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1. 发明专利

JP6081387B2 半導体装置および半導体装置の製造方法有权
公开(公告)号：JP6081387B2
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：JP2014015988
申请日：2014-01-30
申请人：株式会社東芝
发明人：小木曽浩二 , 東和幸 , 右田達夫
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/522 , H01L21/3205

2. 发明专利

JP6163436B2 半導体装置および半導体装置の製造方法有权
公开(公告)号：JP6163436B2
公开(公告)日：2017-07-12
申请号：JP2014015829
申请日：2014-01-30
申请人：株式会社東芝
发明人：右田達夫 , 小木曽浩二 , 東和幸
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/3205 , H01L23/522

4. 发明专利

JP2015142113A 半導体装置および半導体装置の製造方法有权
标题翻译：半导体器件的半导体器件和制造方法
公开(公告)号：JP2015142113A
公开(公告)日：2015-08-03
申请号：JP2014015988
申请日：2014-01-30
申请人：株式会社東芝
发明人：小木曽浩二 , 東和幸 , 右田達夫
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/522 , H01L21/3205
摘要：【課題】本発明の一つの実施形態は、厚さを低減することができる半導体装置および半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】本発明の一つの実施形態に係る半導体装置は、貫通孔と、金属部とを備える。貫通孔は、基板の表裏を貫通し、一方の開口の寸法が他方の開口の寸法よりも小さい。金属部は、他方の開口が閉塞された貫通孔の内部にコンフォーマルめっきによって形成され、貫通孔における一方の開口を閉塞する。貫通孔は、他方の開口から一方の開口へ向かう中途部まで、基板の厚さ方向と直交する断面の寸法が等しく、中途部から一方の開口へ向かうにつれて、断面の寸法が小さくなる。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供能够减小厚度的半导体器件和半导体器件的制造方法。解决方案：根据本发明的实施例的半导体器件具有通孔和金属部件。通孔穿过基板的表面和后表面，一个开口的尺寸小于另一个开口的尺寸。金属部分通过通孔中的共形电镀形成，通孔的另一个开口闭合，并且通孔的一个开口闭合。通孔具有垂直于基板的厚度方向的横截面，其具有从另一个开口到中间到一个开口的均匀尺寸，但是横截面的尺寸从中间到一个开口变小。

5. 发明专利

JP2015142106A 半導体装置および半導体装置の製造方法有权
标题翻译：半导体器件的半导体器件和制造方法
公开(公告)号：JP2015142106A
公开(公告)日：2015-08-03
申请号：JP2014015829
申请日：2014-01-30
申请人：株式会社東芝
发明人：右田達夫 , 小木曽浩二 , 東和幸
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/522 , H01L21/3205
摘要：【課題】貫通電極の導通特性の信頼性を向上させることができる半導体装置および半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】実施形態によれば、半導体装置が提供される。実施形態に係る半導体装置は、貫通孔と、金属部とを備える。貫通孔は、基板の表裏を貫通する。金属部は、貫通孔の内部に、Ni、Au、Ag、Co、Pd、W、Ta、Pt、Rh、Ir、Ru、Os、Re、Mo、Nb、B、Hfのうち、少なくとも1種類の金属を含む材料によって形成され、空洞を内包する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种半导体器件和能够提高贯通电极的连续性的可靠性的半导体器件的制造方法。解决方案：根据实施例的半导体器件包括通孔和金属部件。通孔穿过基板的表面和后表面。金属部分通过含有选自Ni，Au，Ag，Co，Pd，W，Ta，Pt，Rh，Ir，Ru，Os，Re，Mo中的至少一种金属的材料形成在通孔中，Nb，B或Hf，其中包括空腔。

6. 发明专利

JP2016225472A 半導体装置、及び、半導体装置の製造方法有权
标题翻译：半导体器件，以及一种制造半导体器件的方法
公开(公告)号：JP2016225472A
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：JP2015110745
申请日：2015-05-29
申请人：株式会社東芝
发明人：右田達夫 , 小木曽浩二
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/522 , H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L21/60 , H01L21/3205
CPC分类号： H01L21/76898 , H01L21/2885 , H01L21/76873 , H01L21/76879 , H01L21/76888 , H01L23/481
摘要：【課題】空洞が形成された金属部材の亀裂が広がることを低減できる半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】実施形態によれば、半導体装置は、半導体基板と、金属部材と、金属酸化膜とを備える。半導体基板は、一方の面から対向する他方の面に貫通した貫通孔が形成されている。金属部材は、貫通孔の内側に設けられ、内部に空洞が形成されている。金属酸化膜は、金属部材と空洞との間に形成されている。【選択図】図1
摘要翻译：本发明提供了一种制造半导体器件，并且可以减少其上形成空腔的金属构件的裂纹的传播的半导体器件的方法。根据一个实施例，一种半导体器件包括：半导体衬底，以及金属构件，金属氧化物膜。所述半导体衬底具有形成穿过另一表面相对的一个表面上的通孔。金属构件的贯通孔，形成于其中的腔体的内部。金属氧化物膜在金属构件和所述腔之间形成。点域1

7. 发明专利

JP2016225466A 半導体装置および半導体装置の製造方法审中-公开
标题翻译：制造半导体器件的方法和半导体器件
公开(公告)号：JP2016225466A
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：JP2015110601
申请日：2015-05-29
申请人：株式会社東芝
发明人：小木曽浩二 , 村上和博 , 右田達夫
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/522 , H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L21/60 , H01L21/3205
CPC分类号： H01L25/0657 , H01L23/481 , H01L24/08 , H01L24/16 , H01L24/83 , H01L25/50 , H01L2224/08505 , H01L2224/16227 , H01L2224/16245 , H01L2224/16503 , H01L2224/16505 , H01L2224/8321 , H01L2224/8382 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06544 , H01L2225/06565 , H01L2225/06593 , H01L2924/01013 , H01L2924/01022 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0132
摘要：【課題】厚さ方向について小型化を図ることができる半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】実施形態に係る半導体装置は、第1基板と、アルミパッドと、第1ニッケル電極と、第2基板と、第2ニッケル電極と、接続層とを備える。第1基板は、内部に配線を有する。アルミパッドは、第1基板の表層内に設けられ、配線に接続される。第1ニッケル電極は、一部が第1基板に埋設されてアルミパッドに接続され、頂面が第1基板の表面から突出する。第2基板は、第1基板に積層される。第2ニッケル電極は、一部が第2基板に埋設され、頂面が第2基板における第1基板側の表面から突出する。接続層は、スズを含む合金によって形成され、第1ニッケル電極および第2ニッケル電極間を接続する。【選択図】図1
摘要翻译： A中的厚度方向，以提供一种制造半导体器件的方法和半导体器件的小型化。根据实施方案的半导体装置包括第一基板，和铝焊盘，第一镍电极，第二基板，第二镍电极，和连接层。所述第一衬底具有一个布线在其中。铝焊盘在第一衬底的表面层提供的，被连接到布线。第一镍电极部分地连接被嵌入在所述第一基板的铝焊盘，从第一衬底的表面的顶部表面的项目。上述第二基板被层叠到所述第一基板。第二镍电极被部分地嵌入在第二基板上，所述顶表面与所述第二衬底的第一衬底侧表面突出。连接层由含有锡的合金形成的，用于连接所述第一镍电极和第二镍电极。点域1

8. 发明专利

JP2016174134A 半導体装置およびその製造方法审中-公开
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：JP2016174134A
公开(公告)日：2016-09-29
申请号：JP2015110513
申请日：2015-05-29
申请人：株式会社東芝
发明人：右田達夫 , 小木曽浩二
IPC分类号： H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L21/60
CPC分类号： H01L2224/16
摘要：【課題】厚みを抑制し、かつ、半導体基板同士を適切に接合できる半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】本実施形態による半導体装置は、第1半導体基板と、第2半導体基板と、第1金属層と、第2金属層と、第3金属層と、第1合金層と、第2合金層とを備える。第1半導体基板と第2半導体基板とは、互いに対向する。第1金属層は、第1半導体基板に設けられ、第2半導体基板に面する。第2金属層は、第2半導体基板に設けられ、第1金属層に面する。第3金属層は、第1金属層と第2金属層との間に配置されている。第1合金層は、第1金属層と第3金属層との間に配置され、第1金属層の成分と第3金属層の成分とを含む。第2合金層は、第2金属層と第3金属層との間に配置され、第2金属層の成分と第3金属層の成分とを含む。第1および第2金属層の少なくとも一方は、その周縁部において第3金属層側に突出している。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种半导体器件及其制造方法，其可以限制厚度并且将半导体衬底彼此适当地接合。解决方案：本实施例的半导体器件包括第一半导体衬底，第二半导体基板，第一金属层，第二金属层，第三金属层，第一合金层和第二合金层。第一半导体衬底和第二半导体衬底彼此面对。第一金属层设置在第一半导体衬底上并面对第二半导体衬底。第二金属层设置在第二半导体基板上并面对第一金属层。第三金属层布置在第一金属层和第二金属层之间。第一合金层被布置在第一金属层和第三金属层之间，并且包含第一金属层的成分和第三金属层的成分。第二合金层被布置在第二金属层和第三金属层之间，并且包含第二金属层的成分和第三金属层的成分。第一和第二金属层中的至少一个在第一和第二金属层中的至少一个的外边缘朝向第三金属层侧突出。图1

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