会员体验
专利管家(专利管理)
工作空间(专利管理)
风险监控(情报监控)
数据分析(专利分析)
侵权分析(诉讼无效)
联系我们
交流群
官方交流:
QQ群: 891211   
微信请扫码    >>>
现在联系顾问~
热词
    • 1. 发明专利
    • 基板
    • 基质
    • JP2016056060A
    • 2016-04-21
    • JP2014183785
    • 2014-09-10
    • 株式会社オハラ
    • 山口 勝彦
    • H01L21/304C03C3/247
    • 【課題】耐フッ酸性が高く、多数回にわたり再利用が可能な半導体ウエハサポート用ガラス基板を提供する。 【解決手段】アニオン%(モル%)表示で、F − を45〜95%、O 2− を5〜55%含有するガラスからなる、耐フッ酸性を有する基板であり、好ましくは、カチオン%(モル%)表示で、P 5+ を0〜45%、Al 3+ を10〜40%さらに含有し、より好ましくは、カチオン%(モル%)表示で、Zn 2+ の含有量が0〜3%、Y 3+ の含有量が0〜4%、La 3+ の含有量が0〜2%、Gd 3+ の含有量が0〜3%、Li + の含有量が0〜1%、Na + の含有量が0〜1%、K + の含有量が0〜1%であるガラス基板。 【選択図】なし
    • 要解决的问题:提供一种耐氢氟酸耐性高且能够循环多次的半导体晶片支架的玻璃基板。解决方案:提供一种具有耐氢氟酸性的玻璃基板,其由含有阴离子%(摩尔% ),45〜95%的F值,5〜55%的O值,优选进一步含有阳离子%(摩尔%),0〜45%的Pof 10〜40%,更优选具有阳离子%(摩尔%), Znof含量为0〜3%,Y含量为0〜4%,Laof含量为0〜2%,Gd含量为0〜3%,Liof含量为0〜1%,NaO含量为0 至1%,Kof的含量为0〜1%。选择图:无