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    • 2. 发明专利
    • フェイスマスクシステム
    • JP2021188183A
    • 2021-12-13
    • JP2020094885
    • 2020-05-29
    • 旭化成株式会社
    • 竹口 圭吾山羽 義郎永瀬 和宏
    • A62B18/02A61L2/10A41D13/11
    • 【課題】小型で取り扱いが容易で、かつ、空気中に含まれるウィルス等を紫外線により有効に不活化するマスクを提供する。 【解決手段】本発明は、装着時に使用者の顔の表面に当接して第1の開口部を介して鼻及び口を覆うように形成された凹状部を有するマスク本体部と、前記凹状部の第2の開口部を覆うように形成されたカバーと、前記マスク本体部と前記カバーとを着脱自在に結合する結合部と、前記カバーの内面に対向して前記第2の開口部に着脱可能に設けられたフィルタと、前記カバーの内面に設けられ、前記フィルタに紫外線を照射する紫外線発光素子とを備えるフェイスマスクシステムである。前記結合部は、第1及び第2の電極とからなる電気接点部として機能し、前記カバーと前記マスク本体部との結合時に、前記第1及び前記第2の電極とは電気的に接続される。 【選択図】図1
    • 7. 发明专利
    • 発光ダイオード及び発光ダイオードの製造方法
    • 发光二极管和发光二极管制造方法
    • JP2016001639A
    • 2016-01-07
    • JP2014120298
    • 2014-06-11
    • 旭化成株式会社国立研究開発法人産業技術総合研究所
    • 竹口 圭吾林 由紀子岸 寛之王 学論清水 三聡
    • H01L21/3065H01L33/22
    • 【課題】LEDの発光層から出射される光を高効率で外部に取り出すことができる表面形状を有するLEDを提供すること。 【解決手段】本発明の発光ダイオードは、基板1と半導体積層部10とを備え、半導体積層部10は、基板1の第1主面上に形成されたn型半導体層3と、このn型半導体層3上に形成された発光層4と、この発光層4上に形成されたp型半導体層5とを備えている。発光ダイオードの光取り出し面に、錐台形状のパターン1aが形成されており、錐台形状のパターン1aの下底長が1.2λ以上1.7λ以下であり、傾斜角が65度以上80度以下であり、上底長が0.4λ以上1.2λ以下である。基板1は窒化物である。 【選択図】図1
    • 要解决的问题:提供具有能够以高效率将从LED的发光层发出的光从外部引出到外部的表面形状的LED。解决方案:本实施例的发光二极管包括基板1和半导体层叠 半导体层叠部10包括形成在基板1的第一主面上的n型半导体层3,形成在n型半导体层3上的发光层4和形成在n型半导体层3上的p型半导体层5 发光二极管包括形成在发光二极管的光提取表面上的截头锥形图案1a,其中截头锥形图案1a具有不小于1.2λ的较低基本长度,而不是更多 不超过1.7λ,倾斜角度不小于65度且不大于80度,上基底长度不小于0.4λ且不大于1.2λ。 基板1是氮化物。