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    • 6. 发明专利
    • ウエーハの加工方法
    • JP2017050305A
    • 2017-03-09
    • JP2015170192
    • 2015-08-31
    • 株式会社ディスコ
    • 古田 健次池 静実
    • B23K26/53H01L21/301
    • 【課題】表面に第1の分割予定ラインと、第1の分割予定ラインと直交する方向に形成され、T字路となって交わる第2の分割予定ラインによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハであっても、デバイスを損傷させることなく確実に分割するウエーハの加工方法を提供する。 【解決手段】半導体ウエーハ10に対してレーザー光線を照射し、第1の分割予定ライン101に沿って改質層110を形成する第1の改質層形成工程と、第2の分割予定ライン102に沿って改質層を形成する第2の改質層形成工程と、改質層形成工程が実施されたウエーハに外力を付与し、個々のデバイス103に分割する分割工程とを含む。第1の改質層形成工程は、第1の分割予定ラインにおける第2の分割予定ラインとT字路となって交わる交差点領域を除いて改質層を形成する。 【選択図】図7