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1. 发明专利

JP2014239124A 光電素子审中-公开
标题翻译：光电元件
公开(公告)号：JP2014239124A
公开(公告)日：2014-12-18
申请号：JP2013120276
申请日：2013-06-06
申请人：株式会社豊田中央研究所 , Toyota Central R&D Labs Inc
发明人： TAMURA SHINICHI , TAJIMA SHIN , HASEGAWA MASAKI , IKUNO TAKASHI
IPC分类号： H01L31/06
CPC分类号： Y02E10/50
摘要：【課題】製造コストを増大させることなく、光の吸収率を向上させることができ、しかも光吸収層の最深部で生成したキャリアを取り出すことが可能な光電素子を提供すること。【解決手段】光電素子は、基板と、前記基板の表面に形成された下部電極と、前記下部電極の上に形成された、p型半導体からなる光吸収層及びn型半導体からなる第2層と、前記光吸収層又は前記第2層の表面に形成された上部電極とを備えている。また、前記光電素子は、前記光吸収層の傾き角(&thetas;)が0?
摘要翻译：要解决的问题：提供一种光电元件，其能够提高光的吸收系数而不增加制造成本，并提取在光吸收层的最深部分产生的载体。解决方案：光电元件包括：基板; 形成在所述基板的表面上的下电极; 由p型半导体构成的光吸收层和形成在下电极上的由n型半导体构成的第二层; 以及形成在光吸收层或第二层的表面上的上电极。在光吸收层的倾斜角（θ）为0°〜90°的条件下使用光电元件。术语“倾斜角（＆amp; t”））是指光吸收层的受光面的法线与光的入射方向之间形成的角度。

2. 发明专利

JP2013229572A Photoelectric element 审中-公开
标题翻译：光电元件
公开(公告)号：JP2013229572A
公开(公告)日：2013-11-07
申请号：JP2013032640
申请日：2013-02-21
申请人： Toyota Central R&D Labs Inc , 株式会社豊田中央研究所
发明人： HASEGAWA MASAKI , TAMURA SHINICHI , IKUNO TAKASHI , FUKANO TATSUO , TAJIMA SHIN
IPC分类号： H01L31/04 , H01L31/0248 , H01L31/10
CPC分类号： H01L31/0326 , H01L21/02472 , H01L21/02474 , H01L21/02483 , H01L21/02485 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02573 , H01L21/02581 , H01L21/02614 , H01L21/02628 , H01L31/072 , Y02E10/542
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent a reduction in quantum efficiency at a short-wavelength range without using a buffer layer containing harmful material in a photoelectric element using a light absorption layer composed of a sulfide compound semiconductor.SOLUTION: In a photoelectric element including a light absorption layer composed of a p-type semiconductor, a buffer layer, and a window layer, and in which the light absorption layer, the buffer layer, and the window layer are stacked in this order, a film composed of a sulfide compound semiconductor containing Cu, Zn, Sn, and S is used as the light absorption layer, and a film having a composition of ZnMgO (0
摘要翻译：要解决的问题：为了防止在使用由硫化物化合物半导体构成的光吸收层的光电元件中不使用含有有害物质的缓冲层的短波长范围内的量子效率的降低。由p型半导体，缓冲层和窗口层组成的光吸收层，其中光吸收层，缓冲层和窗口层依次层叠，由硫化物化合物半导体使用含有Cu，Zn，Sn和S作为光吸收层，并且使用具有六方晶系的晶体结构的ZnMgO（0

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