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1. 发明专利

JPWO2015076207A1 薄膜形成方法、薄膜および薄膜付きガラス板审中-公开
公开(公告)号：JPWO2015076207A1
公开(公告)日：2017-03-16
申请号：JP2015549131
申请日：2014-11-14
申请人：旭硝子株式会社
发明人：啓明岩岡 , 啓明岩岡 , 淳志関 , 淳志関 , 宏佑長南 , 宏佑長南 , 玲大臼井 , 玲大臼井 , 鈴木　俊夫 , 俊夫鈴木 , 朋美安部 , 朋美安部
IPC分类号： C23C16/40 , C03C17/34 , C23C16/18
CPC分类号： C23C16/405 , C03C17/2456 , C03C17/3417 , C03C2217/212 , C03C2217/73 , C03C2217/77 , C03C2218/1525 , C09D1/00
摘要：本発明は、常圧CVD法を用いて、基板上にTiO2薄膜を形成する方法であって、原料ガスが、チタンテトライソプロピオキシド(TTIP)および100〜400℃の温度域で気化可能な金属Mの塩化物を含み、前記金属Mの塩化物の量が、チタンテトライソプロピオキシド(TTIP)に対する濃度比(金属Mの塩化物(mol%)/TTIP(mol%))で0.01〜0.18である、TiO2薄膜の形成方法に関する。

2. 发明专利

JPWO2015076210A1 薄膜形成方法およびコーティングガラス审中-公开
公开(公告)号：JPWO2015076210A1
公开(公告)日：2017-03-16
申请号：JP2015549133
申请日：2014-11-14
申请人：旭硝子株式会社
发明人：雄志松井 , 雄志松井 , 玲大臼井 , 玲大臼井 , 淳志関 , 淳志関 , 啓明岩岡 , 啓明岩岡
IPC分类号： C23C16/40 , C03C17/34
CPC分类号： C23C16/405 , C03C17/2456 , C03C17/3417 , C03C2217/212 , C03C2217/73 , C03C2217/77 , C03C2218/1525 , C09D1/00
摘要：本発明は、基板上に形成されたSnO2薄膜上に、常圧CVD法を用いてTiO2薄膜を形成する方法であって、原料ガスが、チタンテトライソプロピオキシド(TTIP)およびスズ塩化物を含み、前記スズ塩化物の量が、チタンテトライソプロピオキシド(TTIP)に対する濃度比(スズ塩化物(mol%)/TTIP(mol%))で0.02〜0.1である、TiO2薄膜の形成方法に関する。

3. 发明专利

JPWO2014081030A1 薄膜形成方法审中-公开
标题翻译：薄膜的形成方法
公开(公告)号：JPWO2014081030A1
公开(公告)日：2017-01-05
申请号：JP2014548631
申请日：2013-11-25
申请人：旭硝子株式会社
发明人：淳志関 , 淳志関 , 航西田 , 航西田 , 邦明廣松 , 邦明廣松
IPC分类号： C03C17/245 , C03B25/08 , C23C16/42
CPC分类号： C03C17/245 , C03C2217/213 , C03C2218/1525 , C23C16/401 , C23C16/402 , C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/45514 , C23C16/45595 , C23C16/545 , H01L31/0392 , H02S40/22 , Y02E10/52
摘要：フロートバスから出てきた徐冷過程の板ガラスに対して、オンライン常圧CVD法を用いてガラス基板上にSiO2薄膜を形成する際の成膜速度の改善。オンライン常圧CVD法を用いてガラス基板上にSiO2薄膜を形成する方法であって、原料ガス供給手段として、主原料ガスとしてのモノシラン(SiH4)を含むプロセスガス1と、副原料ガスとしての酸素(O2)を含むプロセスガス2と、を別々に供給して、ガラス基板上で前記プロセスガス1,2を混合させるポストミックス方式の原料供給手段を使用し、前記モノシラン(SiH4)の単位幅当たりの流量が1.0NL/min・m以上であり、前記プロセスガス1が、モノシラン(SiH4)に対する濃度比(C2H4(mol%)/SiH4(mol%))で3.2以下となる量のエチレン(C2H4)を含有するSiO2薄膜の形成方法。
摘要翻译：对玻璃板退火过程中从浮槽出现，提高了通过使用一上线常压CVD法形成在玻璃基板上的SiO 2薄膜沉积速率。通过使用在玻璃基板上的在线常压CVD法形成SiO 2膜，一个源气体供应装置，工艺气体含有1甲硅烷（的SiH 4）为主要原料气体，氧气作为辅助原料气体的方法和工艺气体含有（O2），所述单独提供的，使用后混合型的材料供给装置，用于混合工艺气体2在玻璃基板上，每单硅烷的单位宽度2（的SiH 4）和流量为1.0标准升/分钟·m以上，工艺气体1是单硅烷浓度比（的SiH 4）（C 2 H 4（摩尔％）/的SiH 4（摩尔％））3.2或更小和包含乙烯的量（C 2 H 4）形成含有SiO 2薄膜的方法。

4. 发明专利

JPWO2013035746A1 アルカリバリア層付ガラス基板および透明導電性酸化物膜付ガラス基板审中-公开
标题翻译：玻璃基板与碱阻挡层和与玻璃基板的透明导电氧化物膜
公开(公告)号：JPWO2013035746A1
公开(公告)日：2015-03-23
申请号：JP2013532628
申请日：2012-09-05
申请人：旭硝子株式会社
发明人：林　英明 , 英明林 , 明久箕輪 , 明久箕輪 , 淳志関 , 淳志関 , 誠二東 , 誠二東 , 邦明廣松 , 邦明廣松 , 直樹岡畑 , 直樹岡畑
IPC分类号： C03C17/34 , C03C15/00 , C03C17/245
CPC分类号： C23C16/401 , C03C17/2456 , C03C17/3417 , C03C2217/23 , C03C2217/94 , C23C16/029 , H01L31/022475 , H01L31/0392 , Y02E10/50
摘要：アルカリバリア性に優れたアルカリバリア層付ガラス基板の提供。ガラス基板上にアルカリバリア層が形成されたアルカリバリア層付ガラス基板であって、前記アルカリバリア層が、シリコン(Si)と錫(Sn)との混合酸化物で構成されることを特徴とするアルカリバリア層付基板。
摘要翻译：提供与在碱阻隔性层优异的耐碱屏障玻璃基板。形成用层碱性阻挡层的碱屏障玻璃基板的玻璃基板，所述碱金属阻挡层，其特征在于，它是由硅的混合氧化物（Si）和锡构成上（Sn）的基板用碱屏障层。

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