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1. 发明专利

JP2019201063A 半導体装置审中-公开
公开(公告)号：JP2019201063A
公开(公告)日：2019-11-21
申请号：JP2018093522
申请日：2018-05-15
申请人：株式会社東芝 , 東芝エネルギーシステムズ株式会社
发明人：田代匠太 , 伊東弘晃 , 市倉優太 , 渡邉尚威 , 田多伸光 , 水谷麻美 , 関谷洋紀 , 久里裕二 , 飯尾尚隆
IPC分类号： H01L25/18 , H02M3/00 , H01L25/07
摘要：【課題】回路基板の配線パターンのインピーダンスに起因する、複数の半導体素子ごとの負担電流の相違を軽減することができる半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置1は、電源側電極と負荷側電極と、を有する複数の半導体素子9a〜9hと、電源に接続される複数の電源側端子52と、負荷に接続される複数の負荷側端子42a、42bと、複数の電源側端子52a、52bと複数の半導体素子9の電源側電極を電気的に接続する、面状に構成された電源側の導電層51a、51bと、複数の負荷側端子と複数の半導体素子の負荷側電極を電気的に接続する、面状に構成された負荷側の導電層41と、電源側の導電層と負荷側の導電層とを電気的に絶縁する絶縁層と、を有する基板11を備える。複数の半導体素子は、複数の電源側端子および複数の負荷側端子から略同等の距離で、基板上に配置される。【選択図】図1

2. 发明专利

JP2018181513A 回路分離素子および半導体装置审中-公开
公开(公告)号：JP2018181513A
公开(公告)日：2018-11-15
申请号：JP2017076746
申请日：2017-04-07
申请人：株式会社東芝 , 東芝インフラシステムズ株式会社
发明人：平塚大祐 , 伊東弘晃 , 田多伸光 , 上田和宏 , 大部利春
IPC分类号： H01L23/58 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01H85/046 , H01H85/08 , H01H85/06 , H01H85/17 , H01H85/175 , H01H85/46 , H01H85/50 , H05K1/02 , H02M7/48 , H01H85/12
摘要：【課題】故障した半導体素子を回路から分離し、システム全体の運転継続を可能とする回路分離素子および半導体装置を提供する。【解決手段】回路分離素子は、絶縁体と、前記絶縁体上に設けられた第1電極と、前記絶縁体上において前記第1電極から離間した位置に設けられた第2電極と、前記絶縁体上に設けられ、前記第1電極および前記第2電極にそれぞれ接続された複数の線状導体とを備える。前記線状導体の数は、前記第1電極と前記第2電極との間を流れる最大電流値を前記線状導体の材料に固有の最小アーク電流値で除した値よりも多い。【選択図】図1

3. 发明专利

JP2018110218A 半導体装置およびその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018110218A
公开(公告)日：2018-07-12
申请号：JP2017237014
申请日：2017-12-11
申请人：株式会社東芝 , 東芝エネルギーシステムズ株式会社
发明人：市倉優太 , 山成真輝 , 渡邉尚威 , 伊東弘晃 , 大部利春 , 瀧本和靖 , 関谷洋紀 , 久里裕二 , 田多伸光 , 平塚大祐 , 飯尾尚隆 , 松村仁嗣
IPC分类号： H01L25/18 , H01L23/36 , H01L23/28 , H01L23/29 , H01L23/31 , H01L25/07
摘要：【課題】安全性が高い大電流出力が可能な半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】実施形態は、第1面を有する第1金属板と、前記第1面に向き合う第2面を有する第2金属板と、前記第1金属板と前記第2金属板との間に配置された2以上の半導体ユニットと、前記第1金属板と前記2以上の半導体ユニットとの間にそれぞれ設けられた導電性の第1接続部材と、前記第2金属板と前記2以上の半導体ユニットとの間のそれぞれ設けられた導電性の第2接続部材と、を備える。前記半導体ユニットは、第1金属部材、第2金属部材および半導体素子の積層体と、前記積層体を覆う封止樹脂と、を含む。前記第1金属部材側の導電部および前記第2金属部材側の導電部のうちの少なくとも一方は、絶縁性の第1絶縁部材によって覆われている。【選択図】図1

4. 发明专利

JP2017157582A 半導体装置审中-公开
公开(公告)号：JP2017157582A
公开(公告)日：2017-09-07
申请号：JP2016036621
申请日：2016-02-29
申请人：株式会社東芝
发明人：久里裕二 , 小谷和也 , 佐々木遥 , 松村仁嗣 , 田多伸光 , 関谷洋紀 , 平塚大祐 , 水内理映子 , 福満昌子
IPC分类号： H01L21/52
摘要：【課題】信頼性が向上した半導体装置を提供する。【解決手段】実施形態の半導体装置は、半導体素子と、金属箔と、半導体素子と金属箔の間に設けられスズとアンチモンを含み菱面体結晶構造を有する第1の領域を有する接合層と、を備える。【選択図】図1

5. 发明专利

JP2016171249A 半導体装置の製造方法审中-公开
标题翻译：半导体器件的制造方法
公开(公告)号：JP2016171249A
公开(公告)日：2016-09-23
申请号：JP2015051198
申请日：2015-03-13
申请人：株式会社東芝
发明人：久里裕二 , 小谷和也 , 佐々木遥 , 松村仁嗣 , 田多伸光 , 関谷洋紀 , 内田雅之 , 水内理映子
IPC分类号： B24B37/04 , H01L21/60 , C23G1/22 , H01L23/40
CPC分类号： H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/181
摘要：【課題】半導体装置用部材にアルミニウムを用いて、他の部材と接合する場合に、アルミニウム部材に自然酸化膜が発生するのを抑制した半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】アルミニウムを含有する第1部材を第2部材に接合する前に、第1部材を砥粒により研磨する工程S10と、研磨した第1部材を強アルカリ溶液に晒す工程S20と、第1部材を強アルカリ溶液に晒した後、水洗する工程S30、とを備える。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种半导体器件的制造方法，该半导体器件能够防止在铝构件将铝构件与另一构件接合时使用铝作为半导体器件的构件，从而防止在铝构件上产生自然氧化膜。解决方案：半导体的制造方法装置包括以下步骤：在将含有铝的第一构件连接到第二构件之前，研磨具有磨料颗粒的第一构件（步骤S10）; 将地面第一部件暴露于强碱溶液（步骤S20）; 并在暴露于强碱溶液之后用水洗涤第一部件（步骤S30）。选择的图：图1

6. 发明专利

JP5931376B2 組電池およびその製造方法有权
标题翻译：电池组及其制造的方法
公开(公告)号：JP5931376B2
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：JP2011191122
申请日：2011-09-01
申请人：株式会社東芝
发明人：小山泰平 , 首藤正志 , 田多伸光 , 冨樫法仁 , 佐藤憲治
IPC分类号： H01M2/10

7. 发明专利

JP2015233394A 車両用電力変換装置审中-公开
标题翻译：车辆动力转换装置
公开(公告)号：JP2015233394A
公开(公告)日：2015-12-24
申请号：JP2014120008
申请日：2014-06-10
申请人：株式会社東芝
发明人：河野佑介 , 野木雅之 , 田多伸光 , 月成勇起 , 中沢洋介 , 牧野友由
IPC分类号： H02M7/48 , B60L9/24 , H02M7/12
CPC分类号： H02M7/12
摘要：【課題】構造を簡素化できる。【解決手段】実施形態の車両用電力変換装置は、単相交流電力を直流電力に変換する電力変換装置であって、2レベルコンバータと、3レベルコンバータと、1つの冷却装置と、を備える。冷却装置は、2レベルコンバータを構成するスイッチングデバイスを内蔵するパワーモジュールと、3レベルコンバータを構成するスイッチングデバイスを内蔵するパワーモジュールと、を設置する。3レベルコンバータを構成するスイッチングデバイスを内蔵するパワーモジュールは、3レベルコンバータを構成する2個直列接続されるコンデンサのうち、いずれか一つに印加可能な電圧以上の絶縁耐圧を有する。2レベルコンバータを構成するスイッチングデバイスを内蔵するパワーモジュールは、3レベルコンバータを構成する2個直列接続されるコンデンサのうちいずれか一つ及び2レベルコンバータを構成するコンデンサに印加可能な電圧の合計以上の絶縁耐圧を有する。【選択図】図4
摘要翻译：要解决的问题：允许简化结构。车辆电力转换装置将单相交流电转换为直流电力。该电力转换装置包括：单相2电平转换器; 单相3级转换器; 和一个冷却器。冷却器将与组成单相2电平转换器的开关单元并联的功率模块和与构成单相3级转换器的开关单元并入的功率模块接地。与组成单相3电平转换器的开关单元结合的电源模块具有等于可构成单相3电平转换器的两个电容器中的任一个的电压等于或等于串联连接的电压的介电强度电压。与构成单相2电平转换器的开关单元结合的功率模块的介电强度电压等于可应用于组成单相3电平转换器的两个电容器中的任一个的电压的总电压或更多的电压，并且连接在串联和适用于构成单相2电平转换器的电容器的电压。

8. 发明专利

JP6980403B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP6980403B2
公开(公告)日：2021-12-15
申请号：JP2017076746
申请日：2017-04-07
申请人：株式会社東芝 , 東芝インフラシステムズ株式会社
发明人：平塚大祐 , 伊東弘晃 , 田多伸光 , 上田和宏 , 大部利春
IPC分类号： H01L23/58 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01H85/046 , H01H85/08 , H01H85/06 , H01H85/17 , H01H85/175 , H01H85/46 , H01H85/50 , H05K1/02 , H02M7/48 , H01H85/12

9. 发明专利

JP6922002B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP6922002B2
公开(公告)日：2021-08-18
申请号：JP2019570278
申请日：2018-08-08
申请人：株式会社東芝 , 東芝エネルギーシステムズ株式会社
发明人：伊東弘晃 , 市倉優太 , 渡邉尚威 , 田多伸光 , 平塚大祐 , 田代匠太 , 水谷麻美 , 関谷洋紀 , 久里裕二 , 飯尾尚隆 , 松村仁嗣
IPC分类号： H01L23/31 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L23/00 , H01L23/29

10. 发明专利

JP2021061263A 半導体ユニット及び半導体装置审中-公开
公开(公告)号：JP2021061263A
公开(公告)日：2021-04-15
申请号：JP2018020235
申请日：2018-02-07
申请人：株式会社東芝 , 東芝エネルギーシステムズ株式会社
发明人：渡邉尚威 , 伊東弘晃 , 市倉優太 , 水谷麻美 , 田多伸光 , 平塚大祐 , 関谷洋紀 , 久里裕二 , 田代匠太 , 飯尾尚隆 , 松村仁嗣
IPC分类号： H01L25/18 , H01L23/36 , H01L23/48 , H01L25/07
摘要：【課題】半導体チップに不具合が生じても、被害の拡大を抑制できる半導体ユニット及び半導体装置を提供する。【解決手段】半導体ユニットは、金属製のケースと、前記ケース内に設けられ、第1面に第1電極が設けられ、第2面に第2電極が設けられた半導体チップと、前記ケース内に設けられ、前記半導体チップの前記第1面上に積層された第1金属板と、を備える。前記第1金属板は、前記第1電極に接続されている。前記第1金属板の端部の第1部分は、前記半導体チップの側方において、前記第1面から前記第2面に向かう第1方向に向けて延出している。前記第1部分の先端は、前記第1面よりも前記第1方向側に配置されている。【選択図】図2

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