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    • 2. 发明专利
    • 透明導電膜
    • 透明导电膜
    • JP2016046248A
    • 2016-04-04
    • JP2015155403
    • 2015-08-05
    • 積水化学工業株式会社
    • 山本 直樹森澤 桐彦村上 淳之介久保 晃一
    • H01L31/0224H01B5/14
    • 【課題】透明性にも導電性にも優れ、電子機器用途に好適に用いられる透明導電膜を提供する。 【解決手段】基板2と、基板2の表面を被覆率20〜70%で被覆する、酸化インジウムスズナノワイヤからなる導電層3とを有し、全光線透過率が90%以上、表面抵抗が250Ω/sq以下である透明導電膜1。酸化インジウムスズナノワイヤの平均長さが200nm以上であり、酸化インジウムスズナノワイヤの形状が、テーパー状の先端に直径1〜500nmの球を有する形状であり、酸化インジウムスズナノワイヤのSnO 2 含有量が3.0〜50重量%、好ましくは、7.0〜35重量%である透明導電膜1。 【選択図】図1
    • 要解决的问题:提供透明性和导电性优异的透明导电膜,适用于电子器件应用。解决方案:提供一种透明导电膜1,其具有基底2和由铟锡氧化物纳米线涂层组成的导电层3 基板2的表面的涂布率为20〜70%,总透光率为90%以上,表面电阻为250Ω/ sq以下。 提供了一种透明导电膜1,其具有200nm或更大的氧化铟锡纳米线的平均长度,在作为铟锡氧化物纳米线的形状的锥形尖端上具有直径为1至500nm的球的形状,以及 铟锡氧化物纳米线的SnO含量为3.0〜50重量%,优选为7.0〜35重量%。选择的图:图1