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    • 9. 发明专利
    • 半導体ナノ粒子含有硬化性組成物、硬化物、光学材料および電子材料
    • 可固化组合物,固化物,光学材料和电子材料的半导体含纳米粒子的
    • JPWO2015019941A1
    • 2017-03-02
    • JP2015530850
    • 2014-07-31
    • 昭和電工株式会社
    • 敬史 関根英雄 宮田繁 山木
    • C08F2/44C09K11/08C09K11/56C09K11/64C09K11/66C09K11/70C09K11/74C09K11/88G02B5/20
    • C08F2/44C08F220/58C08F2220/343C08F2222/1013C08F2222/1026C09D4/00C09D143/04C09K11/02C09K11/025C09K11/565C09K11/70H01L33/56H01L51/502C08F2220/1875C08F2230/085C08F2220/283C08F2220/1883
    • シリカ微粒子(a)と、(メタ)アクリレート化合物(B)と、重合開始剤(d)と、発光体である半導体ナノ粒子(e)とを含み、(メタ)アクリレート化合物(B)が、2つの(メタ)アクリロイルオキシ基を有する2官能(メタ)アクリレート化合物(h)と、3つ以上の(メタ)アクリロイルオキシ基を有する多官能(メタ)アクリレート化合物(b)と、1つの(メタ)アクリロイルオキシ基を有する単官能(メタ)アクリレート化合物(c)とから選ばれる2種以上を含み、シリカ微粒子(a)が、下記一般式(1)で表されるシラン化合物(f)および下記一般式(2)で表されるシラン化合物(g)で表面処理されている半導体ナノ粒子含有硬化性組成物。(式(1)中、R1は水素原子又はメチル基、R2は炭素数1〜3のアルキル基又はフェニル基、R3は水素原子又は炭素数1〜10の炭化水素基、qは1〜16の整数、rは0〜2の整数。式(2)中、R4は炭素数1〜3のアルキル基又はフェニル基、R5は水素原子又は炭素数1〜10の炭化水素基、sは0〜6の整数、tは0〜2の整数。)【化1】【化2】
    • 和二氧化硅微粒(a)中,和(甲基)丙烯酸酯化合物(B),聚合引发剂和(d),和半导体纳米颗粒(e)中的光发射器,(甲基)丙烯酸酯化合物(B),2 所述(甲基)丙烯酸双功能具有含丙烯酰氧基三个或更多个(甲基)丙烯酰氧基的(甲基)丙烯酸酯化合物(h),所述多官能(甲基)丙烯酸酯化合物中的一个和(b),一种(甲基)的 丙烯酸酯包含2或从多个选择的单官能团的含丙烯酰基的(甲基)丙烯酸酯化合物(c)中,二氧化硅微粒(a)是由下列通式表示的硅烷化合物(1)(f)和以下通式 由固化性组合物(克)的半导体含纳米粒子的表示的硅烷化合物进行了表面与式(2)处理。 (在式(1)中,R1是氢原子或甲基,R 2是具有1至3个碳原子的烷基或苯基,R 3是烃基氢原子或C 1-10,q是从1至16个 整数,在r为2。式(2)的0的整数,R 4表示烷基或具有1至3个碳原子的苯基,R5是氢原子或碳原子数1〜10的烃基,s是0〜6的 整数,t为0至2)## STR1 ##的整数## STR2 ##