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1. 发明专利

JPWO2016199484A1 熱電変換素子、熱電変換モジュールおよび電気機器审中-公开
公开(公告)号：JPWO2016199484A1
公开(公告)日：2018-01-18
申请号：JP2017523137
申请日：2016-03-31
申请人：株式会社村田製作所
发明人：林幸子 , 近川修
IPC分类号： H01L35/32 , H01L35/14 , H01L35/30 , H02N11/00
CPC分类号： H01L35/22 , H01L35/32 , H01L35/34
摘要：素子本体(11)は、複数の第1熱電変換部(111)と複数の第2熱電変換部(113)とが一方向において交互に配列してなる。一対の電極(15,16)は、複数の第1熱電変換部(111)および複数の第2熱電変換部(113)のうちのいずれか2つに電気的に接続される。絶縁体部(13)は、第1熱電変換部(111)における下側および上側を覆う。伝熱部(17,19)は、絶縁体部(13)における第1熱電変換部(111)側とは反対側に設けられている。

2. 发明专利

JPWO2017168969A1 熱電変換モジュールおよび熱電変換モジュールの製造方法审中-公开
公开(公告)号：JPWO2017168969A1
公开(公告)日：2019-01-31
申请号：JP2017001566
申请日：2017-01-18
申请人：株式会社村田製作所
发明人：近川修 , 林幸子 , 山下是如
IPC分类号： H01L35/34 , H02N11/00 , H01L35/32
摘要：熱電変換モジュール(1)は、複数の熱電変換素子(10)と、複数の熱電変換素子(10)を封止する封止部材(22)と、を備える。熱電変換素子(10)は、Y軸方向において交互に配列してなる複数の第1熱電変換部と複数の第2熱電変換部とを有する。第1熱電変換部における、−Z方向側の端部および+Z方向側の端部のうちの少なくとも一方が、隣り合う他の第2熱電変換部の端部と電気的に接続されている。封止部材(22)の上側は、接触面(22a)である。

3. 发明专利

JP6424961B2 熱電変換素子、熱電変換モジュールおよび電気機器审中-公开
公开(公告)号：JP6424961B2
公开(公告)日：2018-11-21
申请号：JP2017523137
申请日：2016-03-31
申请人：株式会社村田製作所
发明人：林幸子 , 近川修
IPC分类号： H01L35/30 , H01L35/14 , H02N11/00 , H01L35/32
CPC分类号： H01L35/04 , H01L35/22 , H01L35/32 , H01L35/34

4. 发明专利

JPWO2017082042A1 熱電変換素子审中-公开
公开(公告)号：JPWO2017082042A1
公开(公告)日：2018-08-30
申请号：JP2016081585
申请日：2016-10-25
申请人：株式会社村田製作所
发明人：林幸子 , 舟橋修一
IPC分类号： H01L35/22 , H02N11/00 , H01L35/20
CPC分类号： H01L35/22 , H01L35/20 , H01L35/32 , H01L35/34
摘要：熱電変換素子の発電量を増加させると共に、熱電変換素子間の発電量ばらつきを小さくする。熱電変換素子1は、積層体10を備える。積層体10は、p型半導体層11と、n型半導体層12と、絶縁層13とを有する。n型半導体層12は、p型半導体層11の一部分の領域にpn接合されている。絶縁層13は、p型半導体層11とn型半導体層12との間のpn接合されていない領域に設けられている。積層体10が、0.005重量%以上0.009重量%以下の炭素を含む。

5. 发明专利

JP6870747B2 熱電変換素子および熱電変換素子の製造方法有权
公开(公告)号：JP6870747B2
公开(公告)日：2021-05-12
申请号：JP2019544386
申请日：2018-08-08
申请人：株式会社村田製作所
发明人：林幸子 , 近川修
IPC分类号： H01L35/22 , H01L35/34 , H02N11/00 , H01L35/32

6. 发明专利

JPWO2019064949A1 熱電変換素子および熱電変換素子の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JPWO2019064949A1
公开(公告)日：2020-04-09
申请号：JP2018029737
申请日：2018-08-08
申请人：株式会社村田製作所
发明人：林幸子 , 近川修
IPC分类号： H01L35/22 , H01L35/34 , H02N11/00 , H01L35/32
摘要：熱電変換素子(10)は、複数の第1熱電変換部(13)と、複数の第2熱電変換部(11)と、絶縁体層(15)と、を有する積層体を備える。第1熱電変換部(13)と第2熱電変換部(11)とは、Y軸方向において交互に配列し、第1熱電変換部(13)と第2熱電変換部(11)とのY軸方向の面の一部の領域において、第1熱電変換部(13)と第2熱電変換部(11)とが接合し、Y軸方向の面の他の領域において、第1熱電変換部(13)と第2熱電変換部(11)との間に絶縁体層(15)が介在している。絶縁体層(15)は、第2熱電変換部(11)における端面を覆う。Y軸方向における、第2熱電変換部(11)の厚さ(W1)に対する第1熱電変換部(13)の厚さ(W2)の比率(W2/W1)は、4よりも大きく且つ11以下である。

7. 发明专利

JPWO2017163507A1 積層型熱電変換素子审中-公开
公开(公告)号：JPWO2017163507A1
公开(公告)日：2018-11-08
申请号：JP2016087638
申请日：2016-12-16
申请人：株式会社村田製作所
发明人：林幸子
IPC分类号： H01L35/32 , H02N11/00 , H01L35/22
CPC分类号： H01L35/22 , H01L35/02 , H01L35/32
摘要：本発明の積層型熱電変換素子は、p型半導体材料を含むp型層と、n型半導体材料を含むn型層と、絶縁材料を含む絶縁層とを備えた積層型熱電変換素子であって、上記p型層と上記n型層とが接合することによりpn接合対が形成されており、上記p型層と上記n型層との接合面の一部の領域においては、上記p型半導体材料と上記n型半導体材料とが直接接合し、上記接合面の他の領域においては、上記p型半導体材料と上記n型半導体材料とが、上記絶縁層を介して接合し、上記p型半導体材料は、Niを含む合金であり、上記n型半導体材料は、Sr、Ti、Zr、希土類元素及びOを含む複合酸化物であり、かつ、Zr/(Ti+Zr)で表されるモル比が0.0001≦Zr/(Ti+Zr)≦0.1であり、上記絶縁材料は、Y 2 O 3 及びCaOからなる群から選択された少なくとも1種の金属酸化物Mと、ZrO 2 とを含む部分安定化ジルコニアであり、かつ、M/(ZrO 2 +M)で表されるモル比が0.026≦M/(ZrO 2 +M)≦0.040であることを特徴とする。

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