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1. 发明专利

JP2021123738A スポンジチタンの製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2021123738A
公开(公告)日：2021-08-30
申请号：JP2020016440
申请日：2020-02-03
申请人：東邦チタニウム株式会社
发明人：吉田稔
IPC分类号： C22B5/04 , C22B34/12
摘要：【課題】還元工程後において、金属マグネシウムに混入しやすいニッケル等の不純物がスポンジチタン塊に残留することを抑制してスポンジチタンの不純物含有量を低減することができるスポンジチタンの製造方法を提供する。【解決手段】この発明のスポンジチタンの製造方法は、金属製還元反応容器1内で、四塩化チタンを金属マグネシウムで還元し、溶融浴Bm中にスポンジチタン塊TSを生成させる還元工程と、当該金属製還元反応容器1から溶融浴Bmを排出させる浴抜き操作を一回以上行う浴排出工程とを含み、前記浴排出工程で、一回以上の前記浴抜き操作のうち、少なくとも一回目の浴抜き操作を800℃未満の温度で行う。【選択図】図1

3. 发明专利

JP6914081B2 スポンジチタンの製造方法有权
公开(公告)号：JP6914081B2
公开(公告)日：2021-08-04
申请号：JP2017072749
申请日：2017-03-31
申请人：東邦チタニウム株式会社
发明人：吉田稔
IPC分类号： C22B5/04 , C22B34/12

4. 发明专利

JP2020180358A スポンジチタンの製造方法、及びチタン加工品又は鋳造品の製造方法。审中-公开
公开(公告)号：JP2020180358A
公开(公告)日：2020-11-05
申请号：JP2019085638
申请日：2019-04-26
申请人：東邦チタニウム株式会社
发明人：吉田稔
IPC分类号： C22B5/04 , C22B34/12
摘要：【課題】低コストで、各バッチにおいても精度良く高品位のスポンジチタンを製造することが可能なスポンジチタンの製造方法を提供する。【解決手段】炭素鋼製の内壁を有した胴部とステンレス鋼製の内壁を有した底部とを備える金属製還元反応容器を使用するスポンジチタンの製造方法であって、塩化マグネシウムを金属製還元反応容器内に投入し底部を塩化マグネシウムで満たした後に、金属製還元反応容器内にマグネシウムを充填する充填工程S11と、充填工程S11後、溶融塩化マグネシウムが底部の内壁全体と接触するように保持する還元工程S21とを含む。【選択図】図1

5. 发明专利

JP2020100900A スポンジチタンの製造方法及びチタン加工品又は鋳造品の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2020100900A
公开(公告)日：2020-07-02
申请号：JP2020043350
申请日：2020-03-12
申请人：東邦チタニウム株式会社
发明人：吉田稔 , 井上洋介
IPC分类号： C22B5/04 , B22D21/04 , C22B34/12
摘要：【課題】上端側においても塊体積が大きい、いわゆる柱状に近い形状のスポンジチタン塊を製造可能なスポンジチタンの製造方法を提供する。【解決手段】スポンジチタンの製造方法であって、金属製還元反応容器内にて溶融マグネシウムを保持し、四塩化チタンを供給することで、スポンジチタン塊を生成する還元工程を含み、還元工程では、鉛直方向において、スポンジチタン塊の下端から溶融マグネシウムの浴面までの高さH1に対する、スポンジチタン塊の下端からスポンジチタン塊の上端までの高さH2の割合(H2/H1)は、下記式(1)の関係を満足する。 H2/H1≦0.85・・・式(1) 【選択図】図1

6. 发明专利

JP2019119917A スポンジチタンの製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2019119917A
公开(公告)日：2019-07-22
申请号：JP2018001814
申请日：2018-01-10
申请人：東邦チタニウム株式会社
发明人：吉田稔
IPC分类号： C22B5/04 , C22B34/12
摘要：【解決課題】反応容器からのCr、Ni及びFeによる汚染を、安価に防止することができるスポンジチタンの製造方法を提供すること。【解決手段】クロール法によるスポンジチタンの製造において、反応容器の内側上部のうち、溶融マグネシウムの浴面に対向する部分の表面温度を、100〜650℃に保持しながら、還元反応を行うことを特徴とするスポンジチタンの製造方法。【選択図】なし

7. 发明专利

JP2021004406A 溶融金属収容容器、コンテナ、溶融金属の漏れ検知方法、及びスポンジチタンの製造方法。审中-公开
公开(公告)号：JP2021004406A
公开(公告)日：2021-01-14
申请号：JP2019119543
申请日：2019-06-27
申请人：東邦チタニウム株式会社
发明人：井上洋介 , 吉田稔 , 志賀裕一 , 武田孝夫
IPC分类号： C22B34/12
摘要：【課題】Niで汚染された溶融金属の利用を早期に停止するために、内部損傷状態を速やかに把握可能な溶融金属収容容器を提供する。【解決手段】溶融金属収容容器1Aであって、溶融マグネシウムM又は溶融塩化マグネシウムを収容する、炭素鋼製の有底の内筒10と、内筒10の周囲に設けられ、上蓋25を備える有底の外筒20と、内筒10と外筒20との間に配置されて、内筒10の開口部11全周と外筒20とを接続する接続部30と、内筒10と外筒20との間に区画されるスペース40と、スペース40に接続される検知センサーとを備える。【選択図】図1

8. 发明专利

JP2020084277A スポンジチタンの製造方法及びチタン加工品又は鋳造品の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2020084277A
公开(公告)日：2020-06-04
申请号：JP2018221607
申请日：2018-11-27
申请人：東邦チタニウム株式会社
发明人：吉田稔 , 井上洋介
IPC分类号： C22B5/04 , B22D21/06 , C22B34/12
摘要：【課題】上端側においても塊体積が大きい、いわゆる柱状に近い形状のスポンジチタン塊を製造可能なスポンジチタンの製造方法を提供する。【解決手段】スポンジチタンの製造方法であって、金属製還元反応容器内にて溶融マグネシウムを保持し、四塩化チタンを供給することで、スポンジチタン塊を生成する還元工程を含み、還元工程では、鉛直方向において、スポンジチタン塊の下端から溶融マグネシウムの浴面までの高さH1に対する、スポンジチタン塊の下端からスポンジチタン塊の上端までの高さH2の割合(H2/H1)は、下記式(1)の関係を満足する。 H2/H1≦0.85・・・式(1) 【選択図】図1

9. 发明专利

JP6908412B2 スポンジチタンの製造方法有权
公开(公告)号：JP6908412B2
公开(公告)日：2021-07-28
申请号：JP2017072750
申请日：2017-03-31
申请人：東邦チタニウム株式会社
发明人：吉田稔
IPC分类号： C22B5/04 , C22B34/12

10. 发明专利

JP2021004399A スポンジチタンの製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2021004399A
公开(公告)日：2021-01-14
申请号：JP2019119023
申请日：2019-06-26
申请人：東邦チタニウム株式会社
发明人：吉田稔
IPC分类号： C22B5/04 , C22B34/12
摘要：【課題】金属製還元反応容器の側壁の内面上への厚い壁面生成スポンジチタンの形成を抑制することができるスポンジチタンの製造方法を提供する。【解決手段】この発明のスポンジチタンの製造方法は、金属製還元反応容器内で、金属マグネシウムを含む溶融浴に四塩化チタンを供給し、スポンジチタン塊を生成する還元工程を含む、スポンジチタンの製造方法であって、前記還元工程で、四塩化チタンの供給量が、少なくとも、四塩化チタンの総供給量の50質量%に達するまでの間、四塩化チタンを前記総供給量の10質量%供給する毎に、前記溶融浴の浴面の総移動距離を、金属製還元反応容器内の有効空間高さに対する比で、0.12以上とし、かつ、高さ方向における前記浴面の位置での金属製還元反応容器の側壁の温度を、700℃〜950℃の範囲内とするというものである。【選択図】図1

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