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1. 发明专利

JP2010020046A Anti-static film forming composition for upper layer of electron beam resist 有权
标题翻译：防静电膜成型电极束上层组合物
公开(公告)号：JP2010020046A
公开(公告)日：2010-01-28
申请号：JP2008179869
申请日：2008-07-10
申请人： Nissan Chem Ind Ltd , 日産化学工業株式会社
发明人： SAKAMOTO RIKIMARU , ISHIDA TOMOHISA , KA HOKEI
IPC分类号： G03F7/11 , G03F7/38 , H01L21/027
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an anti-static film forming composition used for an upper layer of an electron beam resist, a resist pattern using it, and a method of manufacturing a semiconductor device.
SOLUTION: This anti-static film forming composition is used for the upper layer of the electron beam resist including water soluble resin and ion liquid. The water soluble resin is nonionic resin, anionic resin or cationic resin. The ion liquid includes cation selected from a group of imidazolium, pyridinium, pyrrolinium, phosphonium, ammonium, and sulphonium. The ion liquid includes anion selected from a group of halogen, carboxylate, sulfate, sulfonate, thiocyanate, aluminate, borate, phosphate, phosphinate, amid, antimonate, imide and methide.
COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供用于电子束抗蚀剂的上层的抗静电成膜组合物，使用它的抗蚀图案，以及制造半导体器件的方法。解决方案：该防静电成膜组合物用于包含水溶性树脂和离子液体的电子束抗蚀剂的上层。水溶性树脂是非离子树脂，阴离子树脂或阳离子树脂。离子液体包括选自咪唑鎓，吡啶鎓，吡咯啉，鏻，铵和锍的阳离子。离子液体包括选自卤素，羧酸盐，硫酸盐，磺酸盐，硫氰酸盐，铝酸盐，硼酸盐，磷酸盐，次膦酸盐，酰胺，锑酸盐，酰亚胺和甲基化物的阴离子。版权所有（C）2010，JPO＆INPIT

2. 发明专利

JP2017083849A 添加剤を含むケイ素含有ＥＵＶレジスト下層膜形成組成物审中-公开
公开(公告)号：JP2017083849A
公开(公告)日：2017-05-18
申请号：JP2016225412
申请日：2016-11-18
申请人：日産化学工業株式会社 , Nissan Chem Ind Ltd
发明人： SHIGAKI SHUHEI , TANIGUCHI HIROAKI , SHIBAYAMA WATARU , SAKAMOTO RIKIMARU , KA HOKEI
IPC分类号： G03F7/26 , G03F7/11 , G03F7/32 , H01L21/027
CPC分类号： H01L21/3081 , C08G77/26 , C08G77/388 , C09D183/04 , C09D183/08 , G03F7/0751 , G03F7/0752 , G03F7/091 , G03F7/094 , H01L21/3086 , C08K5/548 , C08K5/5455
摘要：【課題】レジスト形状が良好なEUVレジスト下層膜形成組成物を提供する。【解決手段】加水分解性シラン(a)の加水分解縮合物を含むポリシロキサン(A)と、スルホンアミド構造、カルボン酸アミド構造、ウレア構造、又はイソシアヌル酸構造を有する加水分解性シラン化合物(b)とを含むEUVリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物。加水分解性シラン(a)と、スルホンアミド構造、カルボン酸アミド構造、ウレア構造、又はイソシアヌル酸構造を有する加水分解性シラン化合物(b)との加水分解縮合物を含むポリシロキサン(B)とを含むEUVリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物。ポリシロキサン(A)が、テトラアルコキシシランとアルキルトリアルコキシシランとアリールトリアルコキシシランとの共加水分解縮合物である。【選択図】なし

3. 发明专利

JP2010078981A Rinse liquid applied to lithography process, and method of forming resist pattern using the rinse liquid 审中-公开
标题翻译：应用于平版印刷工艺的冲洗液，以及使用冲洗液形成电阻图案的方法
公开(公告)号：JP2010078981A
公开(公告)日：2010-04-08
申请号：JP2008247904
申请日：2008-09-26
申请人： Nissan Chem Ind Ltd , 日産化学工業株式会社
发明人： HIROI YOSHIOMI , KA HOKEI , SAKAMOTO RIKIMARU , KIMURA SHIGEO
IPC分类号： G03F7/32 , G03F7/40 , H01L21/027
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent an edge shape of a resist pattern formed on a lower-layer film from becoming a fitting (overcut) shape.
SOLUTION: A substrate after a first lithography process is cleaned using a rinse liquid containing an acid represented by formula (0) (where X is a hydrocarbon group with C1-8 that may have at least one of hydrogen atoms replaced with a halogen atom, a phenyl group or naphthyl group that may have a substituent, or a hydroxyl group) and a solvent.
COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：为了防止形成在下层膜上的抗蚀剂图案的边缘形状变成拟合（过切）形状。解决方案：使用含有由式（0）表示的酸的洗涤液（其中X是具有C1-8的烃基，其可以具有至少一个氢原子被卤原子，可以具有取代基的苯基或萘基，或羟基）和溶剂。版权所有（C）2010，JPO＆INPIT

4. 发明专利

JP2008256966A Silicon-containing resist underlayer film forming composition for forming electron beam cured silicon-containing resist underlayer film 有权
标题翻译：用于形成电子束固化的含硅耐腐蚀膜的含硅膜电解质成膜组合物
公开(公告)号：JP2008256966A
公开(公告)日：2008-10-23
申请号：JP2007099333
申请日：2007-04-05
申请人： Nissan Chem Ind Ltd , 日産化学工業株式会社
发明人： TAKEI SATOSHI , KA HOKEI
IPC分类号： G03F7/11 , C08F299/08 , C08G77/20 , G03F7/40 , H01L21/027
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a resist underlayer film forming composition used in a lithography process of semiconductor device manufacture. SOLUTION: The resist underlayer film forming composition cured by electron beam irradiation on a resist underlayer film used as a under layer of a photoresist in a lithography process of semiconductor device manufacture contains a polymerizable substance. The polymerizable substance is a compound having at least one reactive group which is polymerizable upon electron beam irradiation. The reactive group which is polymerizable upon electron beam irradiation is a reactive group having a carbon-carbon unsaturated multiple bond or a reactive group having an epoxy group. The reactive group having a carbon-carbon unsaturated multiple bond is an acrylate group, a methacrylate group or a vinyl ether group. COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供在半导体器件制造的光刻工艺中使用的形成抗蚀剂下层膜的组合物。解决方案：通过电子束照射固化在抗蚀剂下层膜上的抗蚀剂下层膜形成组合物在半导体器件制造的光刻工艺中用作光致抗蚀剂的下层，含有可聚合物质。可聚合物质是具有至少一个电子束照射时可聚合的反应性基团的化合物。电子束照射时可聚合的反应性基团是具有碳 - 碳不饱和多键的反应性基团或具有环氧基团的反应性基团。具有碳 - 碳不饱和多键的反应性基团是丙烯酸酯基，甲基丙烯酸酯基或乙烯基醚基。版权所有（C）2009，JPO＆INPIT

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