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2. 发明专利

JP2016115848A プラズマ処理装置审中-公开
标题翻译：等离子体加工设备
公开(公告)号：JP2016115848A
公开(公告)日：2016-06-23
申请号：JP2014254376
申请日：2014-12-16
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：宮田明典 , 先崎滋 , 芳賀博文 , 中尾亘孝
IPC分类号： H05H1/46 , C23C16/509 , H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/67017 , H01J37/32449 , H01J37/32834 , H01L21/6719
摘要：【課題】被処理基板のエッチングレートの均一性を向上すること。【解決手段】プラズマ処理装置は、処理容器と、処理容器内に処理ガスを供給するガス供給部と、処理容器内に設けられ、被処理基板が載置される載置台と、載置台の上方に設けられた上部電極と、上部電極及び載置台の少なくともいずれか一方に高周波電力を供給することによって、処理容器内において処理ガスのプラズマを生成するプラズマ生成部と、処理容器の側壁と、載置台の側面とによって形成された排気流路と、排気流路に設けられ、排気流路によって処理容器の外部へ排出される処理ガスの流れを調整する導電性の整流板と、排気流路における整流板よりも高い位置であって、載置台に載置された被処理基板よりも低い位置に上部電極の少なくとも一部と対向するように配置され、被処理基板の被処理面に対する高さ方向の距離が所定の範囲内に設定された導電体とを備えた。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：为了提高待处理基板的蚀刻速度的均匀性。解决方案：等离子体处理装置包括：处理容器; 气体供给部，其将处理气体供给到处理容器中; 安装台，设置在处理容器中并且其上安装有经处理的基板; 设置在安装台上方的上电极; 等离子体产生部，其向所述上部电极和所述安装台中的至少一个供给高频电力，以在所述处理容器中的处理气体中产生等离子体; 由处理容器的侧壁和安装台的侧面形成的排气通道; 导电电流板，其设置在所述排气通路中，并且通过所述排气通路调节从所述处理容器排出的处理气体的流量; 以及导体，其布置在排气通道中的当前板上方的位置并且安装在安装台上的处理基板的下方，以面对上电极的至少一部分，并且具有与处理表面的高度方向的距离处理后的基板设定在预定范围内。图示：图1

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