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    • 3. 发明专利
    • 基板処理方法、基板処理装置および記憶媒体
    • 基板处理方法,衬底处理装置和存储介质
    • JP2017010959A
    • 2017-01-12
    • JP2015121326
    • 2015-06-16
    • 東京エレクトロン株式会社
    • 八谷 洋介中村 彰宏
    • H01L21/304H01L21/027
    • 【課題】第2処理液の沸点よりも高い温度の、第1処理液および第2処理液の混合液と第2処理液とが同じ供給管から基板へ供給される場合であっても、スプラッシュの発生を抑制することができる基板処理方法および基板処理装置を提供する。 【解決手段】実施形態の一態様に係る基板処理方法は、混合液供給工程と、形成工程と、第2処理液供給工程とを含む。混合液供給工程は、第1処理液と第2処理液とを混合して混合液を生成し、第2処理液の沸点より高い温度の混合液を供給管を介して基板へ供給する。形成工程は、混合液供給工程の後、供給管内に混合液以外の流体で充填された非混合液部分を形成する。第2処理液供給工程は、形成工程の後、非混合液部分が形成された供給管を介して第2処理液を基板へ供給する。 【選択図】図4
    • 比所述第二处理液的沸点,即使当从同一供给管供给到衬底上,飞溅的第一处理液体和第二处理液体和第二处理液的混合物更高的温度下 提供能够抑制产生处理方法以及基板处理装置的基板。 根据实施方案的一个实施例的基板处理方法包括液体混合物供给工序,成形工序和第二处理液供给工序。 混合物供给步骤,通过与所述第一处理液体和第二处理液体通过供给管,以产生提供给所述衬底的混合物的比所述第二处理液温度的沸点高的混合物混合。 形成工序中,将混合物供给步骤之后,形成填充有比液体混合物进料管流体其他非混合的液体部分。 第二处理液供给工序中,在形成步骤后,通过供给管供给第二处理液未混合的液体部分形成为所述衬底。 点域4