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1. 发明专利

JP6739891B2 固体撮像装置有权
公开(公告)号：JP6739891B2
公开(公告)日：2020-08-12
申请号：JP2014177195
申请日：2014-09-01
申请人：浜松ホトニクス株式会社
发明人： ▲高▼木慎一郎 , 前田堅太郎 , 米田康人 , 鈴木久則 , 村松雅治
IPC分类号： H04N5/372 , H01L27/148

2. 发明专利

JP2019046995A 固体撮像装置审中-公开
公开(公告)号：JP2019046995A
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：JP2017169466
申请日：2017-09-04
申请人：浜松ホトニクス株式会社
发明人： ▲高▼木慎一郎 , 間瀬光人 , 平光純 , 米田康人 , 村松雅治
IPC分类号： H04N5/372 , H01L27/148
摘要：【課題】電荷転送効率が向上された固体撮像装置を提供する。【解決手段】固体撮像装置は、第一方向D1に並んだ複数の光電変換部と、対応する光電変換部と第二方向D2で並び、かつ、対応する光電変換部で発生した電荷を転送する転送部と、を備える。光電変換部は、入射光に応じて電荷を発生する光感応領域6を有する。光感応領域は、第一不純物領域11と、第一不純物領域に比して不純物濃度が高い第二不純物領域12と、を含む。第二不純物領域は、光感応領域において、第二方向で一端6aから他端6bまで設けられており、平面視での形状は、光感応領域における中心線G1に対して線対称であり、幅Wは、転送方向TDで増加しており、光感応領域を第二方向にn分割(nは2以上の整数)した各区間における第二不純物領域の幅の増加率は、転送方向で次第に大きくなっている。【選択図】図3

3. 发明专利

JP2016051852A 固体撮像装置审中-公开
标题翻译：固态成像装置
公开(公告)号：JP2016051852A
公开(公告)日：2016-04-11
申请号：JP2014177195
申请日：2014-09-01
申请人：浜松ホトニクス株式会社
发明人： ▲高▼木慎一郎 , 前田堅太郎 , 米田康人 , 鈴木久則 , 村松雅治
IPC分类号： H04N5/372 , H01L27/148
CPC分类号： H01L27/148 , H04N5/372
摘要：【課題】飽和電荷量の増大と電荷転送の高速化との両立を高い次元で図ることが可能な固体撮像装置を提供すること。【解決手段】固体撮像装置SIは、複数の光電変換部と、対応する光電変換部で発生した電荷を蓄積する複数の電荷蓄積部と、を備えている。光電変換部は、光入射に応じて電荷を発生する光感応領域と、光感応領域での電荷の移動を第二方向D2に促進する電位勾配形成部と、を有している。電荷蓄積部は、不純物濃度が第二方向D2に向かって段階的に一の方向に変化している複数の領域(半導体層)22,23,24と、複数の領域22,23,24に電界を印加する電極32,33と、を有している。電極32は、不純物濃度が段階的に異なる複数の領域22,23を跨るように配置されている。電極33は、不純物濃度が段階的に異なる複数の領域23,24を跨るように配置されている。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够提高与电荷转移加速度相适应的饱和电荷量的固态成像装置。解决方案：固态成像装置SI包括多个光电转换部分和多个电荷存储部分，用于存储在相应的光电转换部分中产生的电荷。光电转换部包括：响应于光的入射而产生电荷的感光区域; 以及沿第二方向D2促进感光区域中的电荷的移动的电位梯度形成部分。电荷存储部分包括：杂质浓度沿着朝向第二方向D2的一个方向逐步改变的多个区域（半导体层）22,23和24; 以及向多个区域22,23,24施加电场的电极32,33。电极32设置在杂质浓度逐步不同的多个区域22和23上。电极33设置在杂质浓度逐步不同的多个区域23和24之间。选择的图示：图2

4. 发明专利

JP6348272B2 電荷結合素子及びその製造方法、並びに固体撮像装置有权
公开(公告)号：JP6348272B2
公开(公告)日：2018-06-27
申请号：JP2013229743
申请日：2013-11-05
申请人：浜松ホトニクス株式会社
发明人： ▲高▼木慎一郎 , 米田康人 , 鈴木久則 , 村松雅治
IPC分类号： H04N5/369 , H04N5/372 , H01L27/148
CPC分类号： H04N5/378 , H01L27/14685 , H01L27/14812 , H01L27/14825 , H01L27/14837 , H04N5/2253

5. 发明专利

JP6306989B2 裏面入射型固体撮像装置有权
公开(公告)号：JP6306989B2
公开(公告)日：2018-04-04
申请号：JP2014182973
申请日：2014-09-09
申请人：浜松ホトニクス株式会社
发明人： ▲高▼木慎一郎 , 前田堅太郎 , 米田康人 , 鈴木久則 , 村松雅治
IPC分类号： H04N5/369 , H04N5/372 , H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14818 , H01L27/14 , H01L27/14685 , H01L27/148 , H01L27/14825 , H04N5/369 , H04N5/372

6. 发明专利

JP6211898B2 リニアイメージセンサ有权
公开(公告)号：JP6211898B2
公开(公告)日：2017-10-11
申请号：JP2013229745
申请日：2013-11-05
申请人：浜松ホトニクス株式会社
发明人： ▲高▼木慎一郎 , 米田康人 , 鈴木久則 , 村松雅治
IPC分类号： H04N5/353 , H04N5/369 , H04N5/372 , H01L27/148
CPC分类号： H01L27/14825 , H01L27/14812 , H01L27/14843 , H04N5/3692 , H04N5/37213

7. 发明专利

JP2017073417A 配線構造体の製造方法有权
公开(公告)号：JP2017073417A
公开(公告)日：2017-04-13
申请号：JP2015197522
申请日：2015-10-05
申请人：浜松ホトニクス株式会社
发明人：村松雅治 , 鈴木久則 , 米田康人 , 大塚慎也 , 高橋弘孝
IPC分类号： H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L23/14 , H01L23/12 , C23C18/16 , C23C18/18 , H01L21/288
CPC分类号： C23C18/16 , C23C18/18 , H01L21/288 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/12 , H01L23/14 , H01L23/522
摘要：【課題】配線パターンの微細化と配線パターンにおける電気的な接続の確実化とを両立することができる配線構造体の製造方法を提供する。【解決手段】配線構造体の製造方法は、配線パターン3が設けられた配線構造体の製造方法であって、少なくとも配線パターン3の形成予定領域に沿ってシリコン基板10の表面に絶縁層14を形成する第1ステップと、形成予定領域に沿って絶縁層14上にボロン層15を形成する第2ステップと、めっきによりボロン層15上に金属層16を形成する第3ステップと、を含む。【選択図】図2

8. 发明专利

JP2017069374A 裏面入射型固体撮像素子审中-公开
公开(公告)号：JP2017069374A
公开(公告)日：2017-04-06
申请号：JP2015192975
申请日：2015-09-30
申请人：浜松ホトニクス株式会社
发明人：村松雅治 , 鈴木久則 , 米田康人 , 大塚慎也 , 高橋弘孝
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/146 , H01L31/02 , H04N5/369
摘要：【課題】半導体基板のうち薄化部分を包囲する枠部分への光の入射を長期間に渡って防止することができる裏面入射型固体撮像素子を提供する。【解決手段】裏面入射型固体撮像素子1Aは、表面10a、及び凹部20が設けられた裏面10bを有し、凹部20の底部分である薄化部分10cを撮像領域とする半導体基板10と、半導体基板10の表面10aに形成された信号読出回路7と、少なくとも半導体基板10の裏面10b及び凹部20の側面20bに形成されたボロン層12と、ボロン層12上に形成され、凹部20の底面20aに対向する開口13aが設けられた金属層13と、凹部20の底面20aに形成された反射防止層14と、を備える。【選択図】図1

9. 发明专利

JP2021528847A 裏面照光センサおよびセンサの製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2021528847A
公开(公告)日：2021-10-21
申请号：JP2020570025
申请日：2019-06-17
申请人：ケーエルエーコーポレイション , 浜松ホトニクス株式会社
发明人：チュアン, ユン−ホ, アレックス , チャン, ジンジン , フィールデン, ジョン , ブラウン, デイヴィッド, エル. , 村松雅治 , 米田康人 , 大塚慎也
IPC分类号： H01L27/144 , H04N5/369 , H01L31/10 , H01L27/146
摘要：電子または短波長光用の画像センサは、半導体膜と、半導体膜の一方の面に形成された回路素子と、半導体膜の他方の面の純ボロン層とを備える。回路素子は、耐熱金属を含む金属相互接続部によって接続される。純ボロン層の上に反射防止層または保護層を形成してもよい。この画像センサは、複数年にわたる高束での連続使用下でも高効率で安定性に優れている。画像センサは、CCD(電荷結合素子)またはCMOS(相補型金属酸化膜半導体)技術を使用して製造されてもよい。画像センサは、二次元エリアセンサまたは一次元アレイセンサであってもよい。【選択図】図1

10. 发明专利

JP2021044439A 裏面入射型撮像素子审中-公开
公开(公告)号：JP2021044439A
公开(公告)日：2021-03-18
申请号：JP2019166268
申请日：2019-09-12
申请人：浜松ホトニクス株式会社
发明人：村松雅治 , ▲高▼木慎一郎 , 米田康人
IPC分类号： H04N5/369 , H01L27/148 , H01L27/146
摘要：【課題】処理速度を向上可能な裏面入射型撮像素子を提供する。【解決手段】裏面入射型撮像素子1は、グラウンド電位が付与される半導体基板10と半導体層30とを備える。半導体層30は、裏面10b側からの入射光hνに応じて信号電荷を生成する受光部13と信号電圧をデジタル信号に変換するアナログ−デジタル変換器17とを含む。第1方向における半導体基板10の厚さは、第1方向からみて受光部13に対応する半導体基板10の第1領域10Aよりも、第1方向から見てアナログ−デジタル変換器17に対応する半導体基板10の第2領域10Bにおいて相対的に厚い。【選択図】図2

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