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1. 发明专利

JP2020174208A 基板処理装置、および基板処理方法审中-公开
公开(公告)号：JP2020174208A
公开(公告)日：2020-10-22
申请号：JP2020123030
申请日：2020-07-17
申请人：芝浦メカトロニクス株式会社
发明人：神谷将也 , 出村健介 , 松嶋大輔 , 中野晴香 , イヴァンペトロフガナシェフ
IPC分类号： H01L21/304
摘要：【課題】汚染物の除去率を向上させることができる基板処理装置、および基板処理方法を提供することである。【解決手段】実施形態に係る基板処理装置は、基板を載置して回転させる載置部と、前記基板の前記載置部側とは反対側の面に液体を供給する液体供給部と、前記基板の前記載置部側の面に冷却ガスを供給する冷却部と、前記基板の回転数、前記液体の供給量、および、前記冷却ガスの流量の少なくともいずれかを制御する制御部と、を備えている。前記制御部は、前記基板の面上にある前記液体が過冷却状態となるようにし、前記過冷却状態となった前記液体の少なくとも一部を凍結させる。【選択図】図1

2. 发明专利

JP6417103B2 表面処理装置および表面処理方法审中-公开
公开(公告)号：JP6417103B2
公开(公告)日：2018-10-31
申请号：JP2014072069
申请日：2014-03-31
申请人：芝浦メカトロニクス株式会社
发明人：渡辺茂 , 中野晴香 , 宮本高志
IPC分类号： H01L21/3065 , B01J19/08 , C23C16/52 , H05H1/46

3. 发明专利

JP2021144892A プラズマ処理装置审中-公开
公开(公告)号：JP2021144892A
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：JP2020043783
申请日：2020-03-13
申请人：芝浦メカトロニクス株式会社 , 学校法人中部大学
发明人：イヴァンペトロフガナシェフ , 中野晴香 , 中村圭二
IPC分类号： H01L21/3065 , H05H1/46
摘要：【課題】平面視において、アンテナの中心がチャンバの中心軸から離隔していても、発生したプラズマの中心が処理物の処理面の中心からずれるのを抑制することができるプラズマ処理装置を提供することである。【解決手段】実施形態に係るプラズマ処理装置は、略円筒状を呈するチャンバと、前記チャンバの内部にガスを供給可能なガス供給部と、前記チャンバの内部に設けられ、処理物が載置可能な載置部と、前記チャンバの内部を減圧可能な減圧部と、前記チャンバの、前記載置部と対向する位置に設けられ、誘電体材料を含む窓と、前記窓を介して前記チャンバの外側に設けられ、少なくとも1つの導体を有する円形のアンテナと、前記アンテナに電力を印加する電源と、を備えている。前記アンテナの中心は、前記チャンバの中心軸から離隔した位置に設けられ、前記チャンバの内径に対する前記アンテナの外径の比により、プラズマ中の高周波誘導電流の分布の、前記チャンバの内壁に近い側が、前記チャンバの内壁に流れる高周波誘導電流により相殺されるようにしている。【選択図】図1

4. 发明专利

JP2017063225A 基板処理装置および基板処理方法有权
公开(公告)号：JP2017063225A
公开(公告)日：2017-03-30
申请号：JP2016246855
申请日：2016-12-20
申请人：芝浦メカトロニクス株式会社
发明人：林航之介 , 松井絵美 , 中野晴香
IPC分类号： H01L21/306
摘要：【課題】処理液の利用効率の低下を防止しつつ効率よく基板の処理を行いうる基板処理方法及び基板処理システムを提供することである。【解決手段】基板処理機構10において処理液を用いて基板を処理する基板処理方法であって、基板の処理の活性化に寄与する活性種を含有する活性種含有溶液を生成する前段ステップと、該前段ステップにて生成された前記活性種含有溶液と前記基板を処理する処理液とを混合して活性種含有処理液を生成する第1ステップ(S21〜S23)と、該第1ステップにて生成された前記活性種含有処理液を前記基板処理機構に前記処理液として供給する第2ステップ(S29)とを有し、前記基板処理機構において、前記活性種含有処理液と前記基板との反応によって活性種を生じさせつつ当該基板を処理する構成となる。【選択図】図4A

5. 发明专利

JP2016021599A 基板処理方法及び基板処理システム有权
标题翻译：基板加工方法和基板加工系统
公开(公告)号：JP2016021599A
公开(公告)日：2016-02-04
申请号：JP2015216054
申请日：2015-11-02
申请人：芝浦メカトロニクス株式会社
发明人：林航之介 , 松井絵美 , 中野晴香
IPC分类号： H01L21/306 , H01L21/308
摘要：【課題】処理液の利用効率の低下を防止しつつ効率よく基板の処理を行いうる基板処理方法及び基板処理システムを提供することである。【解決手段】基板処理機構10において処理液を用いて基板を処理する基板処理方法であって、基板の処理の活性化に寄与する活性種を含有する活性種含有溶液を生成する前段ステップと、該前段ステップにて生成された前記活性種含有溶液と前記基板を処理する処理液とを混合して活性種含有処理液を生成する第1ステップ(S21〜S23)と、該第1ステップにて生成された前記活性種含有処理液を前記基板処理機構に前記処理液として供給する第2ステップ(S29)とを有し、前記基板処理機構において、前記活性種含有処理液と前記基板との反応によって活性種を生じさせつつ当該基板を処理する構成となる。【選択図】図4A
摘要翻译：要解决的问题：提供一种基板处理方法和基板处理系统，其能够有效地处理基板，同时防止处理液的利用效率降低。解决方案：一种基板处理方法，其用于在基板处理中处理液体机理10包括：产生含有有助于底物处理活化的活性物质的含活性物质溶液的前期步骤; 混合在前段工序生成的活性物质溶液与处理液的处理液体的第一工序（S21〜S23），生成含有处理液的活性物质; 以及将在第一步骤生成的含有活性物质的处理液作为处理液的第二工序（S29）。基板处理机构通过含活性物质处理液体与基板的反应产生活性物质来处理基板。图4A：

6. 发明专利

JP6738235B2 基板処理装置、および基板処理方法有权
公开(公告)号：JP6738235B2
公开(公告)日：2020-08-12
申请号：JP2016156786
申请日：2016-08-09
申请人：芝浦メカトロニクス株式会社
发明人：神谷将也 , 出村健介 , 松嶋大輔 , 中野晴香 , イヴァンペトロフガナシェフ
IPC分类号： H01L21/304

7. 发明专利

JP6139634B2 基板処理方法及び基板処理システム有权
公开(公告)号：JP6139634B2
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：JP2015216054
申请日：2015-11-02
申请人：芝浦メカトロニクス株式会社
发明人：林航之介 , 松井絵美 , 中野晴香
IPC分类号： H01L21/306 , H01L21/308

8. 发明专利

JP5859057B2 局所プラズマ処理装置有权
标题翻译：局部等离子处理装置
公开(公告)号：JP5859057B2
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：JP2014089983
申请日：2014-04-24
申请人：芝浦メカトロニクス株式会社
发明人：中野晴香 , 渡辺茂 , 廣瀬治道 , 石見宗憲 , イヴァンペトロフガナシェフ , 磯貝宏道 , 豊田英二 , 村山久美子 , 泉妻宏治
IPC分类号： H05H1/24 , H01L21/3065

9. 发明专利

JP2015195113A 表面処理装置および表面処理方法审中-公开
标题翻译：表面处理装置和表面处理方法
公开(公告)号：JP2015195113A
公开(公告)日：2015-11-05
申请号：JP2014072069
申请日：2014-03-31
申请人：芝浦メカトロニクス株式会社
发明人：渡辺茂 , 中野晴香 , 宮本高志
IPC分类号： H01L21/3065 , B01J19/08 , C23C16/52 , H05H1/24
摘要：【課題】本発明は、反応種の失活量を低減させ、生産効率が向上する表面処理装置および表面処理方法を提供することを目的とする。【解決手段】表面処理装置は、大気圧下で被処理物Wの表面処理を行う処理室1と、被処理物Wを搬送する搬送部6と、放電空間Pを内部に有し、ガス供給部23および電界印加手段を備え、ガス供給部23が放電空間Pに導入した処理ガスGに、電界印加手段が電界を印加することによって放電空間Pにおいてプラズマを発生させ、プラズマ生成物を含む処理ガスGを被処理物Wに向かって噴出するプラズマ発生手段2と、を備えている。さらに、処理室内部の湿度を検出する湿度センサ4と、処理室内部に向かって湿調ガスを導入する湿調ガス導入手段3と、湿度センサ4が検出した湿度の情報を用いて、プラズマ発生手段2、湿調ガス導入手段3、搬送部6のいずれかを制御する制御部8を備える。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供能够减少反应种类的失活量的表面处理装置和表面处理方法，从而提高生产效率。解决方案：表面处理装置包括：处理室1，用于执行在大气压下对工件W进行表面处理; 用于输送工件W的输送部6; 以及其中具有放电空间P的等离子体产生装置2包括气体供应部23和电场施加装置，并且响应于通过施加电场而施加电场而在放电空间P中产生等离子体指由气体供给部23引入放电空间P的处理气体G的装置，将包括等离子体产物的处理气体G吹出到工件W。表面处理装置还包括：湿度传感器4，其用于检测湿度处理室; 湿度控制气体引入装置3，用于将湿度控制气体引入处理室; 以及控制部8，其通过使用由湿度传感器4检测出的湿度的信息来控制任何等离子体产生装置2，湿度控制气体引入装置3和运送部分6。

10. 发明专利

JP6317801B2 基板処理システム有权
公开(公告)号：JP6317801B2
公开(公告)日：2018-04-25
申请号：JP2016246855
申请日：2016-12-20
申请人：芝浦メカトロニクス株式会社
发明人：林航之介 , 松井絵美 , 中野晴香
IPC分类号： H01L21/306

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