专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

JP5767728B2 光アイソレータ有权
标题翻译：光隔离器
公开(公告)号：JP5767728B2
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：JP2014045822
申请日：2014-03-10
申请人：株式会社フジクラ , 国立研究開発法人物質・材料研究機構
发明人：船木秋晴 , 畑中翼 , 島村清史 , ガルシアビジョラエンカルナシオンアントニア
IPC分类号： G02B27/28

2. 发明专利

JP6043201B2 タンタル酸リチウム単結晶の製造方法有权
标题翻译：用于制造钽酸锂单晶的制造方法
公开(公告)号：JP6043201B2
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：JP2013025072
申请日：2013-02-13
申请人：株式会社フジクラ , 国立研究開発法人物質・材料研究機構
发明人：畑中翼 , 直江邦浩 , 島村清史 , ガルシアビジョラエンカルナシオンアントニア
IPC分类号： C30B15/02 , C30B29/30

3. 发明专利

JP2016145120A 窒化アルミニウムウィスカー、樹脂組成物、及び、窒化アルミニウムウィスカーの製造方法审中-公开
标题翻译：氮化铝砂浆，树脂组合物，制造氮化铝砂轮的方法
公开(公告)号：JP2016145120A
公开(公告)日：2016-08-12
申请号：JP2015021903
申请日：2015-02-06
申请人：株式会社フジクラ
发明人：畑中翼
IPC分类号： C30B29/38 , C30B23/00 , C30B29/62
摘要：【課題】熱伝導性の低下の抑制を図ることができる窒化アルミニウムウィスカー、窒化アルミニウムウィスカーを含む樹脂組成物、及び、窒化アルミニウムウィスカーの製造方法を提供する。【解決手段】原料2を坩堝11に収容する第1の工程と、坩堝11内に窒素ガスを供給する第2の工程と、加熱手段により坩堝11を加熱し原料2を昇華させ、坩堝11内に昇華ガスを供給する第3の工程と、坩堝11内で前記窒素ガスと前記昇華ガスとから窒化アルミニウムウィスカー4を成長させる第4の工程と、を備え、前記第4の工程において、窒化アルミニウムウィスカー4は、坩堝11内の原料2が収容された領域の温度よりも低温な低温領域で成長し、前記低温領域において、前記昇華ガスの過飽和度が0.03〜0.5となる条件により、99.99重量%以上の窒化アルミニウムを含有し、アスペクト比が5以上である窒化アルミニウムウィスカーを製造する方法。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够抑制导热性劣化的氮化铝晶须，含有氮化铝晶须的树脂组合物和制造氮化铝晶须的方法。解决方案：一种制造氮化铝晶须的方法包括：将原料2容纳在坩埚11中的第一工序; 向坩埚11供给氮气的第二工序; 通过加热装置对坩埚11进行加热以升华原料2并将升华的气体供应到坩埚11中的第三步骤; 以及从坩埚11中的氮气和升华气体生长氮化铝晶须4的第四步骤。在第四步骤中，氮化铝晶须4在温度低于区域的温度的低温区域中生长在低温区域中，在升华气体的过饱和度为0.03〜0.5的条件下，氮化铝晶须4含有99.99重量％以上的氮化铝，具有长宽比为5以上。选择图：图1

4. 发明专利

JP2016141597A 単結晶の製造方法及び単結晶製造装置审中-公开
标题翻译：用于生产单晶的方法和装置
公开(公告)号：JP2016141597A
公开(公告)日：2016-08-08
申请号：JP2015018664
申请日：2015-02-02
申请人：株式会社フジクラ
发明人：畑中翼
IPC分类号： C30B15/20
摘要：【課題】単結晶の品質の向上を図ることが可能な単結晶の製造方法及び単結晶製造装置を提供する。【解決手段】原料の融液4を収容した坩堝10を準備する準備工程と、種結晶5上に単結晶2を成長させる成長工程と、を備えた融液引き上げ法による単結晶2の製造方法において、前記準備工程は、前記坩堝10に前記原料を収容する第1の工程と、前記原料を収容した前記坩堝10を加熱手段30により加熱することで前記原料を溶融し融液4とする第2の工程と、前記融液4を収容した前記坩堝10と前記加熱手段30とを相対的に鉛直方向に移動することで、前記融液4を収容した前記坩堝10の下端部を前記加熱手段30で包囲する加熱内部領域よりも外側に配置し、前記融液4を前記坩堝10の底面102側から凝固させる第3の工程と、を含む。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种实现单晶质量改善的单晶的制造方法和装置。提供一种使用切克劳斯基法的单晶2的制造方法，其包括制备步骤具有容纳在其中的原料的熔融物4的坩埚10以及在晶种5上生长单晶2的生长步骤。制备步骤包括将原料容纳在坩埚10中的第一步骤，第二步骤通过加热装置30将坩埚10加热容纳在其中的原料，并熔化原料以获得熔体4;第三步骤，将容纳在其中的熔体4的坩埚10的下端设置在内部加热区被加热装置30包围，其中容纳有熔体4的坩埚10和垂直方向上的加热装置30相互移动，从而使熔体4从底部102a开始固化的坩埚10.选定的图：图1

5. 发明专利

JP2016175791A 単結晶の製造方法审中-公开
标题翻译：制造单晶的方法
公开(公告)号：JP2016175791A
公开(公告)日：2016-10-06
申请号：JP2015056493
申请日：2015-03-19
申请人：株式会社フジクラ
发明人：畑中翼
IPC分类号： C30B15/10 , C30B15/00
摘要：【課題】同じ坩堝を用いて連続して製造する場合でも、毎回の単結晶の品質の維持を図ることが可能な単結晶の製造方法を提供する。【解決手段】坩堝10内に収容された原料3の融液4からチョクラルスキー法により単結晶2を製造する単結晶の製造方法において、原料3の融液4に種結晶5を接触させ、回転させながら引き上げることにより単結晶2を成長させる第1の成長工程と、前記単結晶2に連続すると共に前記単結晶2よりも径が小さい連結部2aを成長させる連結部成長工程と、前記連結部2aに連続すると共に前記連結部2aよりも径が大きい補助単結晶2bを成長させる第2の成長工程と、を含む。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种制造单晶的方法，即使在使用相同的坩埚连续制造的情况下也能够保持每一次的单晶质量。解决方案：一种制造单晶的方法，其能够制造使用Czochralski法从储存在坩埚10中的原料3的熔融物4的单晶2包括：通过使晶种5与原料3的熔融物4接触并拉拔而生长单晶2的第一生长步骤晶晶同时旋转; 连接部分生长步骤，其与单晶2连续并且生长直径小于单晶2的直径的连接部分2a; 以及继续连接部分2a并且生长直径大于连接部分2a的辅助单晶2b的第二生长步骤。选择的图示：图1

6. 发明专利

JP2016056068A 単結晶の製造方法及び単結晶製造装置审中-公开
标题翻译：单晶和单晶制造设备的制造方法
公开(公告)号：JP2016056068A
公开(公告)日：2016-04-21
申请号：JP2014184841
申请日：2014-09-11
申请人：株式会社フジクラ
发明人：畑中翼
IPC分类号： C30B15/00
摘要：【課題】単結晶の品質の向上を図ることが可能な単結晶の製造方法を提供する。【解決手段】原料融液を収容した坩堝を準備する準備工程は、坩堝に原料を収容する工程S101と、原料を溶融し融液とする工程S104と、融液量が予め設定された融液充填量以上であるか否かを判定する工程S105と、融液量が融液充填量未満である場合、坩堝の底面又は坩堝を覆う断熱材の底部に冷却ガスを吹き付けて坩堝の底面側から順次融液を凝固させる工程S106と、凝固体の量が予め設定された降温開始量以上であるか否かを判定する工程S107とを含み、凝固体の量が降温開始量以上である場合は坩堝の降温を開始(S108)し、降温完了(S109)、雰囲気制御終了(S110)後、結晶成長炉を開放し、ステップS105において融液量が融液充填量以上であると判定されるまで、ステップS101〜ステップS110を繰り返す、融液引き上げ法による単結晶の製造方法。【選択図】図3
摘要翻译：要解决的问题：提供能够提高单晶质量的单晶的制造方法。解决方案：在通过切克劳斯基法的单晶的制造方法中，制备容纳原料熔体的坩埚的制备方法包括以下步骤：将原料容纳在坩埚中的步骤S101; 熔化原料以制造熔体的步骤S104; 确定熔融量是否为预定的熔融填充量以上的步骤S105; 如果熔融量小于熔融填充量，则依次将冷却气体喷射到覆盖坩埚或坩埚的底部的绝缘材料的底部，从坩埚的底侧固化熔体的步骤S106; 以及确定凝固体的量是否为预定量的降温开始量以上的步骤S107。如果凝固体量为降温起始量以上，则开始降低坩埚的温度（S108），在温度降低结束（S109）后，调整气氛（S110），结晶打开生长炉，重复步骤S101至步骤S110，直到在步骤S105将熔融量确定为熔融填充量或更多。选择的图示：图3

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式