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1. 发明专利

JP6294175B2 半導体装置およびそれを用いた電力変換システム有权
公开(公告)号：JP6294175B2
公开(公告)日：2018-03-14
申请号：JP2014136415
申请日：2014-07-02
申请人：株式会社日立製作所 , 株式会社日立パワーデバイス
发明人：若木政利 , 石丸哲也
IPC分类号： H01L29/868 , H01L21/329 , H01L29/06 , H01L29/861

2. 发明专利

JP2016015392A 半導体装置およびそれを用いた電力変換システム有权
标题翻译：半导体器件和功率转换系统
公开(公告)号：JP2016015392A
公开(公告)日：2016-01-28
申请号：JP2014136415
申请日：2014-07-02
申请人：株式会社日立製作所 , 株式会社日立パワーデバイス
发明人：若木政利 , 石丸哲也
IPC分类号： H01L29/868 , H01L21/329 , H01L29/06 , H01L29/861
摘要：【課題】低オン電圧化が容易で損失の少ない低ノイズダイオードを提供する。【解決手段】n型のn - ドリフト層101と、n - ドリフト層101と隣接するp型のアノードp層102と、n - ドリフト層101のアノード側に隣接して設けられ、n - ドリフト層101よりもn型不純物の濃度が高いn型のカソードn層104と、アノードp層102にオーミック接続するアノード電極107と、カソードn層104にオーミック接続するカソード電極108とを有し、n - ドリフト層101とカソードn層104との間であって、カソードn層104に隣接する位置に、カソードn層104に含有されるn型不純物と同種の不純物を含有し、カソードn層104よりもキャリアのライフタイムが短い低ライフタイム領域106が複数設けられる。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种易于实现低导通电压并且具有较少损耗的低噪声二极管。解决方案：半导体器件包括：n型n驱动层101; 与n型层101相邻的p型阳极p层102; n型阴极n层104，其设置在n型层101的阳极侧附近，并且具有比n型层101的n型杂质更高的浓度; 与阳极p层102形成欧姆连接的阳极电极107; 与阴极n层104形成欧姆连接的阴极电极108; 以及多个低寿命时间区域106，其设置在n层层101和阴极n层104之间并且与阴极n层104相邻的位置处，并且每个包括与n型相同类型的杂质包含在阴极n层104中的杂质，其寿命比阴极n层104短。

3. 发明专利

JP6846119B2 ダイオード、およびそれを用いた電力変換装置有权
公开(公告)号：JP6846119B2
公开(公告)日：2021-03-24
申请号：JP2016092229
申请日：2016-05-02
申请人：株式会社日立パワーデバイス
发明人：新井大夏 , 若木政利 , 石丸哲也 , 森睦宏
IPC分类号： H01L29/868 , H01L21/268 , H01L21/322 , H01L29/861

4. 发明专利

JP6268117B2 半導体装置およびその製造方法、並びに電力変換システム有权
公开(公告)号：JP6268117B2
公开(公告)日：2018-01-24
申请号：JP2015065469
申请日：2015-03-27
申请人：株式会社日立製作所 , 株式会社日立パワーデバイス
发明人：若木政利 , 古川智康
IPC分类号： H01L29/868 , H01L21/329 , H01L29/861

5. 发明专利

JP6227255B2 ダイオード及びその製造方法有权
公开(公告)号：JP6227255B2
公开(公告)日：2017-11-08
申请号：JP2013014959
申请日：2013-01-30
申请人：株式会社日立パワーデバイス
发明人：若木政利 , 豊田善章
IPC分类号： H01L29/861 , H01L21/329 , H01L29/868

6. 发明专利

JP2018056220A 半導体装置およびその製造方法、並びに電力変換システム审中-公开
公开(公告)号：JP2018056220A
公开(公告)日：2018-04-05
申请号：JP2016187705
申请日：2016-09-27
申请人：株式会社日立パワーデバイス
发明人：若木政利 , 新井大夏 , 森睦宏 , 古川智康
IPC分类号： H01L29/868 , H01L21/329 , H01L29/78 , H01L29/41 , H01L29/861
CPC分类号： H01L29/0638 , H01L21/3225 , H01L27/0664 , H01L29/167 , H01L29/32 , H01L29/36 , H01L29/66136 , H01L29/861 , H02M7/5395 , H02P27/08
摘要：【課題】安価でありながら発振現象を抑制できる半導体装置を実現する。【解決手段】シリコン半導体基板(100)に形成されたアノード電極(106)およびカソード電極(107)と、アノード電極に隣接して形成されたp型層(102,103)と、カソード電極に隣接して形成され、V族元素を拡散してなるn型層(104)と、p型層と、n型層との間に形成されたn - 層(101)と、n - 層とn型層との間に形成され、酸素を含有するnバッファ層(105)と、を設け、カソード電極のn型層側の面からアノード電極に向かう少なくとも30μmの幅の領域内の酸素濃度が1×10 17 cm -3 以上であるとともに、p型層に接する箇所におけるn - 層の酸素濃度が3×10 17 cm -3 未満にした。【選択図】図1

7. 发明专利

JP2017201644A ダイオード、およびそれを用いた電力変換装置审中-公开
公开(公告)号：JP2017201644A
公开(公告)日：2017-11-09
申请号：JP2016092229
申请日：2016-05-02
申请人：株式会社日立製作所 , 株式会社日立パワーデバイス
发明人：新井大夏 , 若木政利 , 石丸哲也 , 森睦宏
IPC分类号： H01L29/868 , H01L21/268 , H01L21/322 , H01L29/861
CPC分类号： H01L27/0814 , H01L21/322 , H01L29/32 , H01L29/36 , H01L29/41716 , H01L29/66136 , H01L29/861 , H02M1/084 , H02M7/537 , H02P27/06
摘要：【課題】ダイオードの導通損失とスイッチング損失のトレードオフを改善しつつ、逆回復スイッチング時のサージ電圧と高周波発振を抑制し、また素子破壊や劣化要因となる耐圧保持時のリーク電流を低減する。【解決手段】アノード電極層と、カソード電極層と、前記アノード電極層と前記カソード電極層とに挟まれ、前記カソード電極層からの距離が30μm以上の位置に形成された第1導電型のバッファ層と、前記アノード電極層と前記カソード電極層とに挟まれた領域に形成され、前記第1導電型のバッファ層に接した第1導電型の第1半導体層と、前記アノード電極層と前記第1導電型の第1半導体層とに挟まれた領域に形成された第2導電型の第2半導体層と、を備え、前記第1半導体層のキャリア濃度が前記バッファ層のキャリア濃度より低く、前記バッファ層のキャリア濃度は1×10 15 cm −3 未満である。【選択図】図1

8. 发明专利

JP2016184713A 半導体装置およびその製造方法、並びに電力変換システム有权
标题翻译：其半导体器件及其制造方法及功率转换系统
公开(公告)号：JP2016184713A
公开(公告)日：2016-10-20
申请号：JP2015065469
申请日：2015-03-27
申请人：株式会社日立製作所 , 株式会社日立パワーデバイス
发明人：若木政利 , 古川智康
IPC分类号： H01L29/868 , H01L21/329 , H01L29/06 , H01L29/861
摘要：【課題】耐圧を確保し宇宙線耐量に優れ発振現象を抑制した低ノイズのダイオードを低コストで提供する。また、ライン汚染の心配の少ないダイオード製造プロセスを提供する。【解決手段】アノード電極106に隣接してp型層102を、カソード電極107に隣接してV族元素を拡散してなるn型層104を、それぞれ設け、p型層102とn型層104との間にn-ドリフト層101を更に設ける。n型層104に隣接して厚さ30μm以上の領域にわたって連続して酸素を含有するnバッファー層105を更に設け、nバッファー層105のn型キャリア濃度をn-層101のn型キャリア濃度より高くし、かつ、1×10 15 cm −3 以下にし、カソード電極107のn型層104側の面から30umの領域の酸素濃度を1×10 17 cm −3 以上1×10 18 cm −3 以下とし、p型層102に隣接するn-層101の酸素濃度を1×10 17 cm −3 未満に設定する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供低成本的二极管，确保电压耐受性和优异的宇宙射线坚固性，并且抑制振荡现象以实现低噪声; 并提供二线制造工艺，线路污染的危险性较小。解决方案：一种半导体器件包括：与阳极电极106相邻设置的ap型层102和与阴极电极107相邻的n型层104， V元素扩散; 设置在p型层102和n型层104之间的n漂移层101; 以及与n型层104相邻设置并连续超过30μm以上的区域的含氧n缓冲层105。将n型缓冲层105的n型载流子浓度设定为高于n层101的n型载流子浓度且为1×10cm以下。并且从n型层104侧的面30μm的阴极电极107的氧浓度为1×10cm以上1×10cm以下。并且与p型层102相邻的n层101的氧浓度设定为小于1×10cm。图1

9. 发明专利

JP5891023B2 半導体装置及びそれを用いた電力変換装置有权
公开(公告)号：JP5891023B2
公开(公告)日：2016-03-22
申请号：JP2011267449
申请日：2011-12-07
申请人：株式会社日立パワーデバイス
发明人：豊田善章 , 坂野順一 , 若木政利
IPC分类号： H01L21/76 , H01L29/739 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/407 , H01L29/0696 , H01L29/0834 , H01L29/4236 , H01L29/66348 , H01L29/7397 , H02M7/003

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