP2013103000
申请日：2013-05-15
申请人： Semiconductor Energy Lab Co Ltd , 株式会社半導体エネルギー研究所
发明人： OSAME MITSUAKI , KATO TAICHI
IPC分类号： G09G3/30 , G09G3/20
CPC分类号： H01L33/0041 , G09G3/3258 , G09G3/3291 , G09G2300/0819 , G09G2300/0847 , G09G2310/0251 , G09G2320/0238 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a display device with which light emission and no light emission of a light emitting element can be more precisely controlled and an electronic device using the same.SOLUTION: The display device with a compensation circuit 109 that applies a fixed potential constantly to a gate electrode of a driving transistor 106 for a desired period is provided. By providing the compensation circuit, the potential fluctuation in the gate electrode of the driving transistor is prevented. Accordingly, the occurrence of a black float liable to be recognized as a display defect particularly in the case of a black display is suppressed and the light emission and no light emission of a light emitting element can be more precisely controlled. Specifically, each difference voltage value between an anode and a cathode of the light emitting element is utilized in the case where the light emitting element emits light and emits no light. In a case where the light emitting element emits light, a potential of the gate electrode of the driving transistor is to be held; and in a case where the light emitting element emits no light, a potential that certainly turns off the potential of the gate electrode of the driving transistor is kept on applying to the gate electrode of the driving transistor.
摘要翻译：要解决的问题：提供可以更精确地控制发光元件的发光和发光的显示装置和使用其的电子装置。解决方案：具有补偿电路109的显示装置，其应用固定提供了持续期望驱动晶体管106的栅极的电位。通过设置补偿电路，可以防止驱动晶体管的栅极电位的波动。因此，特别是在黑色显示的情况下，易于被识别为显示缺陷的黑色浮动的发生被抑制，并且可以更精确地控制发光元件的发光和不发光。具体地说，在发光元件发光并且不发光的情况下，利用发光元件的阳极和阴极之间的每个差值电压值。在发光元件发光的情况下，要保持驱动晶体管的栅电极的电位; 并且在发光元件不发光的情况下，保持驱动晶体管的栅电极的电位肯定下降的电位施加到驱动晶体管的栅电极。

8. 发明专利

JP2013083991A Display unit 有权
标题翻译：显示单元
公开(公告)号：JP2013083991A
公开(公告)日：2013-05-09
申请号：JP2012258611
申请日：2012-11-27
申请人： Semiconductor Energy Lab Co Ltd , 株式会社半導体エネルギー研究所
发明人： OTANI HISASHI , OSAME MITSUAKI , SHIINA YASUKO
IPC分类号： G09F9/30 , H01L27/32 , H01L51/50
CPC分类号： Y02B20/343
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a display unit which is unaffected by occurrence of burn-in, achieves enhanced functionality and high value addition, reduces power consumption, accurately writes signals, and improves the duty factor.SOLUTION: A display unit includes a first display region and a second display region, which are disposed on one surface of a substrate. The first display region includes a plurality of first pixels 13, and the second display region includes a plurality of second pixels 14. Each of the first pixel 13 and the second pixel 14 includes a light emitter. The first pixels and the second pixels have pitches in the column direction and pitches in the raw direction, respectively, and the pitches "a" and "c" in one direction is identical, while the pitches "b" and "d" in another direction is different.
摘要翻译：要解决的问题：为了提供不受老化现象影响的显示单元，实现增强的功能和高附加值，降低功耗，精确写入信号，并提高占空比。解决方案：显示单元包括设置在基板的一个表面上的第一显示区域和第二显示区域。第一显示区域包括多个第一像素13，第二显示区域包括多个第二像素14.第一像素13和第二像素14中的每一个包括光发射器。第一像素和第二像素分别在列方向上具有间距并沿原始方向间距，并且在一个方向上的间距“a”和“c”相同，而另一个方向上的间距“b”和“d” 方向不同。版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

9. 发明专利

JP2013061667A Display device 有权
标题翻译：显示设备
公开(公告)号：JP2013061667A
公开(公告)日：2013-04-04
申请号：JP2012249171
申请日：2012-11-13
申请人： Semiconductor Energy Lab Co Ltd , 株式会社半導体エネルギー研究所
发明人： OSAME MITSUAKI , MIYAZAKI AYA , KOJIMA MASARU , FUKUMOTO RYOTA
IPC分类号： G09G3/30 , G09G3/14 , G09G3/20 , H01L21/77 , H01L27/12 , H01L27/32 , H01L51/50 , H05B33/00 , H05B33/14
CPC分类号： H01L27/3262 , G09G3/2022 , G09G3/3233 , G09G3/3291 , G09G2300/0426 , G09G2300/0842 , G09G2300/0861 , G09G2310/0251 , G09G2320/0219 , G09G2320/0233 , H01L27/12 , H01L27/1214 , H01L27/1222 , H01L27/124 , H01L27/1251 , H01L27/1255 , H01L27/3244 , H01L27/3246 , H01L27/3248 , H01L27/3276 , H01L29/78675 , H01L51/52 , H01L2251/5323 , H04M1/0266
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a display device in which unevenness of luminance of a display element between pixels caused by variation of properties of a driving transistor is suppressed.SOLUTION: A display device comprises a driving transistor, a switch, and a display element. In the driving transistor, a source or a drain is connected electrically to first wiring, and a gate is connected electrically to second wiring. Supply of current from the source or the drain of the transistor to the display element is controlled by the switch.

10. 发明专利

JP2012083771A Light-emitting device 有权
标题翻译：发光装置
公开(公告)号：JP2012083771A
公开(公告)日：2012-04-26
申请号：JP2011254752
申请日：2011-11-22
申请人： Semiconductor Energy Lab Co Ltd , 株式会社半導体エネルギー研究所
发明人： OSAME MITSUAKI , MIYAZAKI AYA , KOYAMA JUN , UDAGAWA MAKOTO , HAYAKAWA MASAHIKO , YAMAZAKI SHUNPEI
IPC分类号： G09F9/30 , G09G3/32 , H01L21/336 , H01L27/32 , H01L29/786 , H01L51/50 , H05B33/08 , H05B33/12 , H05B33/22
CPC分类号： H01L33/08 , G09G3/3233 , G09G2300/0426 , G09G2300/0842 , G09G2310/0254 , G09G2320/043 , H01L27/3211 , H01L27/3262 , H01L27/3265 , H01L27/3295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To solve a problem of a shrink by making an aperture part simple.SOLUTION: A light emitting-device of a three-transistor type comprises in a pixel: a driving transistor; a switching transistor; and an erasing transistor. In the light-emitting device, two TFTs of a switching TFT 5505 and an erasing TFT 5506 are arranged between a first gate signal line 5502 and a second gate signal line 5503. By this arrangement, an aperture ratio is increased and an aperture part is also formed in a simple shape.

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