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1. 发明专利

JP2015044727A ＳｉＣエピタキシャルウエハの製造方法审中-公开
标题翻译： SiC外延波形的制造方法
公开(公告)号：JP2015044727A
公开(公告)日：2015-03-12
申请号：JP2014001156
申请日：2014-01-07
申请人：三菱電機株式会社 , Mitsubishi Electric Corp
发明人： KAWABATA NAOYUKI , TANAKA TAKANORI , MITANI YOICHIRO , TOMITA NOBUYUKI
IPC分类号： C30B29/36 , C23C16/42 , C30B25/16
摘要：【課題】エピタキシャル層の内部に発生する短キャロット欠陥を低減するSiCエピタキシャルウエハの製造方法を提供する。【解決手段】SiCエピタキシャルウエハの製造において、SiC基板にシリコン原子を含む第1ガス及び炭素原子を含む第2ガスを供給して、SiC基板上に炭化珪素半導体層をエピタキシャル成長する工程S4と、前記SiC基板に対する第1,第2ガスの少なくとも一方の供給を20秒以上停止し、前記SiC基板を還元性ガス雰囲気中でアニールする工程S5と、前記SiC基板にシリコン原子を含む第1ガス及び炭素原子を含む第2ガスを供給して、前記SiC基板上に炭化珪素半導体層をエピタキシャル成長する工程S6と、を備える。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：提供一种减少在外延层中产生的胡萝卜缺陷的SiC外延晶片的制造方法。解决方案：一种用于SiC外延晶片的制造方法包括：供给含有硅原子的第一气体和含有碳原子的第二气体通过SiC衬底上的外延生长形成碳化硅半导体层，停止向SiC衬底供给至少一个第一气体和第二气体的步骤S5 秒或更长时间，并在还原气体气氛下退火SiC衬底;以及步骤S6，将含有硅原子的第一气体和含有碳原子的第二气体供给到SiC衬底，以通过外延生长形成碳化硅半导体层 SiC衬底。

2. 发明专利

JP2013239606A Method for manufacturing silicon carbide epitaxial wafer 有权
标题翻译：制造碳化硅外延层的方法
公开(公告)号：JP2013239606A
公开(公告)日：2013-11-28
申请号：JP2012112101
申请日：2012-05-16
申请人： Mitsubishi Electric Corp , 三菱電機株式会社
发明人： TANAKA TAKANORI , MITANI YOICHIRO , KAWABATA NAOYUKI , TOMITA NOBUYUKI , KUROIWA TAKEHARU
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/42 , H01L21/20
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing a silicon carbide epitaxial wafer by which a silicon carbide epitaxial wafer with less current leak defect can be manufactured in a relatively short time.SOLUTION: The method comprises: a first epitaxial growth step 21 for forming a first epitaxial growth layer on a silicon carbide substrate at a first epitaxial growth rate R; a rate-changing step 22 for increasing the epitaxial growth rate of silicon carbide from the first epitaxial growth rate Rto a second epitaxial growth rate R; and a second epitaxial growth step 23 for forming a second epitaxial growth layer on the first epitaxial growth layer at the second epitaxial growth rate R. In the rate-changing step 22, the epitaxial growth rate of silicon carbide is changed so that the thickness of a rate-changing layer formed during a required time Tof the rate-changing step 22 is less than 30 nm.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种用于制造碳化硅外延晶片的方法，通过该方法可以在相对短的时间内制造具有较小电流泄漏缺陷的碳化硅外延晶片。解决方案：该方法包括：第一外延生长步骤21，用于在第一外延生长速率R下在碳化硅衬底上形成第一外延生长层; 速率改变步骤22，用于将碳化硅的外延生长速率从第一外延生长速率R增加到第二外延生长速率R; 以及第二外延生长步骤23，用于以第二外延生长速率R在第一外延生长层上形成第二外延生长层。在速率改变步骤22中，改变碳化硅的外延生长速率，在所需时间期间形成的速率变化层Tof速率变化步骤22小于30nm。

3. 发明专利

JP2015040752A 半導体評価装置および評価方法审中-公开
标题翻译：半导体评估装置和半导体评估方法
公开(公告)号：JP2015040752A
公开(公告)日：2015-03-02
申请号：JP2013171477
申请日：2013-08-21
申请人：三菱電機株式会社 , Mitsubishi Electric Corp
发明人： SUDO KAZUYUKI , TANAKA TAKANORI
IPC分类号： G01N21/65 , G02B7/28 , G02B7/36
摘要：【課題】高い空間分解能を有する共焦点ラマン分光分析装置では、実際に半導体検査を目的とした物性測定を行う場合、所望の2次元空間分解能を得るための光学系をセットすると、半導体材料自体の表面構造や反りによる歪みにより、測定中にジャストフォーカスを維持することが困難となる問題があった。【解決手段】この発明に係る半導体評価装置は、所定の波長の励起光を発する励起光源と、評価対象の試料を設置するステージと、複数のレンズを有し、試料に照射する励起光の焦点深度を深くする焦点機構を設けたレンズユニットと、試料からの散乱光の内、励起光が有する波長から変化した所定の波長を有する非弾性散乱光成分を分離するエッジフィルタと、非弾性散乱光成分に係る波長および光強度を測定する測定部とを備えたものである。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：为了解决具有高空间分辨率的共焦拉曼光谱分析仪的问题，在半导体材料本身的表面结构的测量期间难以保持正焦，或者如果用于获得期望的光学系统在实际测量半导体检测物理特性的情况下，将二维空间分辨率设置为共焦拉曼光谱分析仪。本发明的半导体评估装置包括：发射预定波长的激发光的激发光源; 在其上安装评估对象样本的阶段; 透镜单元，包括多个透镜，并且具有增加辐射到样本上的激发光的焦深的聚焦机构; 将来自激发光的波长的预定波长的非弹性散射光分量与来自样品的散射光分离的边缘滤波器; 以及测量与非弹性散射光分量相关的波长和光强度的测量单元。

4. 发明专利

JP2014192163A METHOD FOR MANUFACTURING SiC EPITAXIAL WAFER 审中-公开
标题翻译：制造SiC外延晶片的方法
公开(公告)号：JP2014192163A
公开(公告)日：2014-10-06
申请号：JP2013063171
申请日：2013-03-26
申请人： Mitsubishi Electric Corp , 三菱電機株式会社
发明人： MITANI YOICHIRO , TOMITA NOBUYUKI , TANAKA TAKANORI , KAWABATA NAOYUKI
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/42 , C30B25/20 , C30B29/36
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing an SiC epitaxial wafer capable of reducing stacking faults in an SiC epitaxial layer.SOLUTION: A method for manufacturing an SiC epitaxial wafer comprises the steps of: (a) preparing an SiC substrate 1 of a first conductivity type; (b) measuring impurity concentration at a plurality of measurement positions 1p on a surface of the SiC substrate 1; (c) calculating a representative value of impurity concentration of the SiC substrate 1 as representative impurity concentration from the measurement results of the step (b); (d) forming an SiC buffer layer 2 in which impurity concentration of an interface with the SiC substrate 1 is not more than the representative impurity concentration and a difference between the impurity concentration and the representative impurity concentration is less than a prescribed value by epitaxial growth on the SiC substrate 1; and (e) forming an SiC drift layer 3 on the SiC buffer layer 2 by epitaxial growth.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够减少SiC外延层中的堆垛层错的SiC外延片的制造方法。解决方案：一种用于制造SiC外延晶片的方法，包括以下步骤：（a）制备SiC衬底1的SiC衬底1，第一导电类型; （b）测量SiC衬底1的表面上的多个测量位置1p处的杂质浓度; （c）从步骤（b）的测量结果计算作为代表性杂质浓度的SiC衬底1的杂质浓度的代表值; （d）形成SiC缓冲层2，其中与SiC衬底1的界面的杂质浓度不大于代表性杂质浓度，并且杂质浓度与代表性杂质浓度之间的差异通过外延生长小于规定值在SiC衬底1上; 和（e）通过外延生长在SiC缓冲层2上形成SiC漂移层3。

5. 发明专利

JP2014144880A Production apparatus of single crystal, and production method of silicon carbide single crystal using the same 有权
标题翻译：单晶的生产装置和使用其的碳化硅单晶的生产方法
公开(公告)号：JP2014144880A
公开(公告)日：2014-08-14
申请号：JP2013012793
申请日：2013-01-28
申请人： Mitsubishi Electric Corp , 三菱電機株式会社
发明人： KOSHO TOMOAKI , TOMITA NOBUYUKI , MITANI YOICHIRO , TANAKA TAKANORI , KAWABATA NAOYUKI
IPC分类号： C30B25/12 , C30B29/36 , H01L21/205
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a production apparatus of a single crystal capable of uniformizing a substrate temperature in an epitaxial growth step of the single crystal.SOLUTION: In a production apparatus of a single crystal for epitaxially growing the single crystal on a substrate by a CVD method, an adiabatic material 4 for the substrate is disposed on the upper surface (placing surface of the substrate 1) of a susceptor 2 on which the substrate 1 is placed. The adiabatic material 4 for the substrate is interposed on a contact part between the substrate 1 and the susceptor 2, and suppresses heating of the substrate 1 by heat conduction from the susceptor 2.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够在单晶的外延生长步骤中使基板温度均匀化的单晶的制造装置。解决方案：在用于在基板上外延生长单晶的单晶的制造装置中，采用CVD法，将基板1的绝热材料4设置在基板1的基板1的上表面（基板1的放置面）上。用于基板的绝热材料4插入在基板1和基座2之间的接触部分上，并且通过从基座2的热传导来抑制基板1的加热。

6. 发明专利

JP2014027028A SiC EPITAXIAL SUBSTRATE MANUFACTURING DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING SiC EPITAXIAL SUBSTRATE, AND SiC EPITAXIAL SUBSTRATE 审中-公开
标题翻译： SiC外延基板制造装置，制造SiC外延基板的方法和SiC外延基板
公开(公告)号：JP2014027028A
公开(公告)日：2014-02-06
申请号：JP2012164251
申请日：2012-07-25
申请人： Mitsubishi Electric Corp , 三菱電機株式会社
发明人： TANAKA TAKANORI , KAWABATA NAOYUKI , MITANI YOICHIRO , TOMITA NOBUYUKI , KUROIWA TAKEHARU
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/42 , C30B25/20 , C30B29/36
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide: a SiC epitaxial substrate manufacturing device, capable of reducing the transmission of basal plane dislocations to an epitaxial layer without deteriorating productivity; a method for manufacturing a SiC epitaxial substrate; and a SiC epitaxial substrate.SOLUTION: A SiC epitaxial substrate manufacturing device 1 of the present invention forms an epitaxial layer on a SiC substrate 14. The SiC epitaxial substrate manufacturing device 1 includes a plurality of temperature ranges, and a moving mechanism for moving the entire of the SiC substrate 14 between the temperature ranges.
摘要翻译：要解决的问题：提供：SiC外延基板制造装置，其能够在不降低生产率的情况下减少基面位错到外延层的透射; 制造SiC外延基板的方法; 和SiC外延基板。本发明的SiC外延基板制造装置1在SiC基板14上形成外延层.SiC外延基板制造装置1包括多个温度范围，以及移动机构整个SiC衬底14在温度范围之间。

7. 发明专利

JP2014189422A SINGLE CRYSTAL 4H-SiC SUBSTRATE AND PRODUCTION METHOD THEREOF 有权
标题翻译：单晶4H-SiC基板及其制造方法
公开(公告)号：JP2014189422A
公开(公告)日：2014-10-06
申请号：JP2013064365
申请日：2013-03-26
申请人： Mitsubishi Electric Corp , 三菱電機株式会社
发明人： ONO AKIHITO , KAWATSU YOSHIHEI , TOMITA NOBUYUKI , TANAKA TAKANORI , MITANI YOICHIRO , HAMANO KENICHI
IPC分类号： C30B29/36 , C23C16/42 , C30B25/20 , H01L21/205
CPC分类号： C30B25/20 , C30B29/36 , C30B29/68 , Y10T428/24331 , Y10T428/24612
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a single crystal 4H-SiC substrate and a production method thereof capable of reducing crystal defects.SOLUTION: A 4H-SiC bulk single crystal substrate 1 having flatness is prepared. A single crystal 4H-SiC layer 3 having a recessed part 2 is epitaxially grown on the 4H-SiC bulk single crystal substrate 1. When the film thickness of the single crystal 4H-SiC layer 3 is expressed as X[μm], the diameter Y[μm] of the recessed part 2 is 0.2×X[μm] or more and 2×X[μm] or less, and the depth Z[nm] of the recessed part 2 is 0.95×X[μm]+0.5[nm] or more and 10×X[μm] or less.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够降低晶体缺陷的单晶4H-SiC衬底及其制造方法。解决方案：制备具有平坦度的4H-SiC体单晶衬底1。在4H-SiC体单片基板1上外延生长具有凹部2的单晶4H-SiC层3.当将单晶4H-SiC层3的膜厚表示为X [μm]时，直径凹部2的Y [μm]为0.2×X [μm]以上且2×X [μm]以下，凹部2的深度Z [nm]为0.95×X [μm] nm]以上且10×X [μm]以下。

8. 发明专利

JP2014019596A Epitaxial growth apparatus, silicon carbide epitaxial wafer, and manufacturing method for silicon carbide epitaxial wafer 有权
标题翻译：外延生长装置，碳化硅外延保护膜及其制造方法
公开(公告)号：JP2014019596A
公开(公告)日：2014-02-03
申请号：JP2012158262
申请日：2012-07-17
申请人： Mitsubishi Electric Corp , 三菱電機株式会社
发明人： TOMITA NOBUYUKI , MITANI YOICHIRO , TANAKA TAKANORI , KAWABATA NAOYUKI , KUROIWA TAKEHARU
IPC分类号： C30B29/36 , C23C16/42 , C30B25/08 , C30B25/12
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an epitaxial growth apparatus, a silicon carbide epitaxial wafer and a method of manufacturing the silicon carbide epitaxial wafer, capable of reducing defects caused by downfall and thereby improving productivity.SOLUTION: A silicon carbide (SiC) epitaxial wafer manufacturing apparatus 1, which fabricates an SiC epitaxial wafer by epitaxially growing silicon carbide on a silicon carbide bulk substrate of which a surface has a smaller inclination angle than 5 degrees with respect to surface, includes: a flow passage 20 for raw material gas used in the epitaxial growth; and predetermined members 21 and 24 provided facing the flow passage 20 and having heating regions. Further, in the members 21 and 24, at least portions exposed to the flow passage 20 are formed by containing single crystal silicon carbide having the same polytype as the silicon carbide bulk substrate.
摘要翻译：要解决的问题：提供外延生长装置，碳化硅外延晶片和制造碳化硅外延晶片的方法，能够减少由塌陷引起的缺陷，从而提高生产率。解决方案：碳化硅（SiC）外延晶片制造装置1，其通过在相对于＆lt; 0001＆gt;表面具有比5度小的倾斜角度的碳化硅块状基板上外延生长碳化硅制造SiC外延晶片，包括：用于原料的流路20 用于外延生长的气体; 并且设置成面向流路20并具有加热区域的规定构件21,24。此外，在构件21和24中，暴露于流动通道20的至少一部分通过包含具有与碳化硅本体衬底相同的多型态的单晶碳化硅形成。

9. 发明专利

JP2013184860A Method for producing silicon carbide epitaxial wafer, silicon carbide epitaxial wafer, and silicon carbide semiconductor device 有权
标题翻译：用于制造碳化硅外延晶片的方法，碳化硅外延晶片和碳化硅半导体器件
公开(公告)号：JP2013184860A
公开(公告)日：2013-09-19
申请号：JP2012051996
申请日：2012-03-08
申请人： Mitsubishi Electric Corp , 三菱電機株式会社
发明人： MITANI YOICHIRO , TOMITA NOBUYUKI , TANAKA TAKANORI , TARUYA MASAYOSHI , KUROIWA TAKEHARU , OTSUKA KENICHI
IPC分类号： C30B29/36 , C23C16/42 , H01L21/205 , H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/47 , H01L29/78 , H01L29/872
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To solve the problem that, in some cases, stress is generated by the dope concentration difference of nitrogen between a silicon carbide substrate and an epitaxial growth layer, and crystal defects are generated by the stress, and current leakage defects are generated at high density.SOLUTION: An epitaxial growth layer added with nitrogen of low concentration and having a thickness of T is formed on a 4H type silicon carbide semiconductor substrate which has a plane inclined in a predetermined direction from (0001) plane on the surface and grooves formed at an interval D in the direction perpendicular to a prescribed direction, and is added with nitrogen of high concentration. At that time, the D and the T satisfy a relation: D×T≤6×10μm.
摘要翻译：要解决的问题：为了解决在碳化硅衬底和外延生长层之间的氮掺杂浓度差产生应力的问题，由应力产生晶体缺陷，电流泄漏缺陷为在高密度下产生的外延生长层形成在4H型碳化硅半导体衬底上，该半导体衬底具有从表面上的（0001）面向预定方向倾斜的平面以及在与规定方向垂直的方向上以间隔D形成的槽，并加入高浓度的氮气。此时，D和T满足关系：D×T≤6×10μm。

10. 发明专利

JP2013018659A Epitaxial wafer and semiconductor element 有权
标题翻译：外延波形和半导体元件
公开(公告)号：JP2013018659A
公开(公告)日：2013-01-31
申请号：JP2011150898
申请日：2011-07-07
申请人： Mitsubishi Electric Corp , 三菱電機株式会社
发明人： TOMITA NOBUYUKI , MITANI YOICHIRO , TANAKA TAKANORI , OTSUKA KENICHI , ABE YUJI , KUROIWA TAKEHARU , SUMIYA HIROAKI
IPC分类号： C30B29/36 , C23C16/34 , C30B25/16 , H01L21/205
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a silicon carbide epitaxial wafer and a silicon carbide semiconductor element, in which the crystal quality of an epitaxial growth layer is improved, the lowering of the carrier mobility is prevented even when a thick epitaxial growth layer is formed, and an element resistance is low.SOLUTION: The silicon carbide semiconductor element includes: a substrate in which a dopant, causing reduction of the lattice constant when being doped, is doped in a concentration A; an epitaxial growth layer in which the dopant is doped in a concentration B lower than the concentration in the substrate; and a buffer layer formed to have a multilayer structure comprising at least two layers doped with the dopant between the substrate and the epitaxial layer. When the thickness of the buffer layer is defined as d, the average distance from the epitaxial growth layer to each layer is defined as x, and a predefined ratio is defined as P, the doping concentration C of the dopant in each layer of the multilayer structure satisfies the following formula: [B+(A-B)×x/d]×(1-P)≤C≤[B+(A-B)×x/d]×(1+P).
摘要翻译：解决的问题：为了提供改善外延生长层的晶体质量的碳化硅外延晶片和碳化硅半导体元件，即使当外延生长层厚时，也可以防止载流子迁移率的降低并且元件电阻低。解决方案：碳化硅半导体元件包括：其中掺杂有掺杂剂的掺杂剂在掺杂时晶格常数降低的衬底以浓度A掺杂; 外延生长层，其中掺杂剂以低于衬底中的浓度的浓度B掺杂; 以及缓冲层，其形成为具有包括在所述衬底和所述外延层之间掺杂有所述掺杂剂的至少两层的多层结构。当缓冲层的厚度定义为d时，从外延生长层到每层的平均距离定义为x，并且将预定比例定义为P，多层的每层中的掺杂剂的掺杂浓度C 结构满足以下公式：[B +（AB）×x / d]×（1-P）≤C≤[B +（AB）×x / d]×（1 + P）。版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

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