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热词
    • 2. 发明专利
    • Channel device and analytical method
    • 通道设备和分析方法
    • JP2014085279A
    • 2014-05-12
    • JP2012235966
    • 2012-10-25
    • Fujikura Ltd株式会社フジクラ
    • NUKAGA OSAMU
    • G01N21/05G01N35/08G01N37/00
    • PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a channel device capable of easily detecting an optical signal and being integrated with other devices, and an analytical method using the channel device.SOLUTION: (1) A channel device has a channel 3 and at least three optical waveguides in a substrate 1, and respective first ends of the at least three optical waveguides are optically connected to one another at an irradiation part 7 which composes a part of the channel 3. (2) The channel device includes a first optical waveguide 4, a second optical waveguide 5 and a third optical waveguide 6. The first optical waveguide 4 and the third optical waveguide 6 are disposed in such positions that a propagating light propagated in the first optical waveguide 4 is reflected at the irradiation part 7 and the reflected light is led to the third optical waveguide 6, and the second optical waveguide 5 is disposed at a position to which the reflected light is not led.
    • 要解决的问题:提供一种能够容易地检测光信号并与其他装置集成的信道装置,以及使用信道装置的分析方法。解决方案:(1)信道装置具有信道3和至少三个光 衬底1中的波导和至少三个光波导的相应的第一端在构成通道3的一部分的照射部分7处彼此光学连接。(2)通道器件包括第一光波导4, 第二光波导5和第三光波导6.第一光波导4和第三光波导6配置在第一光波导4中传播的传播光在照射部7反射的位置,反射光 被引导到第三光波导6,并且第二光波导5设置在反射光未被引导的位置。
    • 3. 发明专利
    • 検査装置
    • JP2017083205A
    • 2017-05-18
    • JP2015209103
    • 2015-10-23
    • 株式会社フジクラFujikura Ltd
    • SHIOIRI TATSUYANUKAGA OSAMUNAKAMURA KEIHIDAKA SHIN
    • G01N35/08
    • 【課題】構造が簡単であり、低コスト化を図ることができる検査装置を提供する。【解決手段】直線流路を含む流路部の一部が折り返された流路トラップ部を有する検査デバイス1を保持するための主保持部101と、主保持部101を回動操作するためのデバイス駆動部102と、検査デバイス1に対して磁力を印加するための磁力印加部103と、検査デバイス1を検査するためのデバイス検査部104と、を備えた検査装置100を提供する。磁力印加部103は、前記流路トラップ部に磁力を印加するための磁石Mと、前記磁力の印加および非印加を切り替えるための磁力調整部120とを備えている。デバイス駆動部102は、前記直線流路の延長方向が重力に沿った方向となるように検査デバイス1を保持する位置と、前記流路トラップ部内の液体が前記流路部から流出される方向に検査デバイス1を傾ける位置との間で主保持部101を回動操作する。【選択図】図1
    • 4. 发明专利
    • Semiconductor device and manufacturing method thereof
    • 半导体器件及其制造方法
    • JP2009094235A
    • 2009-04-30
    • JP2007262411
    • 2007-10-05
    • Fujikura Ltd株式会社フジクラ
    • NUKAGA OSAMU
    • H01L23/12
    • H01L21/76898H01L2224/02372H01L2224/0401H01L2224/13024H01L2924/1461H01L2924/00
    • PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor device that has a through hole having an opening toward the other surface of a semiconductor substrate, has small stress caused by a protection section arranged in the through hole, and has improved adhesiveness between the other surface and the protection section for covering the other surface. SOLUTION: The semiconductor device at least comprises: a semiconductor substrate 2 arranged on one surface of a functional element 1; an electrode 4 that is electrically connected to the functional element 1 and is arranged on one surface of the semiconductor substrate 2; a through hole 2a provided from the other surface of the semiconductor substrate 2 to the electrode 4; an insulating layer 3 arranged so that one surface and the other surface of the semiconductor substrate 2 excluding a region where the functional element 1 is arranged, and the through hole 2a are covered; and a conductive section 5 that is arranged at the other surface side of the semiconductor substrate 2 via the insulating layer 3 and is arranged while covering the inside of the through hole 2a. In the semiconductor device, the Young's modulus of a first protection section 6 arranged via the conductive section 5 to fill at least the through hole 2a is smaller than that of a second protection section 7 that is at the other surface side of the semiconductor substrate 2 and is arranged to cover at least the insulating layer 3 and the conductive section 5. COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT
    • 要解决的问题:为了提供一种半导体器件,其具有朝向半导体衬底的另一个表面的开口的通孔,由布置在通孔中的保护部分引起的应力小,并且具有改善的粘合性 其他表面和保护部分覆盖另一个表面。 解决方案:半导体器件至少包括:布置在功能元件1的一个表面上的半导体衬底2; 与功能元件1电连接并设置在半导体基板2的一个表面上的电极4; 从半导体基板2的另一个表面向电极4提供的通孔2a; 覆盖半导体基板2的除了配置有功能元件1的区域以外的一个表面和另一个表面的绝缘层3; 以及经由绝缘层3配置在半导体基板2的另一个表面侧的导电部5,并且配置在覆盖贯通孔2a的内部。 在半导体装置中,经由导电部5配置以填充至少通孔2a的第一保护部6的杨氏模量比在半导体基板2的另一面侧的第二保护部7的杨氏模量小 并且布置成至少覆盖绝缘层3和导电部分5.版权所有(C)2009,JPO&INPIT
    • 5. 发明专利
    • Semiconductor manufacturing device and semiconductor manufacturing method
    • 半导体制造设备和半导体制造方法
    • JP2008282970A
    • 2008-11-20
    • JP2007125585
    • 2007-05-10
    • Fujikura Ltd株式会社フジクラ
    • NUKAGA OSAMU
    • H01L21/027
    • PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor manufacturing device capable of filling resist to the bottom of grooves and providing the resist so that a filling rate of the resist into the grooves in the whole area of a substrate becomes high, upon bonding the film type resist to the semiconductor substrate having fine grooves on the surface thereof.
      SOLUTION: The semiconductor manufacturing device 1 of this invention is provided with at least a chamber 10 equipped with a pressure control means, a flat plate 25, disposing a first semiconductor substrate 2 arranged so as to be superposed sequentially in the chamber while accommodating a first supporting means 20 which builds in a first heating mechanism 21, a second supporting means 23 for retaining the film type resist 3 and a second heating mechanism 24, and a first moving means 26 for controlling the position of the first supporting means 20 into a direction wherein the semiconductor substrate is pushed against the flat plate through the resist or a direction wherein the pushing is released while the temperature control of the first heating mechanism and the second heating mechanism are effected individually and respectively.
      COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT
    • 要解决的问题:提供一种半导体制造装置,其能够在凹槽的底部填充抗蚀剂并提供抗蚀剂,使得在基板的整个区域中,抗蚀剂在基板的整个区域中的凹槽的填充率变高 该膜型抗蚀剂在其表面具有细槽的半导体衬底。 解决方案:本发明的半导体制造装置1至少设有具有压力控制装置的室10,平板25,设置第一半导体衬底2,其被布置成依次叠置在腔室中, 容纳构成第一加热机构21的第一支撑装置20,用于保持膜型抗蚀剂3的第二支撑装置23和第二加热机构24,以及用于控制第一支撑装置20的位置的第一移动装置26 分别通过第一加热机构和第二加热机构的温度控制分别实现半导体基板通过抗蚀剂或推动释放的方向被推靠在平板上的方向。 版权所有(C)2009,JPO&INPIT
    • 6. 发明专利
    • 流体制御デバイス
    • 流体控制装置
    • JP2015016453A
    • 2015-01-29
    • JP2013146843
    • 2013-07-12
    • 株式会社フジクラFujikura Ltd
    • SHIOIRI TATSUYANUKAGA OSAMUYAMAMOTO SATOSHI
    • B01F5/00B01J19/00B81B1/00G01N37/00
    • 【課題】誘導空間に流入させた流体を、流入方向と直角をなす方向に配された混合空間に流出させる際に、流体に対して外部から加える圧力の損失を低減させることが可能な、流体制御デバイスを提供する。【解決手段】単一の混合空間101と、トレンチ構造をなす複数の誘導空間102と、複数の導入空間103と、を内在した基体104からなり、混合空間101から見て、誘導空間の一方の開口部102aは互い違いに配され、混合空間101に連通しており、かつ、隣接する位置関係にある誘導空間の一方の開口部102a同士が離間して、所定の間隔で並列に配され、隣接する位置関係にある一方の開口部102aに対応する他方の開口部102bが、各々、異なる導入空間103に連通しており、導入空間103から見て、誘導空間102の断面が、混合空間101側に一定あるいは狭まるように段差S1が設けられている。【選択図】図3
    • 要解决的问题:提供一种流体控制装置,其可以减少在流体外部施加的压力损失,使得流入导向空间的流体流入沿垂直于流动方向布置的混合空间 在方向上。流体控制装置由包括单个混合空间101的基体104,具有沟槽结构的多个引导空间102和多个引入空间103组成。从混合空间101的观点来看, 引导空间的单开口102a交替布置并与混合空间101连通,并且相邻引导空间的单开口102a彼此分离并以规定的间隔平行布置。 与一个开口102a相对应并且彼此相邻的另一个开口102b以不同的引入空间103进行通信。从引入空间103的观点来看,引导空间102的横截面设置有水平差 S1在混合空间101侧保持恒定或变窄。
    • 7. 发明专利
    • 流体混合器
    • 流体搅拌机
    • JP2015013265A
    • 2015-01-22
    • JP2013142142
    • 2013-07-05
    • 株式会社フジクラFujikura Ltd
    • NUKAGA OSAMUSHIOIRI TATSUYAYAMAMOTO SATOSHI
    • B01F5/00B01J19/00B81B1/00G01N37/00
    • 【課題】極めて効率的な混合を可能にし、処理能力が高く、高耐圧性に優れた流体混合器を提供する。【解決手段】流体を混ぜるための流体混合器であって、単一の基体と、前記基体内に配される複数の微細孔と、を少なくとも備え、流出空間に連通している、全ての微細孔の開口部は各々、開口部の中心とその手前に位置する微細孔の一部の中心軸とを通り、流出空間の方向に外挿された直線を仮定した場合、開口部のうち、任意の開口部によって決まる直線が、その他の開口部によって決まる少なくとも1本の直線と最接近する箇所Yを有しており、かつ、箇所Yの全てが、流出空間内にある局所的な1つの空間Xに内在するように、流出空間に連通している、全ての微細孔の開口部が構成されている。【選択図】図3
    • 要解决的问题:提供一种能够进行极高效混合的流体混合器,具有高通量和优异的耐高压性。解决方案:用于混合流体的流体混合器设置有至少一个基板和多个微孔, 。 与流出空间连通的所有微孔的开口被构造成使得每个开口具有位置Y,在该位置处,当假定通过的直线时,取决于任选开口的直线接近最接近至少一条直线,取决于其他开口 通过开口的中心和位于中心前方的微孔的一部分的中心轴线,并且在流出空间方向外推,并且所有位置Y与流出空间连通以便包括 在一个局部空间X存在于流出空间。
    • 8. 发明专利
    • Method of manufacturing substrate with micropores
    • 用微孔制造基板的方法
    • JP2014165249A
    • 2014-09-08
    • JP2013033180
    • 2013-02-22
    • Fujikura Ltd株式会社フジクラ
    • NUKAGA OSAMUYAMAMOTO SATOSHI
    • H05K3/00B23K26/00B23K26/382B23K26/40
    • PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of manufacturing a substrate with micropores in which manufacture efficiency is improved by increasing a laser light scanning speed and making an etching speed equal to or higher than the prior arts.SOLUTION: According to a method of manufacturing a substrate with micropores, a scanning speed of a focal point F of pulse laser light L is set to a predetermined value, and a repetition frequency of the laser light is adjusted in such a manner that a pulse pitch represented by an expression (1); pulse pitch (μm)={scanning speed (μm/sec) of laser light}/{repetition frequency (Hz) of laser light}, becomes 0.03 μm to 0.3 μm. A substrate 1 is irradiated with the laser light, and scanning is performed in a direction along an optical axis of laser light at a substantially fixed speed while shifting the focal point of the laser light so as to overlap the focal point for each pulse inside of the substrate. In a region through which the focal point passes, a modified part 2 is formed in which etching resistance is reduced, and the modified part is removed by etching treatment, thereby forming micropores on the substrate.
    • 要解决的问题:提供一种制造具有微孔的基板的方法,其中通过增加激光扫描速度并使蚀刻速度等于或高于现有技术来提高制造效率。解决方案:根据制造方法 具有微孔的基板,将脉冲激光L的焦点F的扫描速度设定为预定值,并且以这样的方式调节激光的重复频率,使得由表达式(1)表示的脉冲间距 ; 脉冲间距(μm)= {激光的扫描速度(μm/ sec)} / {激光的重复频率(Hz)}为0.03μm〜0.3μm。 用激光照射基板1,并且以基本上固定的速度沿着激光的光轴的方向进行扫描,同时移动激光的焦点,以便与激光的焦点重叠, 底物。 在焦点通过的区域中,形成耐腐蚀性降低的改性部分2,并且通过蚀刻处理去除修饰部分,从而在基板上形成微孔。
    • 10. 发明专利
    • Semiconductor device and manufacturing method thereof
    • 半导体器件及其制造方法
    • JP2009094230A
    • 2009-04-30
    • JP2007262350
    • 2007-10-05
    • Fujikura Ltd株式会社フジクラ
    • NUKAGA OSAMU
    • H01L23/12H01L21/3205H01L23/52
    • H01L2224/11
    • PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor device having small stress caused by a protection section arranged in a through hole and improved connection reliability. SOLUTION: The semiconductor device at least comprises: a semiconductor substrate 12 arranged on one surface of a functional element 11; an electrode 14 that is on one surface of the semiconductor substrate 12 and is arranged while being electrically connected to the functional element 11; a through hole 12a provided from the other surface of the semiconductor substrate 12 to the electrode 14; an insulating layer 13 arranged so that one surface and the other surface of the semiconductor substrate 12 excluding a region where the functional element 11 is arranged, and the through hole 12a are covered; and a conductive section 15 that is arranged at the other surface side of the semiconductor substrate 12 via the insulating layer 13 and is arranged while covering the through hole 12a. The semiconductor device has a gap 16a surrounded by a first protection section 16 arranged in the through hole 12a along the conductive section 15 and a second protection section 17 that is at the other surface side of the semiconductor substrate 12, and is arranged while covering the insulating layer 13, the conductive section 15, and the first protection section 16 at least near the electrode in the through hole 12a. COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT
    • 要解决的问题:提供一种由布置在通孔中的保护部分引起的小应力的半导体器件,并且提高了连接可靠性。 解决方案:半导体器件至少包括:布置在功能元件11的一个表面上的半导体衬底12; 电极14,其位于半导体衬底12的一个表面上,并与功能元件11电连接; 从半导体衬底12的另一个表面提供到电极14的通孔12a; 覆盖半导体基板12的除了功能元件11的区域以外的一个表面和另一个表面的绝缘层13; 以及经由绝缘层13布置在半导体衬底12的另一表面侧并且被覆盖通孔12a的导电部15。 半导体器件具有由沿导电部分15布置在通孔12a中的第一保护部分16围绕的间隙16a和位于半导体基板12的另一表面侧的第二保护部分17,并且被布置成覆盖 绝缘层13,导电部15和第一保护部16至少在通孔12a中的电极附近。 版权所有(C)2009,JPO&INPIT