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1. 发明专利

JP6885281B2 レジスト下層膜形成用組成物、レジスト下層膜、レジスト下層膜の形成方法、及びパターニングされた基板の製造方法有权
公开(公告)号：JP6885281B2
公开(公告)日：2021-06-09
申请号：JP2017185501
申请日：2017-09-26
申请人： JSR株式会社
发明人：野坂直矢 , 若松剛史 , 阿部翼 , 中川大樹 , 峯岸信也
IPC分类号： C08G61/10 , G03F7/11

2. 发明专利

JPWO2018164267A1 レジスト下層膜形成用組成物、レジスト下層膜及びその形成方法並びにパターニングされた基板の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JPWO2018164267A1
公开(公告)日：2020-01-09
申请号：JP2018009257
申请日：2018-03-09
申请人： JSR株式会社
发明人：野坂直矢 , 若松剛史 , 阿部翼 , 三浦一裕 , 江原健悟 , 中津大貴 , 中川大樹
IPC分类号： G03F7/20 , C07C13/547 , G03F7/11
摘要：平坦性に優れると共に溶媒耐性、耐熱性及びエッチング耐性に優れるレジスト下層膜を形成できるレジスト下層膜形成用組成物の提供を目的とする。本発明は、下記式(1)で表される部分構造を有する化合物と、溶媒とを含有するレジスト下層膜形成用組成物である。下記式(1)中、Xは、下記式(i)、(ii)、(iii)又は(iv)で表される基である。下記式(i)中、R 1 及びR 2 は、それぞれ独立して、水素原子、ヒドロキシ基、置換若しくは非置換の炭素数1〜20の1価の脂肪族炭化水素基又は置換若しくは非置換の炭素数7〜20のアラルキル基であるか、又はR 1 とR 2 とが互いに合わせられこれらが結合する炭素原子と共に構成される環員数3〜20の環構造の一部を表す。但し、R 1 及びR 2 が、水素原子、ヒドロキシ基又はこれらの組み合わせである場合を除く。

3. 发明专利

JP5994783B2 変性共役ジエン系重合体の製造方法有权
公开(公告)号：JP5994783B2
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：JP2013531371
申请日：2012-08-29
申请人： JSR株式会社
发明人：森田浩之 , 湯淺毅 , 谷耕一郎 , 野坂直矢 , 田中了司
IPC分类号： C08C19/25 , C08L15/00 , C08K3/04 , C08K3/36 , B60C1/00 , C08F4/44
CPC分类号： C08K3/04 , B60C1/0016 , B60C1/0025 , C08C19/44 , C08F236/10 , C08F8/42 , C08K3/0033 , C08K3/36 , Y02T10/862

4. 发明专利

JP2020196771A 組成物、レジスト下層膜、レジスト下層膜の形成方法及びパターニングされた基板の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2020196771A
公开(公告)日：2020-12-10
申请号：JP2019101709
申请日：2019-05-30
申请人： JSR株式会社
发明人：中津大貴 , 中藤慎也 , 一二三遼祐 , 谷口智章 , 片切崇 , 野坂直矢 , 土橋将人 , 高梨和憲
IPC分类号： G03F7/11 , G03F7/20 , C09D5/00 , C09D4/00 , C09D1/00 , C08G61/00
摘要：【課題】エッチング耐性を維持しつつ、有機溶媒耐性及び曲がり耐性に優れるレジスト下層膜を形成することができる組成物、レジスト下層膜、レジスト下層膜の形成方法及びパターニングされた基板の製造方法を提供する。【解決手段】共役ジエン構造、アントラセン構造、1,3−双極子構造、ベンゾシクロブテン構造、ジベンゾシクロヘキサン構造、3−ヒドロキシ−1−ブテン構造、4−ヒドロキシ−1−ブテン構造、又はこれらの組み合わせを含む1価の基及びフラーレン骨格を有する化合物と、溶媒とを含有する組成物。【選択図】なし

5. 发明专利

JPWO2017014282A1 水添共役ジエン系重合体及びその製造方法、重合体組成物、架橋重合体、並びにタイヤ审中-公开
公开(公告)号：JPWO2017014282A1
公开(公告)日：2018-05-24
申请号：JP2017529935
申请日：2016-07-21
申请人： JSR株式会社
发明人：足立拓海 , 田中了司 , 松本貴臣 , 豊川郁宏 , 野坂直矢
IPC分类号： C08F8/04 , B60C1/00 , C08F236/10 , C08F297/04 , C08L15/00
CPC分类号： B60C1/00 , C08F8/04 , C08F236/10 , C08F297/04 , C08L15/00
摘要：共役ジエン化合物に由来する構造単位と、芳香族ビニル化合物に由来する構造単位とを有する共役ジエン系重合体の水添物であって、共役ジエン化合物がブタジエンを含み、芳香族ビニル化合物に由来する構造単位を、重合体が有する単量体に由来する全構造単位に対して30質量%以上有し、かつ、ブタジエンに由来する構造単位の水素添加率が80%以上99%以下である水添共役ジエン系重合体とする。

6. 发明专利

JP6194949B2 水添共役ジエン重合体の製造方法有权
公开(公告)号：JP6194949B2
公开(公告)日：2017-09-13
申请号：JP2015500300
申请日：2014-02-14
申请人： JSR株式会社
发明人：野坂直矢 , 柴田昌宏 , 豊田暢之 , 阿部慈 , 上田二朗
IPC分类号： C08C19/26 , C08C19/02 , C08K3/04 , C08K3/36 , C08L15/00 , C08L101/00 , C08F4/54
CPC分类号： C08F236/10 , C08C19/02 , C08C19/30 , C08F136/06 , C08F297/04 , C08F4/54 , C08F8/04 , C08K3/04 , C08K3/36 , C08L101/00 , C08L15/00 , C08L19/006 , C08L23/12 , C08L67/02 , C08L9/06

7. 发明专利

JP2016206676A レジスト下層膜形成方法及びパターン形成方法审中-公开
标题翻译：抗蚀剂下层膜的形成方法及图案形成方法
公开(公告)号：JP2016206676A
公开(公告)日：2016-12-08
申请号：JP2016085581
申请日：2016-04-21
申请人： JSR株式会社
发明人：松村裕史 , 若松剛史 , 野坂直矢 , 阿部翼 , 滝本嘉夫
IPC分类号： G03F7/40 , G03F7/38 , H01L21/027 , G03F7/11
CPC分类号： G03F7/11 , C08G8/22 , C08G8/30 , C09D161/14 , G03F7/094 , G03F7/0041 , H01L21/0271
摘要：【課題】エッチング耐性に優れるレジスト下層膜を形成することができるレジスト下層膜形成方法を提供する。【解決手段】本発明は、レジスト下層膜形成用組成物を基板に塗布する塗布工程と、得られた塗膜を酸素濃度が1容量%未満の雰囲気中、450℃超800℃以下の温度で加熱する加熱工程とを備え、上記レジスト下層膜形成用組成物が、芳香環を有する化合物を含有するレジスト下層膜形成方法である。上記酸素濃度は0.1容量%以下であることが好ましい。上記温度は500℃以上600℃以下であることが好ましい。上記芳香環を有する化合物は主鎖に芳香環を有する樹脂、分子量が600以上3,000以下の芳香環含有化合物又はこれらの組み合わせであることが好ましい。上記主鎖に芳香環を有する樹脂は重縮合化合物であることが好ましい。【選択図】なし
摘要翻译：提供一种抗蚀剂下层膜形成能够形成具有优异的耐蚀刻性的抗蚀剂下层膜的方法。本发明涉及一种形成用于涂覆衬底，氧浓度的涂料组合物步骤的抗蚀剂下层膜和所得到的涂膜是由体积气氛小于1％，450℃下在超800℃以下的温度和加热的加热步骤中，将抗蚀剂下层膜形成用组合物，抗蚀剂含有具有芳香环的化合物下层膜形成方法。优选的氧浓度为不超过0.1体积％。它说温度较好是在500℃以上600℃以下。具有芳环化合物，优选为具有在主链上具有芳环，分子量的含芳环的化合物或其超过600的组合为3,000或更小的树脂。它是具有在主链中的芳香环优选的树脂是缩聚化合物。系统技术领域

8. 发明专利

JP6641879B2 レジスト下層膜形成用組成物、レジスト下層膜及びパターニングされた基板の製造方法有权
公开(公告)号：JP6641879B2
公开(公告)日：2020-02-05
申请号：JP2015207573
申请日：2015-10-21
申请人： JSR株式会社
发明人：若松剛史 , 野坂直矢 , 松村裕史 , 滝本嘉夫 , 阿部翼 , 木村徹
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/11

9. 发明专利

JPWO2017014283A1 水添共役ジエン系重合体及びその製造方法、重合体組成物、架橋重合体、並びにタイヤ审中-公开
公开(公告)号：JPWO2017014283A1
公开(公告)日：2018-05-24
申请号：JP2017529936
申请日：2016-07-21
申请人： JSR株式会社
发明人：足立拓海 , 田中了司 , 松本貴臣 , 豊川郁宏 , 野坂直矢
IPC分类号： C08F297/04 , B60C1/00 , C08F8/04
CPC分类号： B60C1/00 , C08F8/04 , C08F236/10 , C08F297/04 , C08L15/00
摘要：共役ジエン化合物に由来する構造単位と、芳香族ビニル化合物に由来する構造単位とを有する共役ジエン系重合体の水添物であって、共役ジエン化合物がブタジエンを含み、該ブタジエンに由来する構造単位のビニル結合含量が55モル%以上の重合体を水素添加してなるものであり、かつ、ブタジエンに由来する構造単位の水素添加率が91%以上99%以下である水添共役ジエン系重合体とする。

10. 发明专利

JP2017125182A レジスト下層膜形成用重合体及びその製造方法、レジスト下層膜形成用組成物、レジスト下層膜並びにパターニングされた基板の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017125182A
公开(公告)日：2017-07-20
申请号：JP2016243826
申请日：2016-12-15
申请人： JSR株式会社
发明人：野坂直矢 , 若松剛史 , 阿部翼 , 松村裕史 , 滝本嘉夫 , 木村徹
IPC分类号： C08G8/30 , G03F7/40 , G03F7/11 , H01L21/027 , G03F7/26 , C08G8/24
摘要：【課題】溶媒としてPGMEA等を用いることができ、エッジリンス性、溶媒耐性、エッチング耐性、耐熱性及び埋め込み性に優れるレジスト下層膜を形成できるレジスト下層膜形成用重合体並びにレジスト下層膜形成用組成物の提供を目的とする。【解決手段】本発明は下記式(1)で表される第1繰り返し単位を有するレジスト下層膜形成用重合体である。下記式(1)中、Ar 1 、Ar 2 及びAr 3 は、それぞれ独立して、置換又は非置換の炭素数6〜30のアレーンジイル基である。R 1 は、置換又は非置換の炭素数1〜30の2価の炭化水素基である。nは、0又は1である。R 2 は、水素原子、置換若しくは非置換の炭素数1〜10のアルキル基又は置換若しくは非置換の炭素数6〜30のアリール基である。R 3 は、置換又は非置換の炭素数6〜30の1価の芳香族炭化水素基である。R 4 は、水素原子又は置換若しくは非置換の炭素数1〜30の1価の炭化水素基である。【選択図】なし

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