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    • 3. 发明专利
    • ビーム位置監視装置及び荷電粒子ビーム照射システム
    • 光束位置监测装置和充电颗粒光束辐射系统
    • JP2015157003A
    • 2015-09-03
    • JP2014034015
    • 2014-02-25
    • 株式会社日立製作所
    • 西村 荒雄秋山 浩品川 亮介藤田 毅
    • G21K5/04G01T1/29H05H13/04H05H7/10A61N5/10
    • A61N5/1075A61N5/1043A61N5/1048A61N5/1067A61N2005/1074A61N2005/1087
    • 【課題】イオンビーム照射の計画外停止を低減して一日あたりに治療できる人数を増加できる荷電粒子ビーム照射システムを提供する。 【解決手段】シンクロトロン加速器から出射されたイオンビームを走査制御装置により照射装置の走査電磁石を制御して患部の或る層 i 内のスポット i,j の目標位置P i,j に照射する。目標位置P i,j と実際の照射位置Pa i,j の偏差D j を求める(S6B)。偏差D j を用いて実際の照射位置Pa i,j のシステマチック誤差Es i,j 及びランダム誤差Er i,j を求める(S6C)。システマチック誤差Es i,j がシステマチック誤差Es i,j の第1許容範囲内に存在するかを判定する(S6D)。ランダム誤差Er i,j がランダム誤差Er i,j の第2許容範囲内に存在するかを判定する(S6D)。システマチック誤差Es i,j またはランダム誤差Er i,j が許容範囲から逸脱するとき、イオンビームの患部への照射を停止する。 【選択図】図3
    • 要解决的问题:提供一种能够通过降低离子束照射停止频率来增加每天能够治疗的人数的带电粒子束照射系统。解决方案:扫描控制装置控制扫描电磁体 照射装置,使得从受同步加速器发射的离子束照射受影响部分的某一层的目标位置Pin。 目标位置P与获得的实际照射位置Pais之间的偏差D(S6B)。 系统误差和随机误差Erof使用偏差D(S6C)获得的实际照射位置Paare。 是否确定系统误差Esis的第一容许范围内的系统误差Esexists(S6D)。 是否在随机误差Eris确定的第二容许范围内的随机误差Erexists(S6E)。 当系统误差Esor的随机误差从容许范围偏差时,停止对受影响部位的离子束照射。