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    • 1. 发明专利
    • 低ドリフト赤外線検出器
    • JP2019095443A
    • 2019-06-20
    • JP2018214645
    • 2018-11-15
    • MELEXIS TECHNOLOGIES NV
    • CARL VAN BUGGENHOUTKAREL VANROYE
    • G01J1/02H01L35/32
    • 【課題】低ドリフト赤外線検出器を提供する。【解決手段】IR放射を測定するための半導体デバイス100であって、少なくとも1つのセンサ画素10と、前記IR放射から遮蔽された、加熱器23を備える少なくとも1つの基準画素20と、制御部50であって、センサ画素を加熱していない間に加熱器に電力を適用することによって応答性を測定し、加熱されていない画素の第1の出力信号および加熱された画素の第1の基準出力信号を測定し、加熱器への適用された電力の尺度の、および第1の出力信号と第1の基準出力信号との間の差の関数として応答性を得、前記基準画素およびセンサ画素の温度が実質的に同じになるまで冷却期間を適用し、センサと基準出力信号との間の差に基づいて、応答性を使用してこの差を変換することによって、IR放射を示す出力信号を生成するために適合された制御部50と、を備える。【選択図】図1