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1. 发明专利

JP6090833B2 AlNウィスカー及びAlNウィスカーの製造方法有权
标题翻译：制造在AlN晶须和AlN晶须方法
公开(公告)号：JP6090833B2
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：JP2012284934
申请日：2012-12-27
申请人：株式会社デンソー , 国立大学法人名古屋大学
发明人：青木祐一 , 小原公和 , 加納豊広 , 宇治原徹 , 松原弘明 , 水野恒平 , 竹内幸久
IPC分类号： C01B21/072 , C30B29/62

2. 发明专利

JP2018140904A AlNの製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018140904A
公开(公告)日：2018-09-13
申请号：JP2017036737
申请日：2017-02-28
申请人：株式会社デンソー , 国立大学法人名古屋大学
发明人：鈴木一徳 , 宇治原徹 , 竹内幸久
IPC分类号： C01B21/072
CPC分类号： C01B21/072
摘要：【課題】溶融したAl材の中に酸化物の形成を抑制して、AlNを形成することができる製造方法を提供する。【解決手段】Mgを加熱し、不活性雰囲気においてMgを含んだ蒸気を窒素ガスと反応させてMg 3 N 2 を生成し、さらに基板20の上に配置したAl材30を加熱して溶融させ、Al材30のAlとMg 3 N 2 とを反応させてAlN10を生成する。基板20として、Mg及びAlよりも高い融点を有し、溶融したAl材30のAlと化合せず、不活性雰囲気において熱分解せず、さらにMg 3 N 2 の還元作用によって分解しない非酸化物系材料を用いる。これにより、Mg 3 N 2 による還元作用によってO 2 が発生しない。したがって、溶融したAl材30の中に酸化物を形成せずに、完全なAlN10を形成することができる。【選択図】図3

3. 发明专利

JP2018154533A 焼結体とその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018154533A
公开(公告)日：2018-10-04
申请号：JP2017053622
申请日：2017-03-17
申请人：国立大学法人名古屋大学
发明人：竹内幸久 , 宇治原徹 , 塩尻大士 , 松本昌樹 , 齊藤廣志 , 林育生
IPC分类号： C30B25/02 , C30B29/62 , C23C14/06 , C04B35/195 , B01J32/00 , B01J35/04 , C04B35/486
摘要：【課題】AlNウィスカーの性能を活かしつつ所望の熱伝導性および機械的強度を備える焼結体とその製造方法の提供。【解決手段】繊維状のAlN単結晶とAlN単結晶を覆う酸素原子含有層とを有するAlNウィスカー100と、AlNウィスカー100を覆うZrO 2 粒子200とを有し、酸素原子含有層は、AlN単結晶が少なくとも酸素原子を取り込むことにより生成された層であり、酸素原子含有層の膜厚は、7〜500nmであるZrO 2 センサーA10焼結体。AlNウイスカー100とZrO2粒子200を混合し、混合物を焼結するZrO 2 センサーA10焼結体の製造方法。【選択図】図1

4. 发明专利

JP6653888B2 AlN結晶の作製方法、及びAlN結晶の作製装置有权
公开(公告)号：JP6653888B2
公开(公告)日：2020-02-26
申请号：JP2016523450
申请日：2015-05-21
申请人：国立大学法人名古屋大学
发明人：宇治原徹 , 竹内幸久 , 陳鳴宇 , 永冶仁
IPC分类号： C30B29/38 , C01B21/072 , C30B29/62

5. 发明专利

JP2018154534A AlNウィスカーおよび樹脂成形体とこれらの製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018154534A
公开(公告)日：2018-10-04
申请号：JP2017053623
申请日：2017-03-17
申请人：国立大学法人名古屋大学
发明人：竹内幸久 , 宇治原徹 , 塩尻大士 , 松本昌樹 , 齊藤廣志 , 林育生
IPC分类号： C30B25/02 , C08L101/00 , C08K7/04 , C30B29/62
摘要：【課題】樹脂材料との密着性の高いAlNウィスカーおよび樹脂成形体とこれらの製造方法を提供することである。【解決手段】 AlNウィスカー100は、繊維状のAlN単結晶110と、AlN単結晶110を覆う酸素原子含有層120と、酸素原子含有層120を覆う疎水層130と、を有する。酸素原子含有層120は、AlN単結晶110が少なくとも酸素原子を取り込むことにより生成された層である。疎水層130は、炭化水素基を有する。【選択図】図1

6. 发明专利

JP2018154535A AlNウィスカーの製造方法および製造装置ならびにAlNウィスカー構造体审中-公开
公开(公告)号：JP2018154535A
公开(公告)日：2018-10-04
申请号：JP2017053624
申请日：2017-03-17
申请人：国立大学法人名古屋大学
发明人：竹内幸久 , 宇治原徹 , 塩尻大士 , 松本昌樹 , 齊藤廣志
IPC分类号： C30B29/38 , C30B29/62
摘要：【課題】金属粒子の混入を抑制することを図ったAlNウィスカーの製造方法およびAlNウィスカーの製造装置ならびにAlNウィスカー構造体を提供することである。【解決手段】このAlNウィスカーの製造方法においては、材料収容部1200の内部でAl含有材料を加熱してAlガスを発生させ、連通部1220から反応室1300にAlガスを導入するとともにガス導入口1320から反応室1300に窒素ガスを導入し、反応室1300の内部に配置されたAl 2 O 3 基板1310の表面からAlNウィスカーを成長させる。【選択図】図1

7. 发明专利

JP2016050165A AlN単結晶の作製方法及びAlN単結晶审中-公开
标题翻译： AlN单晶和AlN单晶的制造方法
公开(公告)号：JP2016050165A
公开(公告)日：2016-04-11
申请号：JP2015035214
申请日：2015-02-25
申请人：国立大学法人名古屋大学
发明人：宇治原徹 , 永冶仁 , 渡邉将太 , 陳鳴宇 , 竹内幸久
IPC分类号： C30B25/18 , H01L21/208 , C30B29/38
摘要：【課題】AlN単結晶を溶液法で作成する方法において、溶媒表面での雑晶の析出を抑制しつつ、AlN単結晶を基板上に良好に成長させる。【解決手段】Al及びNの何れとも化合物を形成しない、又はAl及びNガスの何れかと化合物を形成するが当該化合物の標準生成自由エネルギーがAlNの標準生成自由エネルギーよりも大きい条件を満たす元素X(例えばFe)を用い、AlN単結晶の成長温度範囲において未飽和状態と過飽和状態とを形成する組成Fe−Xの溶媒を用いた。溶媒上部(溶媒表面)を未飽和状態とすることで、溶媒表面での雑晶の析出を抑制し、溶媒下部(溶媒と基板との界面)を過飽和状態とすることで、AlN単結晶の基板上への成長を促進する。【選択図】図3
摘要翻译：要解决的问题：通过溶液法在制造AlN单晶的方法中，通过抑制溶液表面上的杂晶的析出，有效地在基板上生长AlN单晶。解决方案：元素X（包括Fe）为使用，其满足元素X不与Al或N形成化合物或与Al或N气体形成化合物的条件，但化合物形成的标准自由能大于AlN的化合物。使用具有Fe-X组成的溶液，其在AlN单晶的生长温度范围内形成不饱和状态和过饱和状态。通过使溶液的上部（溶液表面）成为不饱和状态来抑制溶液表面上的杂晶的析出，并且通过使溶液的下半部分（边界）使AlN单晶生长到基板上在溶液和底物之间）过饱和状态。选择图：图3

8. 发明专利

JP6877184B2 AlNの製造方法有权
公开(公告)号：JP6877184B2
公开(公告)日：2021-05-26
申请号：JP2017036737
申请日：2017-02-28
申请人：株式会社デンソー , 国立大学法人東海国立大学機構
发明人：鈴木一徳 , 宇治原徹 , 竹内幸久
IPC分类号： C01B21/072

9. 发明专利

JP5849650B2 窒素とアルミニウムと他金属とを含む多元化合物の複合材料の製造方法有权
标题翻译：生产多化合物的含有氮和铝等金属的复合材料的制造方法
公开(公告)号：JP5849650B2
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：JP2011258878
申请日：2011-11-28
申请人：株式会社デンソー
发明人：小原公和 , 青木祐一 , 竹内幸久
IPC分类号： H01L23/36 , H01L23/373
CPC分类号： H01L2224/48091 , H01L2924/13055 , H01L2924/181 , H01L2924/19107

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