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1. 发明专利

JP2015111011A 光選択吸収膜、集熱管、および太陽熱発電装置审中-公开
标题翻译：光选择性吸收膜，热收集管和太阳能发电系统
公开(公告)号：JP2015111011A
公开(公告)日：2015-06-18
申请号：JP2012068037
申请日：2012-03-23
申请人：旭硝子株式会社 , 日本真空光学株式会社
发明人：三宅雅章 , 光井彰
IPC分类号： F03G6/00 , F24J2/48
CPC分类号： F03G6/065 , F24J2/487 , F24J2/055 , F24J2/14 , F24J2/16 , F24J2002/1061 , Y02E10/46
摘要：【課題】日射エネルギー吸収率が高く、かつ400℃以上での放射率が低い光選択吸収膜を提供する。【解決手段】基材上に形成される光選択吸収膜であって、前記基材上に積層され、前記基材側から順に金属層と半導体層との繰り返し構造を2以上有する第1の積層部と、前記第1の積層部上に積層され、誘電体層と半導体層との繰り返し構造を1以上有する第2の積層部と、前記第2の積層部上に積層された誘電体層からなる第3の積層部とを有する光選択吸収膜。【選択図】図6
摘要翻译：要解决的问题：提供一种具有高吸收率的日照能量和400℃以上的低发射率的光选择性吸收膜。解决方案：形成在基板上的光选择吸收膜包括：第一层压部分层压在基板上，并且从基板侧依次包括具有金属层和半导体层的两个或更多个重复结构; 层压在所述第一层叠部上并且包括一个或多个具有电介质层和所述半导体层的重复结构的第二层压部件; 以及层叠在包含电介质层的第二层叠部上的第三层叠部。

3. 发明专利

JP6052279B2 ベータアルミナ質焼結体とその製造方法有权
标题翻译： β氧化铝烧结体及其制造方法
公开(公告)号：JP6052279B2
公开(公告)日：2016-12-27
申请号：JP2014502155
申请日：2013-02-20
申请人：旭硝子株式会社
发明人：光井彰
IPC分类号： C04B35/113
CPC分类号： H01M10/0562 , C04B35/113 , H01B1/08 , H01M10/0525 , C04B2235/3203 , C04B2235/3251 , C04B2235/3255 , C04B2235/3279 , C04B2235/5427 , C04B2235/5436 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C04B2235/81 , H01M2300/0071

4. 发明专利

JP6149725B2 半導体装置および半導体装置の製造方法有权
公开(公告)号：JP6149725B2
公开(公告)日：2017-06-21
申请号：JP2013268344
申请日：2013-12-26
申请人：旭硝子株式会社
发明人：渡邉俊成 , 宮川直通 , 伊藤和弘 , 渡邉暁 , 光井彰
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/28 , H01L29/417 , H01L51/50 , H05B33/26 , H05B33/02 , H01L29/786
CPC分类号： C23C14/3457 , C23C14/08 , H01L29/78618 , H01L29/7869 , H01L51/105 , H01L51/0541 , H01L51/0545

5. 发明专利

JP2015124401A 非晶質酸化物およびそのエレクトライドの薄膜の製造方法有权
标题翻译：无定形氧化物及其电镀薄膜的生产方法
公开(公告)号：JP2015124401A
公开(公告)日：2015-07-06
申请号：JP2013268346
申请日：2013-12-26
申请人：旭硝子株式会社
发明人：光井彰 , 渡邉俊成 , 伊藤和弘 , 渡邉暁 , 宮川直通
IPC分类号： C01F7/16 , H01B13/00 , H01B5/14 , C23C14/08
摘要：【課題】非晶質酸化物のエレクトライドの薄膜を容易に製造する方法を提供する。【解決手段】結晶質C12A7エレクトライドを含むターゲットを用いて、低酸素分圧の雰囲気下で、スパッタリング法により、基板上に成膜を行うことにより、カルシウム原子およびアルミニウム原子を含む非晶質酸化物のエレクトライドの薄膜を形成することを特徴とする薄膜の製造方法。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：提供容易制造无定形氧化物电极薄膜的方法。解决方案：在薄膜的制造方法中，含有钙原子和铝原子的无定形氧化物的电极的薄膜通过使用包含结晶C12A7电极的靶在低氧分压的气氛下通过溅射法在基板上沉积而形成。

6. 发明专利

JP2015166637A 光選択吸収膜、集熱管および太陽熱発電装置审中-公开
标题翻译：光选择性吸收膜，热收集管和太阳能热发电装置
公开(公告)号：JP2015166637A
公开(公告)日：2015-09-24
申请号：JP2012149859
申请日：2012-07-03
申请人：旭硝子株式会社
发明人：岡田奈緒子 , 光井彰 , 青峰信孝
IPC分类号： F24J2/24 , F03G6/00 , F24J2/48
CPC分类号： F24J2/24 , F24J2/48 , F24J2/485 , Y02E10/44 , Y02E10/46
摘要：【課題】ISO9050−2003に準じた300〜2500nmの日射エネルギー吸収率αが高く、使用温度である450℃以下での放射率εが低くなる波長選択性を有し、膜構成が簡単で生産性の高い光選択吸収膜の提供。【解決手段】基材上に形成される光選択吸収膜であって、前記基材側から順に赤外線反射層、太陽光の吸収層および反射防止層をこの順番に有し、前記吸収層が、Cr、FeおよびNiからなる群より選択される少なくとも1種以上の金属元素、ケイ素(Si)および窒素(N)を70原子%以上で含有する化合物からなることを特徴とする光選択吸収膜。【選択図】図6
摘要翻译：要解决的问题：为了提供根据ISO9050-2003在300-2500nm具有高太阳辐射能量吸收因子α的光选择性吸收膜，其具有波长选择性，其中发射率＆ 450℃以下，成为使用温度以下，低成本，并且具有简单的膜结构的高生产率。解决方案：形成在基材上的选择光吸收膜具有红外反射层，阳光吸收层和反射防止层，从基材侧开始。吸收层包括含有70原子％的选自Cr，Fe和Ni，硅（Si）和氮（N）的组中的至少一种金属元素的化合物。

7. 发明专利

JP6237221B2 非晶質酸化物およびそのエレクトライドの薄膜の製造方法有权
公开(公告)号：JP6237221B2
公开(公告)日：2017-11-29
申请号：JP2013268346
申请日：2013-12-26
申请人：旭硝子株式会社
发明人：光井彰 , 渡邉俊成 , 伊藤和弘 , 渡邉暁 , 宮川直通
IPC分类号： C01F7/16 , H01B13/00 , H01B5/14 , C23C14/08

8. 发明专利

JP2015076540A 半導体素子およびダイオード审中-公开
标题翻译：半导体元件和二极管
公开(公告)号：JP2015076540A
公开(公告)日：2015-04-20
申请号：JP2013212569
申请日：2013-10-10
申请人：旭硝子株式会社
发明人：渡邉俊成 , 宮川直通 , 伊藤和弘 , 渡邉暁 , 光井彰
IPC分类号： H01L29/786 , H01L29/06 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L51/05 , H01L21/337 , H01L21/338 , H01L29/808 , H01L29/812 , H01L21/316 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L29/47 , H01L29/872 , H01L21/28
摘要：【課題】従来に比べて、ソース電極、ドレイン電極と、半導体層との間における抵抗の低い半導体素子を提供する。【解決手段】基板、第1の電極、第2の電極、第3の電極、および半導体層を有する半導体素子であって、前記基板の厚さ方向において、前記基板、前記第1の電極、前記第3の電極がこの順に配置される構造を含み、前記第1の電極と前記第3の電極との間に前記半導体層が存在し、前記第1の電極および前記第3の電極のいずれか一方または双方と前記半導体層との間に、カルシウム原子およびアルミニウム原子を含む非晶質酸化物のエレクトライドの薄膜により構成されるエレクトライド層が設けられている半導体素子により上記課題を解決する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：与传统技术相比，提供一种在源极和漏极之间具有较低电阻的半导体元件和半导体层。解决方案：具有衬底，第一电极，第二电极，第三电极的半导体元件和半导体层，包括基板，第一电极和第三电极在基板的厚度方向上依次配置的结构。半导体层存在于第一电极和第三电极之间。由第一电极和第三电极之间的任何一个或第二电极和半导体层设置由含有钙原子和铝原子的无定形氧化物电极的薄膜构成的电化学层。

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