专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

JP2021093551A 半導体装置有权
公开(公告)号：JP2021093551A
公开(公告)日：2021-06-17
申请号：JP2021036098
申请日：2021-03-08
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所
发明人：鳥海聡志 , 浜田崇 , 丸山哲紀 , 井本裕己 , 淺野裕治 , 本田龍之介 , 山崎舜平
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/41 , H01L21/28 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L27/1156 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L27/146 , H01L29/786
摘要：【課題】微細なトランジスタを提供する。【解決手段】基板上の半導体と、半導体上の第1の導電体及び第2の導電体と、第1の導電体及び第2の導電体上の第1の絶縁体と、半導体上の第2の絶縁体と、第2の絶縁体上の第3の絶縁体と、第3の絶縁体上の第3の導電体と、を有し、第3の絶縁体は第1の絶縁体の側面と接し、半導体は、半導体と、第1の導電体の底面と、が重なる第1の領域を有し、半導体と、第2の導電体の底面と、が重なる第2の領域を有し、半導体と、第3の導電体の底面と、が重なる第3の領域を有し、半導体の上面と第3の導電体の底面との間の長さは、第1の領域と第3の領域との間の長さよりも、大きい半導体装置である。【選択図】図1

2. 发明专利

JP6850860B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP6850860B2
公开(公告)日：2021-03-31
申请号：JP2019231362
申请日：2019-12-23
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所
发明人：鳥海聡志 , 浜田崇 , 丸山哲紀 , 井本裕己 , 淺野裕治 , 本田龍之介 , 山崎舜平
IPC分类号： H01L29/786 , H01L27/088 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L27/1156 , H01L27/146 , H01L21/336

3. 发明专利

JP6552474B2 半導体装置の作製方法有权
公开(公告)号：JP6552474B2
公开(公告)日：2019-07-31
申请号：JP2016228489
申请日：2016-11-25
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所
发明人：淺野裕治 , 肥塚純一
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/28 , H01L29/417 , H01L21/336

4. 发明专利

JP2019012274A 表示装置审中-公开
公开(公告)号：JP2019012274A
公开(公告)日：2019-01-24
申请号：JP2018150437
申请日：2018-08-09
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所
发明人：小山潤 , 坂田淳一郎 , 丸山哲紀 , 井本裕己 , 淺野裕治 , 肥塚純一
IPC分类号： H01L29/786 , H01L51/50 , H01L27/32 , G09F9/30
摘要：【課題】電気特性の制御された酸化物半導体層を用いて作製された抵抗素子及び薄膜トランジスタを利用した論理回路、並びに該論理回路を利用した半導体装置を提供する。【解決手段】抵抗素子354に適用される酸化物半導体層905上にシラン(SiH 4 )及びアンモニア(NH 3 )などの水素化合物を含むガスを用いたプラズマCVD法によって形成された窒化シリコン層910が直接接するように設けられ、且つ薄膜トランジスタ355に適用される酸化物半導体層906には、バリア層として機能する酸化シリコン層909を介して、窒化シリコン層910が設けられる。そのため、酸化物半導体層905には、酸化物半導体層906よりも高濃度に水素が導入される。結果として、抵抗素子354に適用される酸化物半導体層905の抵抗値が、薄膜トランジスタ355に適用される酸化物半導体層906の抵抗値よりも低くなる。【選択図】図11

5. 发明专利

JP6636582B2 表示装置有权
公开(公告)号：JP6636582B2
公开(公告)日：2020-01-29
申请号：JP2018150440
申请日：2018-08-09
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所
发明人：小山潤 , 坂田淳一郎 , 丸山哲紀 , 井本裕己 , 淺野裕治 , 肥塚純一
IPC分类号： H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L21/822 , H01L27/04 , G09F9/30 , H01L27/32 , H01L51/50 , H01L29/786

6. 发明专利

JP2017076805A 半導体装置の作製方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017076805A
公开(公告)日：2017-04-20
申请号：JP2016228489
申请日：2016-11-25
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所
发明人：淺野裕治 , 肥塚純一
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/28 , H01L29/417 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/66969 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L21/477 , H01L27/1214 , H01L27/1225 , H01L27/1288 , H01L29/42384 , H01L29/7869 , H01L29/78696
摘要：【課題】酸化物半導体層を用いた薄膜トランジスタにおいて、酸化物半導体層とソース電極層又はドレイン電極層との間のコンタクト抵抗を低減し、電気特性を安定させた薄膜トランジスタを提供する。【解決手段】酸化物半導体層を用いた薄膜トランジスタにおいて、酸化物半導体層の上に高抵抗領域及び低抵抗領域を有するバッファ層を形成し、酸化物半導体層とソース電極層又はドレイン電極層とがバッファ層の低抵抗領域を介して接触するように薄膜トランジスタを形成する。【選択図】図1

7. 发明专利

JP6050876B2 半導体装置の作製方法有权
公开(公告)号：JP6050876B2
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：JP2015208223
申请日：2015-10-22
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所
发明人：淺野裕治 , 肥塚純一
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/8236 , H01L27/088 , H01L27/08 , H01L21/28 , H01L29/417 , G02F1/1368 , H05B33/10 , H01L51/50 , H05B33/14 , H01L29/786
CPC分类号： H01L29/66969 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L21/477 , H01L27/1214 , H01L27/1225 , H01L27/1288 , H01L29/42384 , H01L29/7869 , H01L29/78696

8. 发明专利

JP2016096346A 半導体装置の作製方法有权
标题翻译：半导体器件制造方法
公开(公告)号：JP2016096346A
公开(公告)日：2016-05-26
申请号：JP2015241317
申请日：2015-12-10
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所
发明人：小山潤 , 坂田淳一郎 , 丸山哲紀 , 井本裕己 , 淺野裕治 , 肥塚純一
IPC分类号： H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L27/08 , H01L51/50 , H05B33/14 , G09F9/30 , H01L29/786
CPC分类号： H01L27/1255 , H01L27/12 , H01L27/1225 , H01L27/127 , H01L28/20 , H01L29/24 , H01L29/78606 , H01L29/7869
摘要：【課題】電気特性の制御された酸化物半導体層を用いて作製された抵抗素子及び薄膜トランジスタを利用した論理回路、並びに該論理回路を利用した半導体装置を提供する。【解決手段】抵抗素子354に適用される酸化物半導体層905上にシラン(SiH 4 )及びアンモニア(NH 3 )などの水素化合物を含むガスを用いたプラズマCVD法によって形成された窒化シリコン層910が直接接するように設けられ、且つ薄膜トランジスタ355に適用される酸化物半導体層906には、バリア層として機能する酸化シリコン層909を介して、窒化シリコン層910が設けられる。そのため、酸化物半導体層905には、酸化物半導体層906よりも高濃度に水素が導入される。結果として、抵抗素子354に適用される酸化物半導体層905の抵抗値が、薄膜トランジスタ355に適用される酸化物半導体層906の抵抗値よりも低くなる。【選択図】図11
摘要翻译：要解决的问题：提供使用通过使用具有受控电特性的氧化物半导体层制造的电阻元件和薄膜晶体管的逻辑电路以及使用逻辑电路的半导体器件。解决方案：在半导体器件，与施加到电阻元件354的氧化物半导体层905直接接触地设置的氮化硅层910，其通过使用含有氢化合物如硅烷（SiH）和氨（NH）的气体的等离子体CVD法形成），并且氮氧化物层910设置在通过用作阻挡层的氧化硅层909施加到薄膜晶体管355的氧化物半导体层906上。因此，以比氧化物半导体层906更高的浓度将氢引入氧化物半导体层905.结果，施加到电阻元件354的氧化物半导体层905的电阻值变得低于氧化物半导体层905的电阻值层906应用于薄膜晶体管355.图示：图11

9. 发明专利

JP2016026408A 半導体装置の作製方法有权
标题翻译：制造半导体器件的方法
公开(公告)号：JP2016026408A
公开(公告)日：2016-02-12
申请号：JP2015208223
申请日：2015-10-22
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所
发明人：淺野裕治 , 肥塚純一
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/8236 , H01L27/088 , H01L27/08 , H01L21/28 , H01L29/417 , G02F1/1368 , H05B33/10 , H01L51/50 , H05B33/14 , H01L29/786
CPC分类号： H01L29/66969 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L21/477 , H01L27/1214 , H01L27/1225 , H01L27/1288 , H01L29/42384 , H01L29/7869 , H01L29/78696
摘要：【課題】酸化物半導体層を用いた薄膜トランジスタにおいて、酸化物半導体層とソース電極層又はドレイン電極層との間のコンタクト抵抗を低減し、電気特性を安定させた薄膜トランジスタを提供する。【解決手段】酸化物半導体層を用いた薄膜トランジスタにおいて、酸化物半導体層の上に高抵抗領域及び低抵抗領域を有するバッファ層を形成し、酸化物半導体層とソース電極層又はドレイン電極層とがバッファ層の低抵抗領域を介して接触するように薄膜トランジスタを形成する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种使用氧化物半导体层的薄膜晶体管，其中氧化物半导体层与源电极层或漏电极层之间的接触电阻降低，电特性稳定。解决方案：在薄使用氧化物半导体层的薄膜晶体管，在氧化物半导体层上形成具有高电阻区域和低电阻区域的缓冲层。形成薄膜晶体管，使得氧化物半导体层经由缓冲层的低电阻区域与源电极层或漏电极层接触。图1

10. 发明专利

JP6705810B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP6705810B2
公开(公告)日：2020-06-03
申请号：JP2017512463
申请日：2016-04-06
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所
发明人：鳥海聡志 , 浜田崇 , 丸山哲紀 , 井本裕己 , 淺野裕治 , 本田龍之介 , 山崎舜平
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L21/336

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式