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1. 发明专利

JP6237221B2 非晶質酸化物およびそのエレクトライドの薄膜の製造方法有权
公开(公告)号：JP6237221B2
公开(公告)日：2017-11-29
申请号：JP2013268346
申请日：2013-12-26
申请人：旭硝子株式会社
发明人：光井彰 , 渡邉俊成 , 伊藤和弘 , 渡邉暁 , 宮川直通
IPC分类号： C01F7/16 , H01B13/00 , H01B5/14 , C23C14/08

3. 发明专利

JP2015076540A 半導体素子およびダイオード审中-公开
标题翻译：半导体元件和二极管
公开(公告)号：JP2015076540A
公开(公告)日：2015-04-20
申请号：JP2013212569
申请日：2013-10-10
申请人：旭硝子株式会社
发明人：渡邉俊成 , 宮川直通 , 伊藤和弘 , 渡邉暁 , 光井彰
IPC分类号： H01L29/786 , H01L29/06 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L51/05 , H01L21/337 , H01L21/338 , H01L29/808 , H01L29/812 , H01L21/316 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L29/47 , H01L29/872 , H01L21/28
摘要：【課題】従来に比べて、ソース電極、ドレイン電極と、半導体層との間における抵抗の低い半導体素子を提供する。【解決手段】基板、第1の電極、第2の電極、第3の電極、および半導体層を有する半導体素子であって、前記基板の厚さ方向において、前記基板、前記第1の電極、前記第3の電極がこの順に配置される構造を含み、前記第1の電極と前記第3の電極との間に前記半導体層が存在し、前記第1の電極および前記第3の電極のいずれか一方または双方と前記半導体層との間に、カルシウム原子およびアルミニウム原子を含む非晶質酸化物のエレクトライドの薄膜により構成されるエレクトライド層が設けられている半導体素子により上記課題を解決する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：与传统技术相比，提供一种在源极和漏极之间具有较低电阻的半导体元件和半导体层。解决方案：具有衬底，第一电极，第二电极，第三电极的半导体元件和半导体层，包括基板，第一电极和第三电极在基板的厚度方向上依次配置的结构。半导体层存在于第一电极和第三电极之间。由第一电极和第三电极之间的任何一个或第二电极和半导体层设置由含有钙原子和铝原子的无定形氧化物电极的薄膜构成的电化学层。

4. 发明专利

JP2016157856A シリコン系薄膜半導体装置、およびシリコン系薄膜半導体装置の製造方法有权
标题翻译：硅基薄膜半导体器件和基于硅的薄膜半导体器件制造方法
公开(公告)号：JP2016157856A
公开(公告)日：2016-09-01
申请号：JP2015035534
申请日：2015-02-25
申请人：エルジーディスプレイカンパニーリミテッド , 国立大学法人東京工業大学 , 旭硝子株式会社
发明人：小穴保久 , 細野秀雄 , 戸田喜丈 , 渡邉俊成 , 宮川直通
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/417 , H01L21/28 , H01L29/786
摘要：【課題】リーク電流の低減および低消費電力化を実現する電極構造を備えたシリコン系薄膜半導体装置およびシリコン系薄膜半導体装置の製造方法を得る。【解決手段】結晶シリコンのバンドギャップの3倍以上のバンドギャップを有し、電子または正孔の移動による電気伝導性を有する物質を、ソース電極およびドレーン電極のそれぞれと、シリコン系薄膜との間に設けており、この物質の具体例として、非晶質エレクトライドC12A7:e − を適用することができる。【選択図】図9
摘要翻译：要解决的问题：提供一种包括电极结构的硅基薄膜半导体器件，其实现漏电流的降低和低功耗; 并提供硅基薄膜半导体器件的制造方法。解决方案：在硅基薄膜半导体器件中，具有比晶体硅的带隙宽三倍的带隙的材料，并且通过转移在硅基薄膜和源极电极和漏极电极之间提供电子或空穴。作为材料的具体实例，可以应用非晶电化学C12A7：可选择：图9

5. 发明专利

JP2015216006A マグネトロンの陰極、マグネトロン、およびマイクロ波加熱装置审中-公开
标题翻译： MAGNETRON，MAGNETRON和微波加热装置的负极
公开(公告)号：JP2015216006A
公开(公告)日：2015-12-03
申请号：JP2014097782
申请日：2014-05-09
申请人：旭硝子株式会社
发明人：渡邉俊成 , 宮川直通 , 伊藤和弘 , 渡邉暁
IPC分类号： H01J23/04
摘要：【課題】放射性物質を使用せずに、従来に比べて有意に良好な効率で電子を放出させることが可能な、マグネトロンの陰極を提供する。【解決手段】マグネトロンの陰極であって、C12A7エレクトライド化合物を有することを特徴とする陰極。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：提供能够发射电子的电子负极，其效率明显优于以前，而不使用放射性物质。解决方案：磁控管的负极包括C12A7电化合物。

6. 发明专利

JP6149725B2 半導体装置および半導体装置の製造方法有权
公开(公告)号：JP6149725B2
公开(公告)日：2017-06-21
申请号：JP2013268344
申请日：2013-12-26
申请人：旭硝子株式会社
发明人：渡邉俊成 , 宮川直通 , 伊藤和弘 , 渡邉暁 , 光井彰
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/28 , H01L29/417 , H01L51/50 , H05B33/26 , H05B33/02 , H01L29/786
CPC分类号： C23C14/3457 , C23C14/08 , H01L29/78618 , H01L29/7869 , H01L51/105 , H01L51/0541 , H01L51/0545

7. 发明专利

JP2016013927A 導電性マイエナイト化合物の製造方法审中-公开
标题翻译：生产导电性大分子化合物的方法
公开(公告)号：JP2016013927A
公开(公告)日：2016-01-28
申请号：JP2012250255
申请日：2012-11-14
申请人：旭硝子株式会社
发明人：伊藤和弘 , 渡邉暁 , 渡邉俊成 , 宮川直通
IPC分类号： C01F7/16
CPC分类号： C01F7/164 , C01F7/002 , C04B35/44 , C04B35/553 , C23C14/3414 , C01P2004/61 , C01P2006/40 , C04B2235/3208 , C04B2235/445 , C04B2235/5436 , C04B2235/6587 , C04B2235/664 , C04B2235/77
摘要：【課題】高電子密度の導電性マイエナイト化合物を効率良く製造する方法の提供。【解決手段】導電性マイエナイト化合物の製造方法であって、(a)被処理体を準備する工程であって、前記被処理体は、マイエナイト化合物またはマイエナイト化合物の前駆体を含む、工程S110と、(b)前記被処理体を、還元性雰囲気の環境下において熱処理する工程S120であって、前記環境には、複合材料および/または合金が存在し、前記被処理体は、前記複合材料および/または合金に接触しない状態で配置され、前記複合材料および/または合金は、カルシウム(Ca)、マグネシウム(Mg)、リチウム(Li)、アルミニウム(Al)、シリコン(Si)、チタン(Ti)、バナジウム(V)、マンガン(Mn)、クロム(Cr)、ナトリウム(Na)、およびガリウム(Ga)からなる群から選定された少なくとも一つの元素を含む工程と、を有することを特徴とする製造方法。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种高效生产电子密度高的导电钙铝石化合物的方法。提供一种导电性钙铝石化合物的制造方法，其特征在于，包括：（a）制备待处理物质的步骤S110 待处理的物质含有钙铝石化合物或钙铝石化合物的前体; 以及步骤S120，其中在环境中存在复合材料和/或合金的还原性大气环境中对被处理物进行热处理，所述待处理物质被设置为不与复合材料和/或合金，并且复合材料和/或合金含有选自由钙（Ca），镁（Mg），锂（Li），铝（Al），硅（Si），钛（Ti），钒（V），锰（Mn），铬（Cr），钠（Na）和镓（Ga）。

8. 发明专利

JP5842914B2 導電性マイエナイト化合物を含む電極の製造方法有权
标题翻译：生产包含导电性钙铝石化合物的电极的方法
公开(公告)号：JP5842914B2
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：JP2013515079
申请日：2012-05-07
申请人：旭硝子株式会社
发明人：伊藤和弘 , 渡邉俊成 , 渡邉暁 , 宮川直通
IPC分类号： H01J9/02
CPC分类号： H01J9/025 , C01F7/164 , C04B35/44 , C04B35/6261 , C04B35/638 , C01P2006/40 , C04B2235/3208 , C04B2235/5436 , C04B2235/652 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6587

9. 发明专利

JP2015124401A 非晶質酸化物およびそのエレクトライドの薄膜の製造方法有权
标题翻译：无定形氧化物及其电镀薄膜的生产方法
公开(公告)号：JP2015124401A
公开(公告)日：2015-07-06
申请号：JP2013268346
申请日：2013-12-26
申请人：旭硝子株式会社
发明人：光井彰 , 渡邉俊成 , 伊藤和弘 , 渡邉暁 , 宮川直通
IPC分类号： C01F7/16 , H01B13/00 , H01B5/14 , C23C14/08
摘要：【課題】非晶質酸化物のエレクトライドの薄膜を容易に製造する方法を提供する。【解決手段】結晶質C12A7エレクトライドを含むターゲットを用いて、低酸素分圧の雰囲気下で、スパッタリング法により、基板上に成膜を行うことにより、カルシウム原子およびアルミニウム原子を含む非晶質酸化物のエレクトライドの薄膜を形成することを特徴とする薄膜の製造方法。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：提供容易制造无定形氧化物电极薄膜的方法。解决方案：在薄膜的制造方法中，含有钙原子和铝原子的无定形氧化物的电极的薄膜通过使用包含结晶C12A7电极的靶在低氧分压的气氛下通过溅射法在基板上沉积而形成。

10. 发明专利

JP2018065706A 導電性マイエナイト化合物の製造方法および導電性マイエナイト化合物の焼結体审中-公开
公开(公告)号：JP2018065706A
公开(公告)日：2018-04-26
申请号：JP2016203896
申请日：2016-10-17
申请人：旭硝子株式会社
发明人：伊藤和弘 , 渡邉暁 , 大越雄斗 , 宮川直通 , 河内優
IPC分类号： C04B35/645 , C01F7/16 , C04B35/057
摘要：【課題】比較的平坦な表面を有する焼結体を得ることが可能な、導電性マイエナイト化合物の製造方法の提供。【解決手段】(1)酸化カルシウムと酸化アルミニウムとを、13:6〜11:8(CaO:Al 2 O 3 に換算したモル比)の割合で含む仮焼粉を準備する工程S110と、(2)前記仮焼粉を含む被処理体を、1kg/cm 2 〜200kg/cm 2 の範囲の圧力で加圧した状態で、Ti部材およびCa源の少なくとも一つを含む還元性雰囲気下で、1220℃〜1380℃の範囲に保持する工程S120と、を有する、導電性マイエナイト化合物の製造方法。【選択図】図1

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