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1. 发明专利

JPWO2014027553A1 ＥＳＤ保護装置有权
标题翻译： ESD保护器件
公开(公告)号：JPWO2014027553A1
公开(公告)日：2016-07-25
申请号：JP2014530510
申请日：2013-07-25
申请人：株式会社村田製作所
发明人：真典岡本 , 真典岡本
IPC分类号： H01T1/22 , H01T4/10 , H01T4/12
CPC分类号： H05F3/04 , H01B1/02 , H01B3/12 , H01T1/20 , H01T2/02 , H01T4/12
摘要：優れたESD特性を有するESD保護装置を提供する。ESD保護装置1は、セラミック絶縁材10と、第1及び第2の放電電極21,22と、放電補助部51とを備える。放電補助部51は、第1の放電電極21と第2の放電電極22との間の放電開始電圧を低下させる電極である。放電補助部51は、導電性粒子と、半導体粒子及び絶縁性粒子のうちの少なくとも一方とを含む焼結体からなる。セラミック絶縁材10と放電補助部51とのうちの少なくとも放電補助部51は、アルカリ金属成分及びホウ素成分のうちの少なくとも一方を含む。放電補助部51におけるアルカリ金属成分及びホウ素成分のうちの少なくとも一方の含有量が、セラミック絶縁材10におけるアルカリ金属成分及びホウ素成分のうちの少なくとも一方の含有量よりも多い。
摘要翻译：提供具有优良性能的ESD ESD保护器件。 ESD保护装置1包括陶瓷绝缘体10，第一和第二放电电极21和22，和一个放电辅助部51。排出辅助单元51是降低第一放电电极21和第二放电电极22之间的放电开始电压的电极。放电辅助单元51，和导电性粒子，将含有半导体粒子和绝缘性粒子中的至少一种的烧结体。至少陶瓷绝缘体10与放电辅助单元51的放电辅助部51包括碱金属成分中的至少一个和所述硼成分。至少碱金属成分中的放电辅助部51是比所述碱金属成分的含量，并在陶瓷绝缘材料10的硼构件的至少一个较大的内容和硼成分之一。

2. 发明专利

JPWO2015002045A1 サージ保護デバイス、その製造方法、および、それを含む電子部品有权
标题翻译：浪涌保护装置，其制造方法，以及电子部件，其包括在同一
公开(公告)号：JPWO2015002045A1
公开(公告)日：2017-02-23
申请号：JP2015525169
申请日：2014-06-25
申请人：株式会社村田製作所
发明人：真典岡本 , 幸男前田 , 修次松本
IPC分类号： H01T4/10 , H01T1/20 , H01T2/02 , H01T4/12 , H01T21/00
CPC分类号： H05F3/04 , B22F3/10 , B22F5/00 , C22C29/12 , C22C32/001 , H01T1/20 , H01T2/02 , H01T4/12 , H01T21/00 , H05K1/026
摘要：本発明は、セラミックス基材(1)と、前記セラミックス基材(1)の表面に、先端部が間隔を空けて互いに対向するように配置された少なくとも一対の放電電極(31)と、前記放電電極(31)の各々に電気的に接続された外部電極(32)と、一対の前記放電電極(31)の先端部の間に配置された放電補助電極(4)とを備えるサージ保護デバイスであって、前記放電補助電極(4)は、結晶化ガラス、および、該結晶化ガラス中に互いに離間した状態で分散された導体粉(40)を含有することを特徴とする、サージ保護デバイスである。
摘要翻译：本发明包括一个陶瓷基体（1），所述基板（1），至少一对放电电极（31）的陶瓷表面上被布置成面对间隔彼此尖端，放电的电极（31），每个电连接到外部电极（32），（4）设置在所述一对放电电极（31）的远端端部之间的放电辅助电极和浪涌保护装置，其包括一个有，放电辅助电极（4）是结晶化玻璃，并且其特征在于含有分散在在结晶化玻璃（40）彼此分离的状态下的导电性粒子，浪涌保护设备一。

3. 发明专利

JP5246338B2 Esd protection device and a method of manufacturing the same 有权
公开(公告)号：JP5246338B2
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：JP2011528787
申请日：2010-08-24
申请人：株式会社村田製作所
发明人：高弘鷲見 , 貴大北爪 , 淳足立 , 孝之築澤 , 真典岡本
IPC分类号： H01T4/10 , H01T4/12
CPC分类号： H01T4/10 , H01C1/028 , H01C1/148 , H01C7/003 , H01C7/1006 , H01C17/02

4. 发明专利

JPWO2011024780A1 ＥＳＤ保護デバイスおよびその製造方法有权
公开(公告)号：JPWO2011024780A1
公开(公告)日：2013-01-31
申请号：JP2011528787
申请日：2010-08-24
申请人：株式会社村田製作所
发明人：鷲見　高弘 , 高弘鷲見 , 貴大北爪 , 貴大北爪 , 足立　淳 , 淳足立 , 孝之築澤 , 孝之築澤 , 真典岡本 , 真典岡本
IPC分类号： H01T4/10 , H01T4/12
CPC分类号： H01T4/10 , H01C1/028 , H01C1/148 , H01C7/003 , H01C7/1006 , H01C17/02
摘要：放電開始電圧やピーク電圧を低くすることが可能で、繰り返して静電気を印加しても特性の劣化を生じないESD保護デバイスを提供する。セラミック基材(1)と、セラミック基材の表面または内部に配設された一対の対向電極(2a,2b)と、一対の対向電極間を接続するように配設された放電補助電極膜(3)とを備えたESD保護デバイスにおいて、放電補助電極膜を、金属粒子と、金属粒子を覆うガラスとを主たる成分として含有する材料からなるものとする。空気中、400℃で2時間保持したときの重量増加率が3〜15%のガラスコート金属粒子と、樹脂バインダーと、溶剤とを含む電極ペーストを、一対の対向電極を互いに接続するように付与した後、600℃以上で、かつ、ガラスコート金属粒子に用いられているガラスの軟化点よりも高く、かつ、軟化点+200℃を超えない温度で焼成して放電補助電極膜(3)を形成する。

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