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1. 发明专利

JP6302303B2 半導体発光素子有权
公开(公告)号：JP6302303B2
公开(公告)日：2018-03-28
申请号：JP2014054157
申请日：2014-03-17
申请人：株式会社東芝 , 東芝デバイス&ストレージ株式会社
发明人：伊藤俊秀 , 大野浩志 , 布上真也
IPC分类号： H01L33/20 , H01L33/38
CPC分类号： H01L33/382 , H01L33/0079 , H01L33/32 , H01L33/40 , H01L33/405

2. 发明专利

JP6462274B2 半導体発光素子有权
公开(公告)号：JP6462274B2
公开(公告)日：2019-01-30
申请号：JP2014168803
申请日：2014-08-21
申请人：株式会社東芝 , 東芝デバイス&ストレージ株式会社
发明人：田島純平 , 大野浩志 , 伊藤俊秀 , 上杉謙次郎 , 布上真也
IPC分类号： H01L33/38 , H01L33/08

3. 发明专利

JP6013931B2 半導体発光素子有权
公开(公告)号：JP6013931B2
公开(公告)日：2016-10-25
申请号：JP2013023653
申请日：2013-02-08
申请人：株式会社東芝
发明人：勝野弘 , 三木聡 , 伊藤俊秀 , 布上真也
IPC分类号： H01L33/32
CPC分类号： H01L33/405 , H01L33/46 , H01L2933/0016 , H01L33/0079 , H01L33/38

4. 发明专利

JP5865870B2 半導体発光素子有权
公开(公告)号：JP5865870B2
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：JP2013127968
申请日：2013-06-18
申请人：株式会社東芝
发明人：勝野弘 , 三木聡 , 伊藤俊秀 , 布上真也
IPC分类号： H01L33/38

5. 发明专利

JP2015233086A 半導体発光素子及びその製造方法审中-公开
标题翻译：半导体发光元件及其制造方法
公开(公告)号：JP2015233086A
公开(公告)日：2015-12-24
申请号：JP2014119594
申请日：2014-06-10
申请人：株式会社東芝
发明人：大野浩志 , 田島純平 , 伊藤俊秀 , 上杉謙次郎 , 木村重哉 , 布上真也
IPC分类号： H01L33/40 , H01L33/38
CPC分类号： H01L33/0079 , H01L33/405 , H01L33/62 , H01L25/0753 , H01L27/153 , H01L2924/0002
摘要：【課題】高効率の半導体発光素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】実施形態によれば、半導体発光素子は、基体と、第1、第2積層体と、第1〜第4電極と、第1素子間接続部と、第1、第2接合部と、第1分離絶縁部と、を含む。第1素子間接続部は、第1積層体の一部と基体との間、及び、第2積層体の一部と基体との間に設けられた部分を有し、第1積層体に接続された第2電極と、第2積層体に接続された第3電極とを電気的に接続する。第1接合層は、第1素子間接続部の少なくとも一部と、基体と、の間に設けられ第1素子間接続部と基体とを接合する。第2接合部は、第4電極と基体との間に設けられる。第1分離絶縁部は、第1、第2接合部との間に設けられ第1、第2接合部とを電気的に分離する。第1素子間接続部の光反射率は、第1、第2接合部の光反射率よりも高い。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种具有高效率的半导体发光元件和半导体发光元件的制造方法。解决方案：根据实施例，半导体发光元件包括基板，第一和第二层压板，第一至第四电极，第一元件间连接部件，第一和第二接合部件和第一隔离绝缘部件。所述第一元件间连接部具有设置在所述第一层叠体的一部分与所述基板之间以及所述第二层叠体的一部分与所述基板之间的部分，并将与所述第一层叠体连接的所述第二电极和与所述第一层叠体连接的所述第三电极第二层压板。第一接合部设置在第一元件间连接部的至少一部分和基板之间，并且接合第一元件间连接部和基板。第二接合部设置在第四电极和基板之间。第一隔离绝缘部分设置在第一和第二接合部分之间并电隔离第一和第二接合部分。第一元件间连接部的光反射率高于第一和第二接合部的光反射率。

6. 发明专利

JP2021153167A 半導体装置、半導体装置の製造方法、インバータ回路、駆動装置、車両、及び、昇降機审中-公开
公开(公告)号：JP2021153167A
公开(公告)日：2021-09-30
申请号：JP2020145717
申请日：2020-08-31
申请人：株式会社東芝
发明人：清水達雄 , 中林幸雄 , 西尾譲司 , 太田千春 , 伊藤俊秀
IPC分类号： H01L29/12 , H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/739 , H01L21/316 , H01L21/318 , H01L29/78
摘要：【課題】絶縁層中の炭素欠陥の量を低減する半導体装置を提供する。【解決手段】実施形態の半導体装置は、炭化珪素層と、酸化シリコン層と、炭化珪素層と酸化シリコン層との間に位置し、窒素の濃度が1×10 21 cm −3 以上の領域と、を備え、炭化珪素層、酸化シリコン層、及び、領域の中の窒素の濃度分布が、領域にピークを有し、ピークから酸化シリコン層の側に1nm離れた位置における窒素の濃度が1×10 18 cm −3 以下であり、位置における炭素の濃度が1×10 18 cm −3 以下である。【選択図】図1

7. 发明专利

JP2016046351A 半導体発光素子有权
标题翻译：半导体发光元件
公开(公告)号：JP2016046351A
公开(公告)日：2016-04-04
申请号：JP2014168803
申请日：2014-08-21
申请人：株式会社東芝
发明人：田島純平 , 大野浩志 , 伊藤俊秀 , 上杉謙次郎 , 布上真也
IPC分类号： H01L33/38 , H01L33/08
CPC分类号： H01L27/156 , H01L25/0753 , H01L33/62 , H01L33/20 , H01L33/38 , H01L33/405 , H01L33/46
摘要：【課題】高効率の半導体発光素子を提供する。【解決手段】実施形態の半導体発光素子は、基体と、第1導電形の第1、第3半導体層と、第2導電形の第2、第4半導体層と、第1、第2発光層と、第1、第2導電層と、第1、第2素子間配線と、を含む。第1半導体層は第1、第2領域を含む。第2半導体層は基体と第1領域との間に設けられる。第1発光層は第1領域と第2半導体層との間に設けられる。第1導電層は第2領域と接続される。第3半導体層は第3、第4領域を含む。第4半導体層は基体と第3領域との間に設けられる。第2発光層は第3領域と第4半導体層との間に設けられる。第2導電層は第4半導体層と接続される。第1素子間配線は第1、第2端部を含む。第1端部は第1導電層と接続され、第2端部は第2導電層と重ならない。第2素子間配線は第3、第4端部を含む。第3端部は第2導電層と接続され、第4端部は第2端部と接続される。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种高效率的半导体发光元件。解决方案：实施例的半导体发光元件包括：基底; 第一导电类型的第一和第三半导体层; 第二导电类型的第二和第四半导体层; 第一和第二发光层; 第一和第二导电层; 以及第一和第二元件间互连。第一半导体层包括第一和第二区域。第二半导体层设置在基底基板和第一区域之间。第一发光层设置在第一区域和第二半导体层之间。第一导电层与第二区域连接。第三半导体层包括第三和第四区域。第四半导体层设置在基底基板和第三区域之间。第二发光层设置在第三区域和第四半导体层之间。第二导电层与第四半导体层连接。第一元件间互连包括第一和第二端。第一端与第一导电层连接，第二端不与第二导电层重叠。第二元件包括第三和第四端。第三端与第二导电层连接，第四端与第二端相连。图1

8. 发明专利

JP5705950B2 半導体発光素子有权
公开(公告)号：JP5705950B2
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：JP2013238298
申请日：2013-11-18
申请人：株式会社東芝
发明人：伊藤俊秀 , 岡俊行 , 布上真也
IPC分类号： H01L33/32 , H01L21/28 , H01L33/42

9. 发明专利

JP2021153168A 半導体装置、半導体装置の製造方法、インバータ回路、駆動装置、車両、及び、昇降機审中-公开
公开(公告)号：JP2021153168A
公开(公告)日：2021-09-30
申请号：JP2020145718
申请日：2020-08-31
申请人：株式会社東芝
发明人：清水達雄 , 中林幸雄 , 西尾譲司 , 太田千春 , 伊藤俊秀
IPC分类号： H01L29/12 , H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/739 , H01L21/318 , H01L21/316 , H01L29/78
摘要：【課題】絶縁層中の炭素欠陥及び窒素欠陥の量を低減する半導体装置を提供する。【解決手段】実施形態の半導体装置は、炭化珪素層と、酸化シリコン層と、炭化珪素層と酸化シリコン層との間に位置し、窒素の濃度が1×10 21 cm −3 以上の領域と、を備え、炭化珪素層、酸化シリコン層、及び、領域の中の窒素の濃度分布が、領域にピークを有し、ピークから酸化シリコン層の側に1nm離れた第1の位置における窒素の濃度が1×10 18 cm −3 以下であり、第1の位置における炭素の濃度が1×10 18 cm −3 以下であり、ピークから炭化珪素層の側に1nm離れた第2の位置における窒素の濃度が1×10 18 cm −3 以下である。【選択図】図1

10. 发明专利

JP6351520B2 半導体発光素子有权
公开(公告)号：JP6351520B2
公开(公告)日：2018-07-04
申请号：JP2015027958
申请日：2015-02-16
申请人：株式会社東芝
发明人：田島純平 , 大野浩志 , 伊藤俊秀 , 上杉謙次郎 , 布上真也
IPC分类号： H01L33/38 , H01L33/08
CPC分类号： H01L27/156 , H01L33/08 , H01L33/20 , H01L33/22 , H01L33/38 , H01L33/387 , H01L33/405 , H01L33/62

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