专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

JP6552485B2 めっき装置及び収容槽有权
公开(公告)号：JP6552485B2
公开(公告)日：2019-07-31
申请号：JP2016519174
申请日：2015-04-16
申请人：株式会社山本鍍金試験器 , 清川メッキ工業株式会社
发明人：山本渡 , 原田文男 , 清川肇
IPC分类号： C25D17/00 , C25D5/08

2. 发明专利

JP6307167B2 配線用基板の製造方法有权
公开(公告)号：JP6307167B2
公开(公告)日：2018-04-04
申请号：JP2016549527
申请日：2015-07-14
申请人：清川メッキ工業株式会社
发明人：本多正二郎 , 春木陽介 , 清川肇
IPC分类号： H01L23/12 , H05K3/40
CPC分类号： H05K3/423 , H05K1/113 , H05K2201/09563 , H05K2203/1476

3. 发明专利

JP6116857B2 Au系はんだダイアタッチメント半導体装置及びその製造方法有权
公开(公告)号：JP6116857B2
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：JP2012235304
申请日：2012-10-25
申请人：日産自動車株式会社 , 清川メッキ工業株式会社 , サンケン電気株式会社 , 富士電機株式会社
发明人：谷本智 , 清川肇 , 佐藤伸二 , 松井康平
IPC分类号： H01L21/52

4. 发明专利

JP2018088560A 配線用基板の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018088560A
公开(公告)日：2018-06-07
申请号：JP2018042832
申请日：2018-03-09
申请人：清川メッキ工業株式会社
发明人：本多正二郎 , 春木陽介 , 清川肇
IPC分类号： H05K3/42
CPC分类号： H05K3/423 , H05K1/113 , H05K2201/09563 , H05K2203/1476
摘要：【課題】貫通孔内に充填される金属層にボイドが発生しがたいのみならず、シード層が形成されている面の貫通孔を金属層で閉塞させるという操作を採らずに配線用基板を効率よく製造することができる配線用基板の製造方法を提供する。【解決手段】貫通孔を有する絶縁基板を用いて配線用基板を製造する方法であって、絶縁基板の一方表面にシード層を形成させ、シード層が形成された面をマスキングフィルムで被覆し、絶縁基板のシード層が形成されている面の反対面と陽極とが対向するように絶縁基板および陽極を配設して電気めっきを施し、貫通孔内で金属層を形成させた後、マスキングフィルムを除去することを特徴とする。【選択図】図1

5. 发明专利

JP2015178425A ダイヤモンド複合粒子およびその製造方法有权
标题翻译：金刚石复合颗粒及其生产方法
公开(公告)号：JP2015178425A
公开(公告)日：2015-10-08
申请号：JP2014055846
申请日：2014-03-19
申请人：国立大学法人福井大学 , 清川メッキ工業株式会社
发明人：岡田敬志 , 米沢晋 , 阿良田吉昭 , 高島正之 , 清川肇 , 福岡清人
IPC分类号： B24D3/00 , C01B31/34 , C01B31/06
摘要：【課題】表面に形成されている金属炭化物の被膜の付着性および電気伝導性に優れたダイヤモンド複合粒子およびその製造方法を提供する。【解決手段】ダイヤモンド粒子の表面に金属炭化物が被覆されてなるダイヤモンド複合粒子であって、前記金属炭化物が式:MC(式中、Mはタングステン、タリウムまたはモリブデンを示す)で表わされる金属炭化物であり、前記金属炭化物が有する炭素原子が前記ダイヤモンド粒子を構成しているダイヤモンドと化学的に結合していることを特徴とする。【選択図】なし
摘要翻译：要解决的问题：提供在表面形成的金属碳化物的涂层的粘合性和导电性优异的金刚石复合材料及其制造方法。提供了通过将表面形成的金刚石复合颗粒具有金属碳化物的金刚石颗粒，其中金属碳化物是由下式表示的金属碳化物：MC（其中，M是钨，铊或钼），并且包含在金属碳化物中的碳原子化学键合到金刚石形成金刚石颗粒。

6. 发明专利

JP6820591B2 貫通孔を有する可撓性基板の製造方法有权
公开(公告)号：JP6820591B2
公开(公告)日：2021-01-27
申请号：JP2016257416
申请日：2016-12-29
申请人：清川メッキ工業株式会社
发明人：春木陽介 , 本多正二郎 , 清川肇
IPC分类号： H05K1/11 , H05K3/40 , G03F7/20

7. 发明专利

JP6622835B2 配線用基板の製造方法有权
公开(公告)号：JP6622835B2
公开(公告)日：2019-12-18
申请号：JP2018042832
申请日：2018-03-09
申请人：清川メッキ工業株式会社
发明人：本多正二郎 , 春木陽介 , 清川肇
IPC分类号： H05K3/40

8. 发明专利

JP2015162634A ウエハへの保護テープの貼付装置およびウエハの製造方法审中-公开
标题翻译：将保护带粘贴到水面上的装置及其制造方法
公开(公告)号：JP2015162634A
公开(公告)日：2015-09-07
申请号：JP2014038212
申请日：2014-02-28
申请人：株式会社タカトリ , 清川メッキ工業株式会社
发明人：谷川隆樹 , 北村耕一 , 藤谷一也 , 伊部敬史 , 井口文彰 , 清川肇
IPC分类号： H01L21/683
摘要：【課題】ウエハの周端部を効率よく封止することができるウエハへの保護テープの貼付装置および保護テープが貼付されたウエハの製造方法を提供する。【解決手段】ウエハWの外径よりも大きい外径を有する保護テープAを当該ウエハWの周端部から保護テープAが突出するようにウエハWの裏面に貼付するための保護テープAの貼り付け部dと、前記保護テープAの貼り付け部で保護テープAが貼付されたウエハWの表面に当該ウエハWの外径よりも大きい外径を有する保護テープBを当該ウエハWの周端部から突出させて貼付し、保護テープAの周端部と保護テープBの周端部とを一体化させ、ウエハWの周端部を封止するための端部封止部iを備えていることを特徴とする。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：提供一种将保护带粘贴到晶片上以便有效地密封晶片的周边的装置，并提供一种制造粘贴有保护带的晶片的方法。解决方案：一种装置将保护带粘贴到晶片上的方法包括：保护胶带粘贴部分（d），用于将具有比晶片W的外径大的外径的保护带A粘贴到晶片W的后表面，从而从晶片W的周边端部和用于将具有大于晶片W的外径的外径的保护带B粘贴到保护带A所粘贴的晶片W的表面的端部密封部（i）保护带A粘贴部分，从晶片W的外周端突出，整合保护带A的外周端和保护带B的外周端，并密封晶片W的外周端。

9. 实用新型

JP3229837U 半導体用ウェハの無電解めっき用キャリア有权
公开(公告)号：JP3229837U
公开(公告)日：2020-12-17
申请号：JP2020004271
申请日：2020-10-02
申请人：清川メッキ工業株式会社
发明人：落谷誠 , 井口文彰 , 本多正二郎 , 清川肇
IPC分类号： C23C18/16 , C23C18/31
摘要：【課題】ウェハ基板および鍔部を有する半導体用ウェハを鉛直方向に配置した状態で当該半導体用ウェハに無電解めっきを施すときに当該半導体用ウェハの鍔部の湾曲および屈曲を防止することができる半導体用ウェハの無電解めっき用キャリアを提供する。【解決手段】ウェハ基板および鍔部を有する半導体用ウェハに無電解めっきを施す際に用いられる無電解めっき用キャリア1であって、キャリア1の内部に半導体用ウェハを収容するための収容部2を有し、収容部2の下部に半導体用ウェハを保持するためのウェハ保持材3が設けられ、ウェハ保持材3に半導体用ウェハの下端部を収容するためのウェハ収容溝5が形成され、ウェハ収容溝5の内部に鍔部が収容されるがウェハ基板の下端部が収容されない大きさおよび形状を有する鍔部収容溝が形成されている。【選択図】図1

10. 发明专利

JP6795939B2 汚染土壌再生材有权
公开(公告)号：JP6795939B2
公开(公告)日：2020-12-02
申请号：JP2016186396
申请日：2016-09-26
申请人：清川メッキ工業株式会社
发明人：宮木佐知子 , 清川肇
IPC分类号： B03C1/00 , B03C1/247 , B09C1/08

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式