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1. 发明专利

JP2020061235A 超電導線材およびその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2020061235A
公开(公告)日：2020-04-16
申请号：JP2018190581
申请日：2018-10-09
申请人：株式会社日立製作所
发明人：岩中拓夢 , 楠敏明
IPC分类号： C23C14/06 , C23C14/22 , H01L39/02 , H01L39/24 , H01B13/00 , H01B12/06
摘要：【課題】本発明は、20K磁場を基材に並行に印加した場合であっても、良好な臨界電流密度特性を示し、かつ剥離強度や耐食性に優れた超電導線材を提供することを目的とする。【解決手段】上記課題を解決するために、本発明に係る超電導線材は、金属基材と、前記金属基材に形成されたMgB 2 薄膜と、前記MgB 2 薄膜の前記金属基材とは反対側の表面に設けられた保護層と、を備え、前記保護層は、Nb、Ti、Ta、W、及びMoの少なくともいずれかを含むことを特徴とする。【選択図】図4

2. 发明专利

JP6364495B2 永久電流スイッチ及び超電導コイル审中-公开
公开(公告)号：JP6364495B2
公开(公告)日：2018-07-25
申请号：JP2016548572
申请日：2015-03-27
申请人：株式会社日立製作所
发明人：楠敏明 , 田中秀樹 , 児玉一宗 , 山本浩之
IPC分类号： H01F6/06 , H01F6/00
CPC分类号： H01F6/06 , H01F6/006 , Y10S505/882

3. 发明专利

JP2021119554A 超電導薄膜線材及び超電導薄膜線材の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2021119554A
公开(公告)日：2021-08-12
申请号：JP2018048770
申请日：2018-03-16
申请人：株式会社日立製作所
发明人：岩中拓夢 , 楠敏明
IPC分类号： H01B13/00 , H01F6/06 , C01G1/00 , C01B35/12 , H01B12/06
摘要：【課題】製造装置を複雑化せず、製造プロセスの増加をせずに、20K磁場中における良好な臨界電流密度と優れた機械特性を示す超電導薄膜線材を提供する。【解決手段】金属基材と、その金属基材上に形成された第1のMgB 2 膜と、第1のMgB 2 膜上に形成された第2のMgB 2 膜と、を有し、第1のMgB 2 膜の平均結晶粒径は、第2のMgB 2 膜の平均結晶粒径より小さい構成とする。【選択図】図2

4. 发明专利

JP2019183226A 超電導薄膜線材の製造方法、及び製造装置审中-公开
公开(公告)号：JP2019183226A
公开(公告)日：2019-10-24
申请号：JP2018075828
申请日：2018-04-11
申请人：株式会社日立製作所
发明人：岩中拓夢 , 楠敏明
IPC分类号： H01B13/00 , H01L39/24 , C23C14/34
摘要：【課題】蒸気圧の大きく異なる元素からなる化合物薄膜においても結晶性を向上させ、且つ特性も向上できる超電導薄膜線材の製造方法を提供する。【解決手段】第1物質と、第1物質より融点又は蒸気圧が高い第2物質と、から薄膜を製造する超電導薄膜線材の製造方法であって、金属基材上に反応防止膜を形成する第1工程と、第1物質を加熱蒸着又は金属基材面に平行な方向にスパッタリングする第2工程と、第2物質、又は、第1物質及び第2物質、をスパッタリングする第3工程と、を備える構成とする。【選択図】図1

5. 发明专利

JP6208897B2 二硼化マグネシウム超電導薄膜線材およびその製造方法有权
公开(公告)号：JP6208897B2
公开(公告)日：2017-10-04
申请号：JP2016561451
申请日：2015-10-16
申请人：株式会社日立製作所
发明人：土井俊哉 , 堀井滋 , 楠敏明
IPC分类号： H01L39/24 , C01B35/04 , C01G1/00 , H01B12/06
CPC分类号： H01F6/06 , C01B35/04 , H01F10/10 , H01F41/14 , H01L39/24 , C01P2006/40 , Y02E40/642

6. 发明专利

JP2017107649A 二硼化マグネシウム超電導薄膜線材およびその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017107649A
公开(公告)日：2017-06-15
申请号：JP2015238429
申请日：2015-12-07
申请人：株式会社日立製作所
发明人：楠敏明 , 児玉一宗 , 小瀧博司
IPC分类号： H01B13/00 , C01B35/04 , C01G1/00 , H01L39/12 , H01B12/06
摘要：【課題】20 K磁場中においても良好なJ c 特性を示すMgB 2 超電導薄膜線材およびその製造方法を提供する。【解決手段】本発明に係るMgB 2 超電導薄膜線材は、長尺金属基材上にMgB 2 薄膜が形成されたMgB 2 超電導薄膜線材であって、前記MgB 2 薄膜は、前記長尺金属基材の表面に対してMgB 2 柱状結晶粒が密接・林立する微細組織を有し、かつ30 K以上の臨界温度を示し、前記MgB 2 柱状結晶粒の粒界領域には、所定の低融点金属の元素が分散・偏析しており、前記所定の低融点金属は、MgB 2 の融点(単位:K)の1/4以上1/3以下の融点(単位:K)を有する金属であることを特徴とする。【選択図】図9

7. 发明专利

JP2020061407A 半導体装置审中-公开
公开(公告)号：JP2020061407A
公开(公告)日：2020-04-16
申请号：JP2018190118
申请日：2018-10-05
申请人：株式会社日立製作所
发明人：楠敏明
IPC分类号： H01L23/08 , H01L21/52
摘要：【課題】300〜400℃のような高温環境下でも動作可能であり、かつ半導体チップと配線部材との接合信頼性に優れる半導体装置を提供する。【解決手段】本発明に係る半導体装置は、セラミックパッケージの中に半導体チップが封入された半導体装置であって、前記セラミックパッケージは、セラミックスケースと配線部材とを有し、前記半導体チップは、SiC半導体チップまたはGaN半導体チップであり、表面電極と裏面電極とを有し、該裏面電極に対面する前記配線部材のダイボンド部と前記裏面電極とが接合層を介して電気的接合されており、前記裏面電極の表面および前記ダイボンド部の表面の少なくとも一方が、Au、AlまたはNiからなり、前記接合層が、Cuナノ粒子とNiナノ粒子とを含む混合金属ナノ粒子の焼結組織を有していることを特徴とする。【選択図】図1

8. 发明专利

JP2018190631A MgB2超電導薄膜線材およびその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018190631A
公开(公告)日：2018-11-29
申请号：JP2017093226
申请日：2017-05-09
申请人：株式会社日立製作所
发明人：岩中拓夢 , 小瀧博司 , 楠敏明
IPC分类号： H01B13/00 , C01G1/00 , C01B35/04 , H01F6/06 , H01L39/24 , H01B12/06
CPC分类号： C01B35/04 , C01G1/00 , H01B12/06 , H01B13/00 , H01F6/06 , H01L39/24
摘要：【課題】従来のMgB 2 超電導薄膜線材と同等以上の超電導特性を確保しながら、従来よりも低コスト化が可能なMgB 2 超電導薄膜線材、および該超電導薄膜線材の製造方法を提供する。【解決手段】本発明に係るMgB 2 超電導薄膜線材は、長尺金属基材上にMgB 2 薄膜が形成された超電導線材であって、前記MgB 2 薄膜は、30 K以上の臨界温度を示し、かつ前記長尺金属基材の表面に対してMgB 2 柱状結晶粒が林立・密集し、前記MgB 2 柱状結晶粒の粒界領域で該MgB 2 柱状結晶粒を取り囲むようにMg酸化物の層が形成されている微細組織を有することを特徴とする。【選択図】図3

9. 发明专利

JP5923619B2 蓄熱システム、発電システム有权
标题翻译：储热系统，发电系统
公开(公告)号：JP5923619B2
公开(公告)日：2016-05-24
申请号：JP2014544060
申请日：2012-10-29
申请人：株式会社日立製作所
发明人：沢井裕一 , 内藤孝 , 中野広 , 藤枝正 , 楠敏明 , 児玉一宗 , 青柳拓也
IPC分类号： C09K5/12 , C09K5/06
CPC分类号： C09K5/063

10. 发明专利

JP6751369B2 MgB2超電導薄膜線材およびその製造方法有权
公开(公告)号：JP6751369B2
公开(公告)日：2020-09-02
申请号：JP2017093226
申请日：2017-05-09
申请人：株式会社日立製作所
发明人：岩中拓夢 , 小瀧博司 , 楠敏明
IPC分类号： H01B13/00 , C01G1/00 , C01B35/04 , H01F6/06 , H01L39/24 , H01B12/06

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